br>[0236]201常導(dǎo)通型的GaN類的異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管
[0237]202常截止型的Si類的MOS型的場(chǎng)效應(yīng)晶體管
[0238]501、502、504、505、601、602、605、606、701、702 缺口
[0239]503、506、603、604、607、608 開(kāi)口
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，包括: 設(shè)置在有源區(qū)域上的源極電極(38、88、138); 設(shè)置在所述有源區(qū)域上的漏極電極(37、87、137);和 設(shè)置在所述源極電極(38、88、138)與所述漏極電極(37、87、137)之間的柵極電極(13、63.113)， 所場(chǎng)效應(yīng)晶體管還包括源極電極焊盤(pán)(16、66、116)和漏極電極焊盤(pán)(15、65、115)中的至少一方，所述源極電極焊盤(pán)(16、66、116)形成在所述源極電極(38、88、138)上并且與所述源極電極(38、88、138)電連接，所述漏極電極焊盤(pán)(15、65、115)形成在所述漏極電極(37、87、137)上并且與所述漏極電極(37、87、137)電連接， 所述源極電極焊盤(pán)(16、66、116)具有使其與所述漏極電極(37、87、137)之間的寄生電容減少的缺口 (504、505、605、606、702)， 所述漏極電極焊盤(pán)(15、65、115)具有使其與所述源極電極(38、88、138)之間的寄生電容減少的缺口(501、502、601、602、701)。
2.一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，包括: 設(shè)置在有源區(qū)域上的源極電極(38、88、138); 設(shè)置在所述有源區(qū)域上的漏極電極(37、87、137); 設(shè)置在所述源極電極(38、88、138)與所述漏極電極(37、87、137)之間的柵極電極(13、63.113)； 形成在所述源極電極(38、88、138)上并且與所述源極電極(38、88、138)電連接的源極電極焊盤(pán)(16、66、116);和 形成在所述漏極電極(37、87、137)上并且與所述漏極電極(37、87、137)電連接的漏極電極焊盤(pán)(15、65、115)， 所述源極電極(38、88、138)和漏極電極(37、87、137)呈指狀延伸， 所述源極電極(38、88、138)以在與作為所述漏極電極(37、87、137)呈指狀延伸的方向的長(zhǎng)度方向交叉的方向上與所述漏極電極(37、87、137)相鄰的方式形成，并且在所述長(zhǎng)度方向上延伸， 所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管包括在所述漏極電極(37、87、137)、源極電極(38、88、138)和柵極電極(13、63、113)上形成的絕緣層(8、58、108)， 所述源極電極焊盤(pán)(16、66、116)中，覆蓋所述漏極電極(37、87、137)的區(qū)域的面積小于覆蓋所述源極電極(38、88、138)的區(qū)域的面積， 所述漏極電極焊盤(pán)(15、65、115)中，覆蓋所述源極電極(38、88、138)的區(qū)域的面積小于覆蓋所述漏極電極(37、87、137)的區(qū)域的面積。
3.如權(quán)利要求2所述的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于: 包括具有異質(zhì)結(jié)的GaN類層疊體(2、3、52、53、102、103)， 所述指狀的源極電極(38、88、138)、所述指狀的漏極電極(37、87、137)和所述絕緣層(8、58、108)形成在所述 GaN 類層疊體(2、3、52、53、102、103)上， 所述漏極電極焊盤(pán)(15、65、115)經(jīng)由形成于所述絕緣層(8、58、108)的通孔(24、74、124)與所述漏極電極(37、87、137)電連接， 所述源極電極焊盤(pán)(16、66、116)經(jīng)由形成于所述絕緣層(8、58、108)的通孔(30、81、130)與所述源極電極(38、88、138)電連接。
4.如權(quán)利要求2或3所述的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于: 所述指狀的漏極電極(87)和所述指狀的源極電極(88)在與所述長(zhǎng)度方向交叉的方向上交替地排列有多個(gè)， 所述漏極電極焊盤(pán)￠5)具有: 用于接合的接合部(71)； 沿所述漏極電極(87)在長(zhǎng)度方向上延伸的多個(gè)長(zhǎng)度方向部(72);和在與所述長(zhǎng)度方向交叉的方向上延伸且與所述多個(gè)長(zhǎng)度方向部(72)相連的連結(jié)部(73A、73B、75A、75B)， 所述連結(jié)部(73A、73B、75A、75B)中，與所述接合部(71)隔開(kāi)第一距離的第一部分(73A-1、73B-1、75A-1、75B-1)的面積，大于與所述接合部(71)隔開(kāi)比所述第一距離長(zhǎng)的第二距離的第二部分(73A-2、75A-2、73B-2、75B-2)的面積。
5.如權(quán)利要求2至4中任一項(xiàng)所述的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于: 所述指狀的漏極電極(87)和所述指狀的源極電極(88)在與所述長(zhǎng)度方向交叉的方向上交替地排列有多個(gè)， 所述源極電極焊盤(pán)￠6)具有: 用于接合的接合部(77)； 沿所述源極電極(88)在長(zhǎng)度方向上延伸的多個(gè)長(zhǎng)度方向部(76);和在與所述長(zhǎng)度方向交叉的方向上延伸且與所述多個(gè)長(zhǎng)度方向部(76)相連的連結(jié)部(79A、80A、79B、80B)， 所述連結(jié)部(79A、80A、79B、80B)中，與所述接合部(77)隔開(kāi)第一距離的第一部分(79A-1、80A-1、79B-1、80B-1)的面積，大于與所述接合部(77)隔開(kāi)比所述第一距離長(zhǎng)的第二距離的第二部分(79A-2、79B-2、80A-2、80B-2)的面積。
6.如權(quán)利要求2至5中任一項(xiàng)所述的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于: 所述指狀的漏極電極(37、87、137)和所述指狀的源極電極(38、88、138)在與所述長(zhǎng)度方向交叉的方向上交替地排列有多個(gè)， 所述漏極電極焊盤(pán)(15、65、115)具有: 用于接合的接合部(21、71、123)； 沿所述漏極電極(37、87、137)在長(zhǎng)度方向上延伸的多個(gè)長(zhǎng)度方向部(22、72、122、123);和 在與所述長(zhǎng)度方向交叉的方向上延伸且與所述多個(gè)長(zhǎng)度方向部(22、72、122)相連，并且到達(dá)所述接合部(21、71、123)的連結(jié)部(23、25、75A、75B、125)， 所述接合部(21、71、123)配置在所述漏極電極焊盤(pán)(15、65、115)的大致中央。
7.如權(quán)利要求2至6中任一項(xiàng)所述的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于: 所述指狀的漏極電極(37、87、137)和所述指狀的源極電極(38、88、138)在與所述長(zhǎng)度方向交叉的方向上交替地排列有多個(gè)， 所述源極電極焊盤(pán)(16、66、116)具有: 用于接合的接合部(27、77、127)； 沿所述源極電極(38、88、138)在長(zhǎng)度方向上延伸的多個(gè)長(zhǎng)度方向部(26、76、126、127);和 在與所述長(zhǎng)度方向交叉的方向上延伸且與所述多個(gè)長(zhǎng)度方向部(26、76、126)相連，并且到達(dá)所述接合部(27、77、127)的連結(jié)部(28、29、80A、80B、128)， 所述接合部(27、77、127)配置在所述源極電極焊盤(pán)(16、66、116)的大致中央。
8.如權(quán)利要求2至7中任一項(xiàng)所述的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于: 用于將所述漏極電極焊盤(pán)(15、65)與所述漏極電極(37、87)電連接的通孔(24、74)，形成在所述絕緣層(8、58)中的與所述漏極電極焊盤(pán)(15、65)的長(zhǎng)度方向上的兩端部(22A、22B、72A、72B)對(duì)應(yīng)的部位。
9.如權(quán)利要求2至8中任一項(xiàng)所述的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于: 用于將所述源極電極焊盤(pán)(16、66)與所述源極電極(38、88)電連接的通孔(30、81)，形成在所述絕緣層(8、58)中的與所述源極電極焊盤(pán)(16、66)的長(zhǎng)度方向上的兩端部(26A、26B、76A、76B)對(duì)應(yīng)的部位。
10.如權(quán)利要求4所述的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于: 所述漏極電極焊盤(pán)(65)的連結(jié)部(73A、73B、75A、75B)包括: 與所述多個(gè)長(zhǎng)度方向部(72)相連的第一連結(jié)部(73B、75B);和第二連結(jié)部(73A、75A)，其與所述多個(gè)長(zhǎng)度方向部(72)相連，并且，所述第二連結(jié)部(73A、75A)與所述漏極電極(37、87、137)的長(zhǎng)度方向上的中央之間的長(zhǎng)度方向上的距離，比所述第一連結(jié)部(73B、75B)與所述漏極電極(37、87、137)的長(zhǎng)度方向上的中央之間的長(zhǎng)度方向上的距離長(zhǎng)， 所述第一連結(jié)部(73B、75B)的面積大于所述第二連結(jié)部(73A、75A)的面積。
11.如權(quán)利要求5所述的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于: 所述源極電極焊盤(pán)(66)的連結(jié)部(79A、80A、79B、80B)包括: 與所述多個(gè)長(zhǎng)度方向部(76)相連的第一連結(jié)部(79B、80B);和第二連結(jié)部(79A、80A)，其與所述多個(gè)長(zhǎng)度方向部(76)相連，并且，所述第二連結(jié)部(79A、80A)與所述源極電極(88)的長(zhǎng)度方向上的中央之間的長(zhǎng)度方向上的距離，比所述第一連結(jié)部(79B、80B)與所述源極電極(88)的長(zhǎng)度方向上的中央之間的長(zhǎng)度方向上的距離長(zhǎng)， 所述第一連結(jié)部(79B、80B)的面積大于所述第二連結(jié)部(79A、80A)的面積。
12.—種級(jí)聯(lián)連接電路，其特征在于: 包括權(quán)利要求1至11中任一項(xiàng)所述的場(chǎng)效應(yīng)晶體管， 所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管為常導(dǎo)通型的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(201)， 所述級(jí)聯(lián)連接電路還包括漏極與所述常導(dǎo)通型的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(201)的源極電連接的常截止型的硅類的MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(202)， 所述常導(dǎo)通型的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(201)的柵極與所述常截止型的硅類的MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(202)的源極電連接，通過(guò)對(duì)所述常截止型的硅類的MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(202)的柵極施加控制電壓而進(jìn)行導(dǎo)通截止控制。
【專利摘要】場(chǎng)效應(yīng)晶體管包括形成在源極電極(38)上并且與源極電極(38)電連接的源極電極焊盤(pán)(16)和形成在漏極電極(37)上并且與漏極電極(37)電連接的漏極電極焊盤(pán)(15)中的至少一方，源極電極焊盤(pán)(16)具有使其與漏極電極(37)之間的寄生電容減少的缺口(504、505)，漏極電極焊盤(pán)(15、65、115)具有使其與源極電極(38、88、138)之間的寄生電容減少的缺口(501、502)。
【IPC分類】H01L27-088, H01L29-417, H01L29-41, H01L21-338, H01L21-8236, H01L21-336, H01L29-778, H01L27-04, H01L29-78, H01L29-812, H01L21-28, H01L21-822
【公開(kāi)號(hào)】CN104704616
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201380052563
【發(fā)明人】鈴木貴光, 安藤隆彥, 森下敏
【申請(qǐng)人】夏普株式會(huì)社
【公開(kāi)日】2015年6月10日
【申請(qǐng)日】2013年10月2日
【公告號(hào)】WO2014073295A1