陣列基板及其制造方法和顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及顯示裝置領(lǐng)域，具體地，設(shè)及一種陣列基板、該陣列基板的制造方法和 包括所述陣列基板的顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 顯示面板的陣列基板包括多層金屬走線（金屬走線包括柵線和數(shù)據(jù)線），在形成 金屬走線的時候，金屬走線的頂面和側(cè)面上會產(chǎn)生小的凸起化illlock),所述凸起極有可 能會造成金屬走線之間短路。
[0003] 當(dāng)金屬走線由金屬侶制成時，在金屬走線的頂面上覆蓋一層金屬鋼會抑制頂面上 產(chǎn)生凸起，但是，金屬鋼很難覆蓋金屬走線的側(cè)面，金屬走線的側(cè)面上的凸起仍然無法消 除。
[0004] 因此，如何消除金屬走線的側(cè)面上的凸起是本領(lǐng)域亟待解決的技術(shù)問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明的目的在于提供一種陣列基板、該陣列基板的制造方法和包括所述陣列基 板的顯示裝置。所述陣列基板的金屬件上沒有凸起形成。
[0006] 為了實(shí)現(xiàn)上述目的，作為本發(fā)明的一個方面，提供一種陣列基板，所述陣列基板包 括絕緣間隔的多層金屬圖形層，所述金屬圖形層包括有金屬材料制成的金屬件，其中，至少 一層所述金屬圖形層中的所述金屬件的側(cè)面上形成有氧化物薄膜，所述氧化物薄膜由制成 所述金屬件的金屬的氧化物形成。
[0007] 優(yōu)選地，多層所述金屬圖形層中的一層為柵線層，所述柵線層中的金屬件包括柵 線和柵極，所述柵線層中的金屬件的側(cè)面上形成有所述氧化物薄膜。
[000引優(yōu)選地，所述陣列基板還包括有源圖形層，所述陣列基板還包括位于所述柵線層 和所述有源圖形層之間的柵絕緣層，所述柵絕緣層包括第一娃氧化物絕緣層和娃氮化物絕 緣層，第一娃氧化物絕緣層與所述氧化物薄膜接觸，所述娃氮化物絕緣層覆蓋所述第一娃 氧化物絕緣層。
[0009] 優(yōu)選地，所述有源圖形層中的有源層由氧化物制成，所述柵絕緣層還包括第二娃 氧化物絕緣層，所述第二娃氧化物絕緣層與有源層接觸。
[0010] 優(yōu)選地，多層所述金屬圖形層中的一層為數(shù)據(jù)線層，所述數(shù)據(jù)線層中的金屬件包 括數(shù)據(jù)線、源極和漏極，所述數(shù)據(jù)線線層中的金屬件的側(cè)面上形成有所述氧化物薄膜。
[0011] 優(yōu)選地，所述金屬件由侶制成，所述金屬件的頂面上形成有第一保護(hù)層，所述第一 保護(hù)層由硬度大于所述金屬件的硬度的導(dǎo)電材料制成。
[0012] 優(yōu)選地，所述第一保護(hù)層由鋼制成。
[001引優(yōu)選地，所述金屬件的厚度不小于6000A，所述第一保護(hù)層的厚度在 600-1200A之間。
[0014] 優(yōu)選地，所述氧化物薄膜的厚度在80-1OOA之間。
[0015] 優(yōu)選地，所述金屬件的底表面上形成有第二保護(hù)層，所述第二保護(hù)層由與所述第 一保護(hù)層相同的材料制成。
[0016] 作為本發(fā)明的另一個方面，提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括陣列基板，其 中，所述陣列基板為本發(fā)明所提供的上述陣列基板。
[0017] 作為本發(fā)明的再一個方面，提供一種陣列基板的制造方法，其中，所述制造方法包 括形成絕緣間隔的多層金屬圖形層，所述金屬圖形層包括有金屬材料制成的金屬件，其中， 至少在形成一層所述金屬圖形層的步驟中包括：
[001引形成包括金屬件的圖形；
[0019] 對金屬件的側(cè)面進(jìn)行氧化處理，W在所述金屬件的側(cè)面上形成氧化物薄膜，所述 氧化物薄膜由制成所述金屬件的金屬的氧化物形成。
[0020] 優(yōu)選地，所述金屬件由侶制成，形成金屬件的側(cè)面上形成有所述氧化物薄膜的金 屬圖形層的步驟包括；形成包括第一保護(hù)層的圖形，所述第一保護(hù)層位于所述金屬件的上 表面上，且所述第一保護(hù)層由硬度大于所述金屬件的硬度的導(dǎo)電材料制成，其中，所述形成 包括第一保護(hù)層的圖形的步驟在所述對金屬件的側(cè)面進(jìn)行氧化處理的步驟之前進(jìn)行。
[0021] 優(yōu)選地，所述對金屬件的側(cè)面進(jìn)行氧化處理的步驟包括：
[0022] 向工藝腔內(nèi)通入含氧原子的第一工藝氣體，并對所述第一工藝氣體等離子化獲得 氧等離子體，W使得所述金屬件的側(cè)面與所述氧等離子體反應(yīng)生成所述氧化物薄膜。
[0023] 優(yōu)選地，所述第一工藝氣體包括氧氣和/或一氧化二氮。
[0024] 優(yōu)選地，所述金屬件的厚度不小于6000A，所述第一保護(hù)層的厚度在 600-1200A之間。
[002引優(yōu)選地，所述氧化物薄膜的厚度在80-100A之間。
[0026] 優(yōu)選地，所述第一保護(hù)層由鋼制成。
[0027] 優(yōu)選地，所述制造方法還包括在形成所述金屬圖形層的步驟之前進(jìn)行的：
[002引形成包括第二保護(hù)層的圖形，每個所述金屬件的下方均設(shè)置有一個相對應(yīng)的所述 第二保護(hù)層，所述第二保護(hù)層由于所述第一保護(hù)層相同的材料制成。
[0029] 優(yōu)選地，所述金屬圖形層包括柵線層，所述制造方法包括在形成柵線層的步驟之 后進(jìn)行的：
[0030] 向工藝腔內(nèi)通入含娃的第二工藝氣體和含氧的第=工藝氣體，并將所述第二工藝 氣體和所述第=工藝氣體等離子化，W在所述柵線層的上方形成第一娃氧化物絕緣層；其 中，對金屬件的側(cè)面進(jìn)行氧化處理的步驟與形成第一娃氧化物絕緣層的步驟同步進(jìn)行；
[0031] 在第一娃氧化物絕緣層上方形成娃氮化物絕緣層。
[0032] 優(yōu)選地，所述第二工藝氣包括硅烷，所述第=工藝氣體包括一氧化二氮和/或氧 氣。
[0033] 優(yōu)選地，所述制造方法還包括：
[0034] 在所述娃氮化物絕緣層上方形成第二娃氧化物絕緣層；
[0035] 在所述第二娃氧化物絕緣層上形成包括有源層的圖形，所述有源層由氧化物制 成。
[0036] 所述氧化物薄膜由制成所述金屬件的金屬的氧化物形成，因此，形成金屬件之后， 通過對金屬件的側(cè)面進(jìn)行氧化處理即可在金屬件的側(cè)面上形成所述氧化物薄膜，從而可W 克服現(xiàn)有技術(shù)中沉積金屬膜無法覆蓋金屬件的側(cè)面的缺陷。
【附圖說明】
[0037] 附圖是用來提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與下面的具 體實(shí)施方式一起用于解釋本發(fā)明，但并不構(gòu)成對本發(fā)明的限制。在附圖中：
[003引圖1是本發(fā)明所提供的陣列基板的第一種實(shí)施方式的示意圖；
[0039] 圖2是透明基板上形成有金屬件W及第一保護(hù)層的示意圖；
[0040] 圖3是利用本發(fā)明所提供的制造方法的第一種實(shí)施方式形成氧化物薄膜后的示 意圖；
[0041] 圖4是本發(fā)明所提供的陣列基板的第二種實(shí)施方式的示意圖；
[0042] 圖5是利用本發(fā)明所提供的制造方法的第二種實(shí)施方式形成氧化物薄膜后的示 意圖。
[0043] 附圖標(biāo)記說明
[0044] 100;柵極 110;氧化物薄膜
[0045] 120 ;第一保護(hù)層 210 ;第一娃氧化物絕緣層
[0046] 220 ;第二娃氧化物絕緣層230 ;娃氮化物絕緣層
[0047] 300 ;有源層 400 ;刻蝕阻擋層
[0048] 510 ;源極 520 ;漏極
[0049] 600;純化層 700;像素電極
【具體實(shí)施方式】
[0050] W下結(jié)合附圖對本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】進(jìn)行詳細(xì)說明