0可W形成在膜153 上。膜153可W由娃形成。支撐單元154可W由絕緣體形成并且也可W被稱為第一絕緣層。 支撐單元154可W例如包括氧化物和氮化物并可W由例如娃氧化物形成。
[003引上電極160可W由金（Au)、銅（Cu)、錫（Sn)、銀（Ag)、鉛（A1)、笛（Pt)、鐵們）、媒 (Ni)、鉛（&)或其混合物形成。
[0037] 絕緣層144可W包括例如氧化物和氮化物并可W由例如娃氮化物形成。
[0038] 在圖2中，示出一個空腔C形成在一個元件E中。然而，示范性實施方式不限于此， 例如，形成為5X5陣列的多個空腔C可W形成在一個元件E中。
[0039] 暴露器件基板140的由第二溝槽T2圍繞的第二部分142的通孔146貫穿膜153、 支撐單元154和絕緣層144形成。上電極160通過通孔146電連接到器件基板140的第二 部分142。
[0040] 絕緣層147形成在器件基板140下面。暴露器件基板140的第一部分141的第一 孔化和暴露器件基板140的第二部分142的第二孔肥形成在絕緣層147中。第一孔化 形成在與第一通路金屬116的位置相對應(yīng)的位置，第二孔肥形成在與第二通路金屬117的 位置相對應(yīng)的位置。
[0041]第一接合金屬Ml形成在第一孔化中W連接TSV基板110到第一部分141，第二接 合金屬M2形成在第二孔肥中W連接TSV基板110到第二部分142。第一接合金屬Ml形成 為連接到通孔112中的第一通路金屬116,第二接合金屬M2形成為連接到通孔114中的第 二通路金屬117。第一接合金屬Ml和第二接合金屬M2通過形成在器件基板140和TSV基 板110之間的被共晶接合的對應(yīng)部分中的共晶接合金屬形成。
[0042] 第一電極墊P1和第二電極墊P2形成在TSV基板110下面并分別連接到第一通路 金屬116和第二通路金屬117。接地電壓可W施加到第二電極墊P2,驅(qū)動信號電壓可W施 加到第一電極墊P1。
[0043] 施加到第一電極墊P1的驅(qū)動信號電壓通過第一通路金屬116和第一接合金屬Ml 提供到作為下電極的第一部分141。
[0044] 施加到第二電極墊P2的接地電壓通過第二通路金屬117、第二接合金屬M2和第二 部分142提供到上電極160。
[0045] 在下文，將描述根據(jù)示范性實施方式制造電容式微加工超聲換能器的方法。
[0046] 圖3A至31是根據(jù)示范性實施方式制造電容式微加工超聲換能器的方法的截面 圖。圖3A至31是沿圖1的線11-11'截取的截面圖。
[0047] 參照圖3A，在第一晶片150上形成第一絕緣層154之后，第一絕緣層154被圖案化 W形成開口 154a。第一晶片150可W是絕緣體上娃（SOI)晶片。第一晶片150可W包括順 序地堆疊的第一娃層151、掩埋氧化物層152和第二娃層153。對應(yīng)于圖2的膜153的第二 娃層153可W形成至約2000A的厚度。
[0048] 第一絕緣層154可W通過氧化第一晶片150而由娃氧化物形成。圖案化的第一絕 緣層154對應(yīng)于圖2的支撐單元154。開口 154a的深度可W由第一絕緣層154的厚度確 定。束一絕緣層154的厚度可W是約4000A。
[0049] 參照圖3B，第二絕緣層144形成在器件晶片140上。第一晶片150被接合在器件 晶片140上使得第一絕緣層154和第二絕緣層144彼此面對。器件晶片140可W由低阻娃 形成。第二絕緣層144可W由通過熱氧化器件晶片140形成的娃氧化物而形成。
[0050] 參照圖3C，第一晶片150和器件晶片140可W通過使用娃直接結(jié)合（SDB)工藝而 晶片至晶片接合。第一晶片150和器件晶片140被接合W形成空腔C作為密封空間。
[0051] 器件晶片140被減薄W形成具有從約10ym至約50ym的厚度的器件晶片140a。 為了減薄器件晶片140,在對器件晶片140進(jìn)行機(jī)械研磨之后，可W進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光 (CM巧工藝。通過減薄器件晶片140,溝槽可W容易地形成在器件晶片140a中。
[0052] 參照圖3D，第一溝槽T1和第二溝槽T2形成在器件晶片140a中。第一溝槽T1形 成為圍繞器件基板140a的第一部分141從而分離每個芯片的多個元件E。第一溝槽T1可 W是柵格形狀的，如圖1所示。第二溝槽T2形成為圍繞器件晶片140a的連接到上電極（圖 2的160)的第二部分142。
[0053] 第一溝槽T1和第二溝槽T2可W貫穿器件晶片140a形成。第一溝槽T1和第二溝 槽T2可W具有相同的寬度。由于第一溝槽T1和第二溝槽T2具有相同的寬度，所W第一溝 槽T1和第二溝槽T2可W通過使用相同的掩模形成。在常規(guī)技術(shù)中，由于分離元件E的溝 槽（對應(yīng)于第一溝槽T1)的寬度不同于上電極連接通路的寬度，所W分離元件E的溝槽的 蝕刻時間不同于上電極連接通路的蝕刻時間，因而，溝槽和上電極連接通路使用單獨的蝕 刻工藝形成。另一方面，根據(jù)示范性實施方式，第一溝槽T1和第二溝槽T2可W同時形成。
[0054] 第一溝槽T1和第二溝槽T2可W具有從約1ym至約10ym的寬度。如果第一溝 槽T1和第二溝槽T2的寬度小于1ym，則高寬比大，因此會難W進(jìn)行蝕刻。如果第一溝槽 T1和第二溝槽T2的寬度大于10ym，則電容式微加工超聲換能器100的頻率特性會惡化。 [00巧]接下來，器件晶片140a被熱氧化W用娃氧化物145填充第一溝槽T1和第二溝槽 T2。此外，第H絕緣層147形成在器件晶片140a的下表面上。第一溝槽T1和第二溝槽T2 可W不被娃氧化物145完全地填充。
[0056] 第H絕緣層147被圖案化W形成暴露第一部分141的第一孔化和暴露由第二溝 槽T2圍繞的第二部分142的第二孔肥。第一部分141是對應(yīng)于一個元件E的區(qū)域。
[0057] 參照圖3E，在第H絕緣層147上沉積金屬層之后，金屬層被圖案化W分別在第一 孔化和第二孔肥上形成第一接合墊147a和第二接合墊14化。第一接合墊147a和第二接 合墊14化可W由可用于共晶接合的材料形成。例如，第一接合墊147a和第二接合墊14化 可y由用于Au-Sn共晶接合的Au和/或Sn形成。
[0058] 參照圖3F，提供TSV晶片110。第一通孔112和第二通孔114形成在TSV晶片110 中。第一通孔112和第二通孔114可W形成至幾十ym的寬度。第一通孔112形成為對應(yīng) 于第一部分141，第二通孔114形成為對應(yīng)于第二部分142。
[0059] 第四絕緣層111形成在TSV晶片110上。第四絕緣層111可W通過氧化TSV晶片 110而形成。第四絕緣層111可W形成在第一通孔112和第二通孔114的表面W及TSV晶 片110的上下表面上。第一通孔112和第二通孔114用金屬填充W形成第一通路金屬116 和第二通路金屬117。
[0060] 在TSV晶片110上形成金屬層之后，金屬層被圖案化W形成第H接合墊118a和第 四接合墊118b。第H接合墊118a形成在第一通路金屬116上W對應(yīng)于第一接合墊147a， 第四接合墊118b形成在第二通路金屬117上W對應(yīng)于第二接合墊14化。
[0061] 第H接合墊118a和第四接合墊118b可W由共晶的接合金屬形成。例如，第H接 合墊118a和束四接合墊118b可W由用于Au-Sn共晶接合的Au和/或Sn形成。
[006引參照圖3G，TSV晶片110和器件晶片140a被晶片級接合。例如，TSV晶片110和 器件晶片140a被共晶地接合。共晶接合可W通過例如Au/Sn接合進(jìn)行。此時，