第二離子注入的溫度為300°C?400°C，在所述高溫條件下，進行第二離子注入，可以降低所述第二離子注入對所述第二鰭部120造成損傷。
[0065]在所述第二離子注入的過程中，所述第二鰭部120頂部具有第一氧化硅層201和氮化硅層202作為保護層，避免所述第二離子注入對第二鰭部120的頂部避免造成損傷，影響后續(xù)在所述第二鰭部120上形成的柵極結(jié)構(gòu)與第二鰭部120之間的界面質(zhì)量，從而提高形成的鰭式場效應(yīng)晶體管的性能。
[0066]請參考圖8，在所述半導(dǎo)體襯底100的PMOS區(qū)域上形成第二掩膜層402，以所述第二掩膜層402為掩膜，對所述PMOS區(qū)域上的第一鰭部110進行第一離子注入，在所述第一鰭部110內(nèi)形成第一穿通阻擋層501。
[0067]具體的，所述第一離子注入的離子為P型離子，例如:B離子、Ga離子或In離子等，所述P型離子的注入能量為20KeV?60KeV，形成的所述第一穿通阻擋層501內(nèi)所述P型離子的摻雜濃度為lE12atom/cm3?5E13atom/cm3。所述第一穿通阻擋層501可以與后續(xù)在所述第一鰭部110內(nèi)形成的源極和漏極形成PN結(jié)，從而在所述源極和漏極之間形成反向隔離，提高所述源極和漏極之間的穿通電壓。所述第一穿通阻擋層501的位置與第二穿通阻擋層的位置相同或相近。
[0068]所述第一離子注入的離子還可以包括C離子，所述C離子可以吸附所述第一鰭部110內(nèi)由于離子注入造成的缺陷，使所述第一鰭部110內(nèi)的離散的缺陷形成團簇，從而可以降低所述第一穿通阻擋層501內(nèi)的摻雜離子的擴散速率，避免所述摻雜離子向外擴散，從而可以確保所述第一穿通阻擋層501的摻雜離子分布較為集中。所述C離子的摻雜濃度為lE12atom/cm3 ?5E14atom/cm3。
[0069]并且，所述第一鰭部110的側(cè)壁表面形成有緩沖層301，所述緩沖層301還可以阻擋所述第一穿通阻擋層501內(nèi)的摻雜離子通過第一鰭部121的側(cè)壁向外擴散進介質(zhì)材料層302 中。
[0070]在本發(fā)明的其他實施例中，所述第一離子注入在高溫下進行，所述第一離子注入的溫度為300°C?400°C，在所述高溫條件下，進行第一離子注入，可以降低所述第一離子注入對所述第一鰭部110造成損傷。
[0071]在所述第一離子注入的過程中，所述第一鰭部110頂部具有第一氧化硅層201和氮化硅層202作為保護層，避免所述第一離子注入對第一鰭部110的頂部避免造成損傷，影響后續(xù)在所述第一鰭部110上形成的柵極結(jié)構(gòu)與第一鰭部110之間的界面質(zhì)量，從而提高形成的鰭式場效應(yīng)晶體管的性能。
[0072]在形成好所述第一穿通阻擋層501和第二穿通阻擋層502之后，進行熱退火處理以激活所述第一穿通阻擋層和第二穿通阻擋層內(nèi)的摻雜離子，所述退火處理的溫度為500°C?1000°C，所述退火工藝可以是爐管退火、快速熱退火或尖峰退火工藝。
[0073]本實施例中，在所述第一鰭部110和第二鰭部120表面形成所述緩沖層301和介質(zhì)材料層302之后再形成所述第一穿通阻擋層501和第二穿通阻擋層502，可以減少所述第一穿通阻擋層501和第二穿通阻擋層502受到的熱處理過程。
[0074]由于所述緩沖層301通過熱氧化化或原子層沉積工藝形成，工藝溫度較高，如果在所述緩沖層301形成之前，就在所述第一鰭部和第二鰭部內(nèi)進行了離子注入，形成所述第一穿通阻擋層和第二穿通阻擋層，那么在形成所述緩沖層301的過程中，所述第一穿通阻擋層和第二穿通阻擋層內(nèi)的摻雜離子就會在緩沖層301的形成過程中，向外擴散進入緩沖層301和其他材料層中使所述緩沖層301內(nèi)存在較多缺陷，降低所述緩沖層301在后續(xù)過程中對第一穿通阻擋層和第二穿通阻擋層的擴散阻擋作用；后續(xù)形成介質(zhì)材料層302過程中，也要對所述介質(zhì)材料層302進行熱處理以去除所述介質(zhì)材料層302中的缺陷，由于緩沖層301的擴散阻擋作用下降，會進一步促進第一穿通阻擋層和第二穿通阻擋層中的摻雜離子向外擴散。
[0075]而本發(fā)明的實施例中，在形成所述緩沖層301和介質(zhì)材料層302之后，再形成第一穿通阻擋層501和第二穿通阻擋層502，一方面可以提高形成的緩沖層301的質(zhì)量，提高所述緩沖層301在后續(xù)工藝中對第一穿通阻擋層501和第二穿通阻擋層502中的摻雜離子的擴散阻擋作用；另一方面，所述第一穿通阻擋層501和第二穿通阻擋層502內(nèi)的摻雜離子不需要受到形成所述緩沖層和介質(zhì)材料層過程中的熱處理過程，從而可以減少摻雜離子的擴散。
[0076]請參考圖9，去除部分厚度的介質(zhì)材料層302 (請參考圖8)和部分緩沖層301 (請參考圖8)，使所述介質(zhì)材料層302的表面與第一穿通阻擋層501、第二穿通阻擋層502的表面齊平或略低于所述第一穿通阻擋層501、第二穿通阻擋層502的表面。
[0077]可以采用濕法刻蝕工藝或濕法刻蝕工藝去除所述部分厚度的介質(zhì)材料層302和部分緩沖層301。
[0078]在本發(fā)明的一個實施例中，可以以所述第一鰭部110和第二鰭部120頂部的氧化硅層201及其表面的氮化硅層202作為掩膜，采用干法刻蝕工藝刻蝕所述介質(zhì)材料層302和緩沖層301，然后去除所述氧化硅層201及其頂部的氮化硅層202。
[0079]具體的，本實施例中，采用濕法刻蝕工藝，用HF溶液刻蝕所述介質(zhì)材料層302和緩沖層301，使剩余的介質(zhì)材料層302a和緩沖層301a的表面與第一穿通阻擋層501、第二穿通阻擋層502的表面齊平或略低于所述第一穿通阻擋層501、第二穿通阻擋層502的表面。采用濕法刻蝕工藝可以避免干法刻蝕工藝對第一鰭部110和第二鰭部120表面造成損傷。
[0080]去除所述部分厚度的介質(zhì)材料層302和部分緩沖層301之后，暴露出部分高度的第一鰭部110和第二鰭部120，后續(xù)在所述暴露的部分高度的第一鰭部110和第二鰭部120表面形成柵極結(jié)構(gòu)以及位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的第一鰭部110和第二鰭部120內(nèi)的源極和漏極。所述第一穿通阻擋層501位于暴露的部分高度的第一鰭部110的底部，所述第二穿通阻擋層502位于暴露的部分高度的第二鰭部120的底部，從而使得所述第一穿通阻擋層501與后續(xù)在第一鰭部110內(nèi)形成的源極和漏極的位置相接，從而可以與所述源極與漏極形成PN結(jié)，作為所述源極、漏極之間的隔離結(jié)構(gòu)；同樣，所述第二穿通阻擋層502也可以作為在第二鰭部120內(nèi)形成的源極和漏極之間的隔離結(jié)構(gòu)。
[0081]請參考圖10，去除所述第一鰭部110和第二鰭部120頂部的氧化硅曾201和氮化硅層202之后，對未被介質(zhì)材料層302覆蓋的部分第一鰭部110和第二鰭部120進行表面平滑處理和圓角處理。
[0082]具體的，對所述暴露的第一鰭部110和第二鰭部120進行表面平滑處理和圓角處理的方法可以包括:在所述未被介質(zhì)層覆蓋的部分暴露的第一鰭部和第二鰭部表面進行氧化處理，形成氧化層；采用濕法刻蝕工藝去除所述氧化層。對所述暴露的第一鰭部和第二鰭部表面進行氧化處理的工藝可以是熱氧化或者水汽氧化工藝；所述濕法刻蝕工藝采用的刻蝕溶液為HF溶液。
[0083]對所述第一鰭部110和第二鰭部120表面進行氧化之后，可以使所述第一鰭部110和第二鰭部120的頂角呈圓弧狀，從而避免形成晶體管后所述第一鰭部110和第二鰭部120的頂角位置處電場線密度過大出現(xiàn)尖端放電現(xiàn)象，從而可以提高形成的鰭式場效應(yīng)晶體管的穩(wěn)定性。并且，對所述第一鰭部110和第二鰭部120表面進行氧化之后在去除氧化層，可以去除所述第一鰭部110和第二鰭部120表面在刻蝕過程中受到的損傷，是所述第一鰭部11