dB9.8321dBi920MHz
34.135dB9.9115dBi940MHz
35.232dB9.9960dBi950 MHz36.0OOdB10.200dBi
如上表所示，其在800MHz至950MHz頻段均表現(xiàn)出優(yōu)良的通信電氣參數(shù)性能，具體的，單個輻射單元最低頻點前后比均大于31dB，在950MHz，單個輻射單元最低頻點前后比均為36dB ;而低頻點增益均大于9.35dBi,頻帶內(nèi)平均增益大于9.8dBi。
[0022]具體從實驗數(shù)據(jù)中截取四個頻段的前后比數(shù)據(jù)圖以及三個頻段的增益數(shù)據(jù)圖，如圖6至圖12，在800MHz至950MHz實現(xiàn)了優(yōu)良的前后比特性，其中，在800MHz時，如圖6，其頻帶內(nèi)前后比為31.225dB ;在890MHz時，如圖7，其頻帶內(nèi)前后比為33.635dB ；在920MHz時，如圖8，其頻帶內(nèi)前后比為34.135dB ;在95011取時，如圖9，其頻帶內(nèi)前后比為36.0OOdB ;而在增益上的表現(xiàn):如圖10，其在800MHz時，其增益達到:9.3521 dBi ;如圖11，其在890MHz時，其增益達到:9.7550 dBi ;如圖12，其在950MHz時，其增益達到:
10.200dBi ;可以得知，其平均內(nèi)前后比大于33dB，其增益平均大于9.8dBi。
[0023]本實施例所述的一種高增益天線，還包括兩條微帶饋電線；所述微帶饋電線的一端與對應(yīng)的微帶輻射區(qū)2的第一微帶單元41電連接，另一端與主PCB板I上的對應(yīng)的過孔31電連接；通過此結(jié)構(gòu)，可以方便的將饋電線與主PCB板1，即微帶電路實現(xiàn)融合一體化。
[0024]本實施例所述的一種高增益天線，所述每個微帶單元的導電層厚度d為
0.5mm-1.5mm之間。如圖4所述，所述d的厚度即蝕刻PCB上單層覆銅層的厚度；位于此厚度，其能有效增加PCB板穩(wěn)固性，即微帶電路的穩(wěn)定性，有能保證實現(xiàn)上述實驗數(shù)據(jù)的實現(xiàn)；又不至于過厚，而增加的互干擾性。
[0025]本實施例所述的一種高增益天線，所述微帶饋電線包括有一個N字形的N形隔離部32以及從N形隔離部32 —端延伸出的連接部33 ;所述N形隔離部32的另一端與過孔31電連接；所述兩個N形隔離部32的拱處均向外。增加N形隔離部32且拱處均向外在實驗上增加了饋電線之間的隔離度，降低互相干擾，降低因為饋電線互擾產(chǎn)生的假耦合。
[0026]本實施例所述的一種高增益天線，所述第三微帶單元43與第四微帶單元44之間還設(shè)有一 T字形的微帶T形隔離部5 ;此結(jié)構(gòu)可以有效增加產(chǎn)品隔離度，在軟件仿真中，隔離度可達30dB。
[0027]本實施例所述的一種高增益天線，所述微帶上弧邊21的弧度角α I為90° -120°。在此弧度角α I時，通過實驗和仿真以及最終測試發(fā)現(xiàn)，在此弧度角范圍內(nèi)，實現(xiàn)上述實驗數(shù)據(jù)的穩(wěn)定性最佳。
[0028]本實施例所述的一種高增益天線，所述每個微帶單元的中間設(shè)有一兩頭為弧形中間為矩形的通孔6。所述通孔6內(nèi)填充有二氧化硅半導體。此結(jié)構(gòu)，在單個微帶單元中增加了電流路徑長度，間接的增加了輻射增益及前后比，通信性能進一步提高。
[0029]本實施例所述的一種高增益天線，所述主PCB板I的邊緣設(shè)有一圈微帶隔離環(huán)線Ilo此結(jié)構(gòu)可以有效增加產(chǎn)品隔離度，在軟件仿真中，隔離度可達30dB。
[0030]本實施例所述的一種高增益天線，所述主PCB板I的上下兩側(cè)設(shè)有鋸齒狀的微帶隔離齒線12 ;此結(jié)構(gòu)可以有繼續(xù)效增加產(chǎn)品隔離度，在軟件仿真中，隔離度可達30dB。
[0031]本實施例所述的一種高增益天線，所述主PCB的微帶輻射區(qū)2的上部和下部均設(shè)有兩段在同一水平線上的微帶隔離直線13，所述兩段微帶直線的靠近的兩端設(shè)有隔離微帶電容；隔離微帶電容可以有效去除靠近微帶隔離齒線12在隔離時產(chǎn)生的偶信號，增加信號純凈。
[0032]本實施例所述的一種高增益天線，所述微帶單元的中間部分的邊緣呈鋸齒狀；如圖3所示，此結(jié)構(gòu)實現(xiàn)了微帶單元的輻射程度和增益程度，此結(jié)構(gòu)，在單個微帶單元中增加了電流路徑長度，間接的增加了輻射增益及前后比，通信性能進一步提高；在軟件仿真以及實際測算當中，增益明顯增強，在原有增益上增加0.2-0.6dB1
[0033]以上所述僅是本發(fā)明的一個較佳實施例，故凡依本發(fā)明專利申請范圍所述的構(gòu)造、特征及原理所做的等效變化或修飾，包含在本發(fā)明專利申請的保護范圍內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種高增益天線，其特征在于:包括有反射板(a)以及設(shè)于反射板(a)上的多個單極性微帶振子；所述單極性微帶振子，包括有主PCB板(I )，所述主PCB板(I)上對稱設(shè)置有兩個微帶輻射區(qū)(2);所述每個微帶輻射區(qū)(2)包括有微帶上弧邊(21)以及微帶下弧邊(22)，所述微帶上弧邊(21)和微帶下弧邊(22)閉合形成一個封閉的區(qū)域；所述每個微帶輻射區(qū)(2)內(nèi)設(shè)有多個獨立的二分之一波長的微帶單元；所述每個微帶單元兩端寬中間窄呈啞鈴狀；所述多個獨立的二分之一波長微帶單元分為一個第一微帶單元(41)、兩個第二微帶單元(42)、兩個第三微帶單元(43)、兩個第四微帶單元(44)以及一個第五微帶單元(45); 所述第一微帶單元(41)設(shè)于靠近微帶下弧邊(22)的一側(cè)，第五微帶單元(45)設(shè)于靠近微帶上弧邊(21)的一側(cè)，所述兩個第二微帶單元(42)分別設(shè)于第一微帶單元(41)的上方的兩側(cè)且在同一水平線上，所述兩個第三微帶單元(43)分別設(shè)于兩個第二微帶單元(42)的上方的兩側(cè)且在同一水平線上，所述兩個第四微帶單元(44)分別設(shè)于第三微帶單元(43)的上方且在同一水平線上；所述第一微帶單元(41)的一端與一個第二微帶單元(42)的一端電連接，所述第一微帶單元(41)的另一端與另一個第二微帶單元(42)的一端電連接，所述一個第二微帶單元(42)的另一端與一個第三微帶單元(43)的一端電連接，所述另一個第二微帶單元(42)的另一端與另一個第三微帶單元(43)的一端電連接，所述一個第三微帶單元(43)的另一端與一個第四微帶單元(44)的一端連接，所述另一個第三微帶單元(43)的另一端與另一個第四微帶單元(44)的一端連接，所述一個第四微帶單元(44)的另一端和另一個第四微帶單元(44)的另一端分別與第五微帶單元(45)的兩端電連接； 所述每個微帶單元的中間設(shè)有一兩頭為弧形中間為矩形的通孔(6);所述通孔(6)內(nèi)填充有二氧化娃半導體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高增益天線，其特征在于:還包括兩條微帶饋電線；所述微帶饋電線的一端與對應(yīng)的微帶輻射區(qū)(2)的第一微帶單元(41)電連接，另一端與主PCB板(I)上的對應(yīng)的過孔(31)電連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高增益天線，其特征在于:所述每個微帶單元的導電層厚度為0.5mm-1.5mm之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種高增益天線，其特征在于:所述微帶饋電線包括有一個N字形的N形隔離部(32)以及從N形隔離部(32)—端延伸出的連接部(33);所述N形隔離部(32)的另一端與過孔(31)電連接；所述兩個N形隔離部(32)的拱處均向外。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高增益天線，其特征在于:所述第三微帶單元(43)與第四微帶單元(44)之間還設(shè)有一 T字形的微帶T形隔離部(5)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高增益天線，其特征在于:所述微帶上弧邊(21)的弧度角 α I 為 90。-120°。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高增益天線，其特征在于:所述主PCB板(I)的邊緣設(shè)有一圈微帶隔離環(huán)線(11)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高增益天線，其特征在于:所述主PCB板(I)的上下兩側(cè)設(shè)有鋸齒狀的微帶隔離齒線(12)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高增益天線，其特征在于:所述主PCB的微帶輻射區(qū)(2)的上部和下部均設(shè)有兩段在同一水平線上的微帶隔離直線(13)，所述兩段微帶直線的靠近的兩端設(shè)有隔離微帶電容。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高增益天線，其特征在于:所述微帶單元的中間部分的邊緣呈鋸齒狀。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種高增益天線；通過設(shè)置反射板以及設(shè)于反射板上的多個單極性微帶振子；所述單極性微帶振子，包括有主PCB板，所述主PCB板上對稱設(shè)置有兩個微帶輻射區(qū)；所述每個微帶輻射區(qū)包括有微帶上弧邊以及微帶下弧邊，所述微帶上弧邊和微帶下弧邊閉合形成一個封閉的區(qū)域；所述每個微帶輻射區(qū)內(nèi)設(shè)有多個獨立的二分之一波長的微帶單元；其在800MHz至950MHz頻段均表現(xiàn)出優(yōu)良的通信電氣參數(shù)性能，具體的，單個輻射單元最低頻點前后比均大于31dB，在950MHz,單個輻射單元最低頻點前后比均為36dB；而低頻點增益均大于9.35dBi,頻帶內(nèi)平均增益大于9.8dBi。
【IPC分類】H01Q21-00, H01Q1-50, H01Q1-38, H01Q19-10, H01Q1-52
【公開號】CN104701615
【申請?zhí)枴緾N201510129931
【發(fā)明人】鄺嘉豪
【申請人】鄺嘉豪
【公開日】2015年6月10日
【申請日】2015年3月24日