基板裝置及其制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及基板裝置及其制造方法，特別是，涉及基板裝置所具備的導電性圖案的形成技術。
【背景技術】
[0002]在TFT(Thin Film TranSistor，薄膜晶體管)面板的制造中，一般來說，在數(shù)據(jù)配線/端子部配線上層疊較厚的絕緣性保護膜(一般是有機樹脂膜)后，還在上層形成導電性膜(透明電極膜)的圖案。
[0003]圖20示出通過包含如上述這樣的成膜/圖案形成工序的制造方法理應制造出的理想的TFT面板300的截面圖。另外，圖21示出從正上方俯視TFT面板300時的概要圖，圖22是將TFT面板300在圖21的A-B處截斷時的截面圖，可知多個數(shù)據(jù)配線/端子部配線7之間電絕緣。如圖20?圖22所示，理想的是，TFT面板300的多個數(shù)據(jù)配線/端子部配線7之間電絕緣。
[0004]但是，實際上，在與理想的TFT面板300具備相同構成的現(xiàn)有的TFT面板中，在數(shù)據(jù)配線/端子部配線7上層疊較厚的絕緣性保護膜8然后在上層形成透明電極膜9的圖案時，在數(shù)據(jù)配線/端子部配線7之間有形成電流泄漏路徑的傾向。
[0005]圖23?圖25與示出理想的TFT面板的狀態(tài)的圖20?圖22分別對應，而示出通過層疊較厚的絕緣性保護膜8來實施的TFT陣列工序實際制造的現(xiàn)有的TFT面板200的一例。圖23示出TFT面板200的截面圖。另外，圖24示出從正上方俯視TFT面板200時的概要圖，圖25是將TFT面板200在圖24的A-B處截斷時的截面圖。
[0006]如圖23?圖25所示，當在數(shù)據(jù)配線/端子部配線7上層疊較厚的絕緣性保護膜8時，沿著絕緣性保護膜8的圖案邊緣81，有殘留透明電極膜殘余物91的傾向。并且，在未被絕緣性保護膜8覆蓋的多個數(shù)據(jù)配線/端子部配線7之間存在透明電極膜殘余物91的情況下，透明電極膜殘余物91會形成電流泄漏回路，而在多個數(shù)據(jù)配線/端子部配線7之間發(fā)生電短路。
[0007]圖26?圖28是示出沿著絕緣性保護膜8的圖案邊緣81在多個數(shù)據(jù)配線/端子部配線7之間產(chǎn)生透明電極膜殘余物91的原因的圖。圖26示出在較厚的絕緣性保護膜8上剛剛形成透明電極膜90之后的截面圖，圖27示出在圖26所示的狀態(tài)之后還在透明電極膜90上涂布了抗蝕劑的狀態(tài)的截面圖。另外，圖28是示出所涂布的抗蝕劑的殘滓沿著絕緣性保護膜8的圖案邊緣存在的情況的截面圖。
[0008]如圖26所示，在絕緣性保護膜8的圖案邊緣81形成透明電極膜90時，沿著高度方向H的部位的膜厚有形成得較大的傾向。在該高度方向H的膜厚較大的情況下，即使通過進行圖案蝕刻，也無法將數(shù)據(jù)配線/端子部配線7間的多余的透明電極膜90完全除去，由于這一原因，在圖案蝕刻后會產(chǎn)生透明電極膜殘余物91。
[0009]或者，如圖27所示，在形成透明電極膜圖案的光刻工序中，所涂布的抗蝕劑與透明電極膜90同樣是沿著絕緣性保護膜8的高度方向變厚。因此，如圖28所示，曝光會不充分，而在顯影后產(chǎn)生抗蝕劑殘滓。由于上述抗蝕劑殘滓部分的原因，在蝕刻后會產(chǎn)生透明電極膜殘余物91。
[0010]使用圖26說明的理由和使用圖27和圖28說明的理由會導致發(fā)生如下事態(tài):在未被絕緣性保護膜8覆蓋的多個數(shù)據(jù)配線/端子部配線7之間，透明電極膜殘余物91形成電流泄漏回路。
[0011]至此，使用頂柵結構的TFT面板說明了沿著絕緣性保護膜8的圖案邊緣81產(chǎn)生的透明電極膜殘余物91和透明電極膜殘余物91所導致的數(shù)據(jù)配線/端子部配線7之間的電流泄漏路徑的形成。
[0012]但是，沿著絕緣性保護膜8的圖案邊緣81產(chǎn)生的透明電極膜殘余物91和透明電極膜殘余物91所導致的數(shù)據(jù)配線/端子部配線7之間電流泄漏路徑的形成的問題并非僅涉及頂柵結構的TFT面板。
[0013]圖19是示出理想的底柵結構的TFT面板400的結構的截面圖。
[0014]從TFT面板400中的絕緣性保護膜8的形狀也可知，在底柵結構的TFT面板400中，沿著絕緣性保護膜8的圖案邊緣81，也有產(chǎn)生透明電極膜殘余物91的傾向。即，透明電極膜殘余物91的產(chǎn)生和透明電極膜殘余物91所導致的數(shù)據(jù)配線/端子部配線7之間的電流泄漏路徑的形成，在底柵結構的TFT面板中也是問題。
[0015]因此，已進行用于即使在將絕緣性保護膜堆積得較厚時也會防止多個數(shù)據(jù)配線/端子部配線之間的電短路的各種嘗試。
[0016]在下面列舉的專利文獻I中公開了如下技術:通過將安裝端子間的層間絕緣膜的端部設為凸形狀，來抑制圖案邊緣部分的像素電極材料殘滓，防止安裝端子間的短路。
[0017]另外，在專利文獻2中公開了如下技術:對于用于形成層間絕緣膜的光掩模，在將曝光機的照射光遮蔽的遮光部圖案與使照射光通過的開口部圖案之間設置具有比曝光機的分辨率小的間距的邊界部圖案。通過使用上述光掩模，來使絕緣膜端部的傾斜角平緩，在柵極絕緣膜的端部，防止像素電極的殘滓所導致的相鄰安裝端子間的電短路。
[0018]而且，在專利文獻3中公開了如下基板裝置:其具備圖案膜，該圖案膜形成在基板上，具有側面部并且由單層構成，該側面部形成為相對于基板的表面具有多個傾斜角度或者形成為臺階狀。
_9] 現(xiàn)有技術文獻
[0020]專利文獻
[0021]專利文獻1:日本公開專利公報“特開平11-24101號公報(1999年I月29日公開)，，
[0022]專利文獻2:日本公開專利公報“特開平11-153809號公報(1999年6月8日公開)，，
[0023]專利文獻3:日本公開專利公報“特開2009-128761號公報(2009年6月11日公開)，，

【發(fā)明內容】

[0024]發(fā)明要解決的問題
[0025]然而，在如上所述的現(xiàn)有技術中，有不能實現(xiàn)可靠的電流泄漏路徑的切斷的問題。
[0026]S卩，在專利文獻I的技術中，有機絕緣膜上的圖案是通過光刻技術形成的，因此，有如下問題:在使有機絕緣膜較厚的情況下，難以準確地分辨圖案，凸型的形狀有可能走樣。即，專利文獻I所公開的在有機絕緣膜的圖案邊緣形成凸形狀的方法是利用上部電極的膜容易殘留于圖案邊緣的凹部分而不易殘留于凸部分這一傾向來降低產(chǎn)生導電性膜殘余物的概率，并不是可靠地將電流泄漏路徑切斷。
[0027]另外，專利文獻2所公開的技術是通過利用設置了具有比曝光機的分辨率小的間距的邊界部圖案的光掩模，使層間絕緣材料膜的蝕刻的輪廓再現(xiàn)精度變差，使絕緣膜端部的傾斜角平緩。并且，通過使絕緣膜端部的傾斜角平緩，抑制在層間絕緣膜端部的附近產(chǎn)生抗蝕劑殘滓。然而，雖然通過上述光掩模，很可能可以抑制輪廓再現(xiàn)精度，緩和絕緣膜端部的傾斜角，抑制產(chǎn)生抗蝕劑殘滓，并且抑制產(chǎn)生像素電極的殘滓，但電流泄漏路徑的切斷的可靠性不詳。
[0028]而且，在專利文獻3所述的發(fā)明中，圖案膜的側面部所形成的多個傾斜角度或者臺階也并非能可靠地抑制產(chǎn)生膜殘滓。
[0029]本發(fā)明是鑒于上述的問題而完成的，其目的在于，即使是在數(shù)據(jù)配線間產(chǎn)生了導電性膜殘余物的情況下，也能可靠地切斷電流泄漏路徑。
[0030]用于解決問題的方案
[0031]為了解決上述的問題，本發(fā)明的一方式所涉及的基板裝置包含:第I絕緣膜；多條配線，其在上述第I絕緣膜的表面上以規(guī)定的間隔相鄰地延伸；第2絕緣膜，其以將上述多條配線的各全長的一部分一并覆蓋的方式設置，從而在上述多條配線上形成有法面；以及導電性圖案，其形成在上述第2絕緣膜的表面上，上述基板裝置的特征在于，在上述第I絕緣膜的上述表面，在與上述第2絕緣膜的上述法面相應的位置中的(I)與上述多條配線中的相鄰地延伸的2條配線中的至少一方相應的位置或者(2)上述多條配線中的相鄰地延伸的2條配線之間的位置形成有開口部。
[0032]為了解決上述的問題，本發(fā)明的一方式所涉及的基板裝置的制造方法是如下基板裝置的制造方法，上述基板裝置包含:第I絕緣膜；多條配線，其在上述第I絕緣膜的表面上以規(guī)定的間隔相鄰地延伸；第2絕緣膜，其以將上述多條配線的各全長的一部分一并覆蓋的方式設置，從而在上述多條配線上形成有法面；以及導電性圖案，其形成在上述第2絕緣膜的表面上，上述基板裝置的制造方法的特征在于，包含:開口步驟，在上述第I絕緣膜的上述表面，在與上述第2絕緣膜的上述法面相應的位置中的(I)與上述多條配線中的相鄰地延伸的2條配線中的至少一方相應的位置或者(2)上述多條配線中的相鄰地延伸的2條配線之間的位置形成開口部；配線形成步驟，在上述第I絕緣膜上，形成以規(guī)定的間隔相鄰地延伸的多條配線；以及第2絕緣膜形成步驟，以使得上述第2絕緣膜將上述多條配線的各全長的一部分一并覆蓋，在上述多條配線上形成上述第2絕緣膜的法面且該法面也形成在上述開口部內的方式，形成上述第2絕緣膜。
[0033]發(fā)明效果
[0034]根據(jù)本發(fā)明的一方式，取得如下效果:使得沿著上述第2絕緣膜的上述法面產(chǎn)生的上述配線間的上述殘滓向上述開口部的底部移動，因該殘滓而可能形成的上述配線間的電流泄漏路徑被上述開口部的臺階可靠地切斷。
【附圖說明】
[0035]圖1是示出本發(fā)明的一方式所涉及的基板裝置的截面圖，圖1的A-B與圖2的A-B對應。
[0036]圖2是從正上方俯視圖1所示的基板裝置時的概要圖，圖2的A-B與圖1的A-B對應，圖2的C-D與圖3的C-D對應。
[0037]圖3是將圖1所示的基板裝置在圖2的C-D處截斷時的截面圖。
[0038]圖4是關于圖1所示的基板裝置，示出沿著絕緣性保護膜的圖案邊緣產(chǎn)生的透明電極膜殘余物積存在層間絕緣膜開口部的底部的情況的截面圖。
[0039]圖5是關于圖1所示的基板裝置，示出利用層間絕緣膜開口部可靠地切斷了透明電極膜殘余物在數(shù)據(jù)配線/端子部配線之間形成的電流泄漏回路的情況的截面圖。
[0040]圖6是示出制造圖1所示的基板裝置的工序的一部分的流程圖。
[0041]圖7是不出圖6所不的制造工序的后續(xù)工序的流程圖。
[0042]圖8是不出圖7所不的制造工序的后續(xù)工序的流程圖。
[0043]圖9是示出本發(fā)明的另一方式所涉及的制造基板裝置的工序的一部分的流