發(fā)生變化；因此，被使用于自動頻率控制、掃描振蕩、調(diào)頻和調(diào)諧等用途；通常，雖然是采用硅的擴(kuò)散型二極管，但是也可采用合金擴(kuò)散型、外延結(jié)合型、雙重?cái)U(kuò)散型等特殊制作的二極管，因?yàn)檫@些二極管對于電壓而言，其靜電容量的變化率特別大；結(jié)電容隨反向電壓VR變化，取代可變電容，用作調(diào)諧回路、振蕩電路、鎖相環(huán)路，常用于電視機(jī)高頻頭的頻道轉(zhuǎn)換和調(diào)諧電路，多以硅材料制作； 對二極管的頻率倍增作用而言，有依靠變?nèi)荻O管的頻率倍增和依靠階躍(即急變)二極管的頻率倍增；頻率倍增用的變?nèi)荻O管稱為可變電抗器，可變電抗器雖然和自動頻率控制用的變?nèi)荻O管的工作原理相同，但電抗器的構(gòu)造卻能承受大功率；階躍二極管又被稱為階躍恢復(fù)二極管，從導(dǎo)通切換到關(guān)閉時(shí)的反向恢復(fù)時(shí)間trr短，因此，其特長是急速地變成關(guān)閉的轉(zhuǎn)移時(shí)間顯著地短；如果對階躍二極管施加正弦波，那么，因tt (轉(zhuǎn)移時(shí)間)短，所以輸出波形急驟地被夾斷，故能產(chǎn)生很多高頻諧波； 是代替穩(wěn)壓電子二極管的產(chǎn)品；被制作成為硅的擴(kuò)散型或合金型；是反向擊穿特性曲線急驟變化的二極管；作為控制電壓和標(biāo)準(zhǔn)電壓使用而制作的；二極管工作時(shí)的端電壓(又稱齊納電壓)從3V左右到150V，按每隔10%，能劃分成許多等級；在功率方面，也有從200mW至100W以上的產(chǎn)品；工作在反向擊穿狀態(tài)，硅材料制作，動態(tài)電阻RZ很小，一般為2CW型；將兩個(gè)互補(bǔ)二極管反向串接以減少溫度系數(shù)則為2DW型； ? PIN 型二極管(PIN D1de) 這是在P區(qū)和N區(qū)之間夾一層本征半導(dǎo)體(或低濃度雜質(zhì)的半導(dǎo)體)構(gòu)造的晶體二極管；PIN中的I是〃本征〃意義的英文略語；當(dāng)其工作頻率超過10MHz時(shí)，由于少數(shù)載流子的存貯效應(yīng)和"本征"層中的渡越時(shí)間效應(yīng)，其二極管失去整流作用而變成阻抗元件，并且，其阻抗值隨偏置電壓而改變；在零偏置或直流反向偏置時(shí)，"本征"區(qū)的阻抗很高；在直流正向偏置時(shí)，由于載流子注入〃本征〃區(qū)，而使〃本征〃區(qū)呈現(xiàn)出低阻抗?fàn)顟B(tài)；因此，可以把PIN 二極管作為可變阻抗元件使用；它常被應(yīng)用于高頻開關(guān)(即微波開關(guān))、移相、調(diào)制、限幅等電路中； 雪崩二極管它是在外加電壓作用下可以產(chǎn)生高頻振蕩的晶體管；產(chǎn)生高頻振蕩的工作原理是欒的:利用雪崩擊穿對晶體注入載流子，因載流子渡越晶片需要一定的時(shí)間，所以其電流滯后于電壓，出現(xiàn)延遲時(shí)間，若適當(dāng)?shù)乜刂贫稍綍r(shí)間，那么，在電流和電壓關(guān)系上就會出現(xiàn)負(fù)阻效應(yīng)，從而產(chǎn)生高頻振蕩；它常被應(yīng)用于微波領(lǐng)域的振蕩電路中； 它是以隧道效應(yīng)電流為主要電流分量的晶體二極管；其基底材料是砷化鎵和鍺；其戸型區(qū)的N型區(qū)是高摻雜的(即高濃度雜質(zhì)的)；隧道電流由這些簡并態(tài)半導(dǎo)體的量子力學(xué)效應(yīng)所產(chǎn)生；發(fā)生隧道效應(yīng)具備如下三個(gè)條件:①費(fèi)米能級位于導(dǎo)帶和滿帶內(nèi)；②空間電荷層寬度必須很窄(0.01微米以下);簡并半導(dǎo)體P型區(qū)和N型區(qū)中的空穴和電子在同一能級上有交疊的可能性；江崎二極管為雙端子有源器件；其主要參數(shù)有峰谷電流比(IP/PV)，其中，下標(biāo)"P〃代表〃峰〃；而下標(biāo)"V〃代表〃谷〃；江崎二極管可以被應(yīng)用于低噪聲高頻放大器及高頻振蕩器中(其工作頻率可達(dá)毫米波段)，也可以被應(yīng)用于高速開關(guān)電路中； 快速關(guān)斷(階躍恢復(fù))它也是一種具有PN結(jié)的二極管；其結(jié)構(gòu)上的特點(diǎn)是:在PN結(jié)邊界處具有陡峭的雜質(zhì)分布區(qū)，從而形成"自助電場"；由于PN結(jié)在正向偏壓下，以少數(shù)載流子導(dǎo)電，并在PN結(jié)附近具有電荷存貯效應(yīng)，使其反向電流需要經(jīng)歷一個(gè)"存貯時(shí)間"后才能降至最小值(反向飽和電流值)；階躍恢復(fù)二極管的"自助電場"縮短了存貯時(shí)間，使反向電流快速截止，并產(chǎn)生豐富的諧波分量；利用這些諧波分量可設(shè)計(jì)出梳狀頻譜發(fā)生電路；快速關(guān)斷(階躍恢復(fù))二極管用于脈沖和高次諧波電路中； 肖特基二極管；二極管電路它是具有肖特基特性的"金屬半導(dǎo)體結(jié)"的二極管；其正向起始電壓較低；其金屬層除材料外，還可以采用金、鑰、鎳、鈦等材料；其半導(dǎo)體材料采用硅或砷化鎵，多為N型半導(dǎo)體；這種器件是由多數(shù)載流子導(dǎo)電的，所以，其反向飽和電流較以少數(shù)載流子導(dǎo)電的PN結(jié)大得多；由于肖特基二極管中少數(shù)載流子的存貯效應(yīng)甚微，所以其頻率響僅為RC時(shí)間常數(shù)限制，因而，它是高頻和快速開關(guān)的理想器件；其工作頻率可達(dá)10GHz ;并且，MIS (金屬一絕緣體一半導(dǎo)體)肖特基二極管可以用來制作太陽能電池或發(fā)光二極管。
2.全新光敏高溫熔體壓力傳感器接收LED晶片阻尼二極管具有較高的反向工作電壓和峰值電流，正向壓降小，高頻高壓整流二極管，用在電視機(jī)行掃描電路作阻尼和升壓整流用； 瞬變電壓抑制二極管TVP管，對電路進(jìn)行快速過壓保護(hù)，分雙極型和單極型兩種，按峰值功率(500W — 5000W)和電壓(8.2V?200V)分類； 雙基極二極管(單結(jié)晶體管) 兩個(gè)基極，一個(gè)發(fā)射極的三端負(fù)阻器件，用于張馳振蕩電路，定時(shí)電壓讀出電路中，它具有頻率易調(diào)、溫度穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)； 用磷化鎵、磷砷化鎵材料制成，體積小，正向驅(qū)動發(fā)光；工作電壓低，工作電流小，發(fā)光均勻、壽命長、可發(fā)紅、黃、綠、藍(lán)單色光；隨著技術(shù)的進(jìn)步，近來研制成了白光高亮二極管，形成了 LED照明這一新興產(chǎn)業(yè)； 硅功率開關(guān)二極管 硅功率開關(guān)二極管具有高速導(dǎo)通與截止的能力；它主要用于大功率開關(guān)或穩(wěn)壓電路、直流變換器、高速電機(jī)調(diào)速及在驅(qū)動電路中作高頻整流及續(xù)流箝拉，具有恢復(fù)特性軟、過載能力強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)、廣泛用于計(jì)算機(jī)、雷達(dá)電源、步進(jìn)電機(jī)調(diào)速等方面。
3.全新光敏高溫熔體壓力傳感器接收LED晶片旋轉(zhuǎn)二極管主要用于無刷電機(jī)勵磁、也可作普通整流用； 特性分類點(diǎn)接觸型二極管，按正向和反向特性分類如下； 一般用點(diǎn)接觸型二極管 這種二極管正如標(biāo)題所說的那樣，通常被使用于檢波和整流電路中，是正向和反向特性既不特別好，也不特別壞的中間產(chǎn)品；如:SD34、SD46、1N34A等等屬于這一類； 高反向耐壓點(diǎn)接觸型二極管是最大峰值反向電壓和最大直流反向電壓很高的產(chǎn)品；使用于高壓電路的檢波和整流；這種型號的二極管一般正向特性不太好或一般；在點(diǎn)接觸型鍺二極管中，有SD38、1N38A、OA81等等；這種鍺材料二極管，其耐壓受到限制；要求更高時(shí)有娃合金和擴(kuò)散型； 高反向電阻點(diǎn)接觸型二極管 正向電壓特性和一般用二極管相同；雖然其反方向耐壓也是特別地高，但反向電流小，因此其特長是反向電阻高；使用于高輸入電阻的電路和高阻負(fù)荷電阻的電路中，就鍺材料高反向電阻型二極管而言，SD54、1N54A等等屬于這類二極管。
4.全新光敏高溫熔體壓力傳感器接收LED晶片高傳導(dǎo)點(diǎn)接觸型二極管它與高反向電阻型相反；其反向特性盡管很差，但使正向電阻變得足夠?。粚Ω邆鲗?dǎo)點(diǎn)接觸型二極管而言，有SD56UN56A等等；對高傳導(dǎo)鍵型二極管而言，能夠得到更優(yōu)良的特性；這類二極管，在負(fù)荷電阻特別低的情況下，整流效率較高； 導(dǎo)電特性二極管最重要的特性就是單方向?qū)щ娦?；在電路中，電流只能從二極管的正極流入，負(fù)極流出； 在電子電路中，將二極管的正極接在高電位端，負(fù)極接在低電位端，二極管就會導(dǎo)通，這種連接方式，稱為正向偏置；必須說明，當(dāng)加在二極管兩端的正向電壓很小時(shí)，二極管仍然不能導(dǎo)通，流過二極管的正向電流十分微弱；只有當(dāng)正向電壓達(dá)到某一數(shù)值(這一數(shù)值稱為“門坎電壓”，又稱“死區(qū)電壓”，鍺管約為0.1V，硅管約為0.5V)以后，二極管才能直正導(dǎo)通；導(dǎo)通后二極管兩端的電壓基本上保持不變(鍺管約為0.3V，硅管約為0.7V)，稱為二極管的“正向壓降”。
5.識別小功率二極管的N極(負(fù)極)，在二極管外表大多采用一種色圈標(biāo)出來，有些二極管也用二極管專用符號來表示P極(正極)或N極(負(fù)極)，也有采用符號標(biāo)志為“P”、“N”來確定二極管極性的；發(fā)光二極管的正負(fù)極可從引腳長短來識別，長腳為正，短腳為負(fù)；用數(shù)字式萬用表去測二極管時(shí)，紅表筆接二極管的正極，黑表筆接二極管的負(fù)極，此時(shí)測得的阻值才是二極管的正向?qū)ㄗ柚?，這與指針式萬用表的表筆接法剛好相反； 二極管應(yīng)該算是半導(dǎo)體器件家族中的元老了 ；很久以前，人們熱衷于裝配一種礦石收音機(jī)來收聽無線電廣播，這種礦石后來就被做成了晶體二極管； 按發(fā)光管發(fā)光顏色分，可分成紅色、橙色、綠色(又細(xì)分黃綠、標(biāo)準(zhǔn)綠和純綠)、藍(lán)光等；另外，有的發(fā)光二極管中包含二種或三種顏色的芯片；根據(jù)發(fā)光二極管出光處摻或不摻散射劑、有色還是無色，上述各種顏色的發(fā)光二極管還可分成有色透明、無色透明、有色散射和無色散射四種類型；散射型發(fā)光二極管和達(dá)于做指示燈用。
6..全新光敏高溫熔體壓力傳感器接收LED晶片按發(fā)光管出光面特征分按發(fā)光管出光面特征分圓燈、方燈、矩形、面發(fā)光管、側(cè)向管、表面安裝用微型管等； 圓形燈按直徑分為Φ2_、Φ4.4mm、Φ 5mm、Φ 8mm> Φ 1mm及Φ 20mm等；國外通常把Φ3πιπι的發(fā)光二極管記作T-1 ;把；Φ5πιπι的記作Τ-1 (3/4);把Φ4.4mm的記作T-1 (1/4)；由半值角大小可以估計(jì)圓形發(fā)光強(qiáng)度角分布情況；從發(fā)光強(qiáng)度角分布文段來分有三類: 高指向性；一般為尖頭環(huán)氧封裝，或是帶金屬反射腔封裝，且不加散射劑；半值角為5° ^20°或更小，具有很高的指向性，可作局部照明光源用，或與光檢出器聯(lián)用以組成自動檢測系統(tǒng)； 標(biāo)準(zhǔn)型；通常作指示燈用，其半值角為20°?45° ； 散射型；這是視角較大的指示燈，半值角為45°或更大，散射劑的量較大； 命名方法二極管的型號命名規(guī)定由五個(gè)部分組成型號命名 關(guān)系二極管的正負(fù)二個(gè)端子；正端A稱為陽極，負(fù)端K ;稱為陰極；電流只能從陽極向陰極方向移動；一些初學(xué)者容易產(chǎn)生這樣一種錯(cuò)誤認(rèn)識:“半導(dǎo)體的一 ‘半’是一半的‘半’；而二極管也是只有一‘半’電流流動(這是錯(cuò)誤的)，所有二極管就是半導(dǎo)體其實(shí)二極管與半導(dǎo)體是完全不同的東西；我們只能說二極管是由半導(dǎo)體組成的器件；半導(dǎo)體無論那個(gè)方向都能流動電流。
7.全新光敏高溫熔體壓力傳感器接收LED晶片二極管、開關(guān)二極管、續(xù)流二極管)是由一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成的半導(dǎo)體器件，具有單向?qū)щ娞匦裕煌ㄟ^用萬用表檢測其正、反向電阻值，可以判別出二極管的電極，還可估測出二極管是否損壞；極性的判別將萬用表置于RX 100檔或RX Ik檔，兩表筆分別接二極管的兩個(gè)電極，測出一個(gè)結(jié)果后，對調(diào)兩表筆，再測出一個(gè)結(jié)果；兩次測量的結(jié)果中，有一次測量出的阻值較大(為反向電阻)，一次測量出的阻值較小(為正向電阻)；在阻值較小的一次測量中，黑表筆接的是二極管的正極，紅表筆接的是二極管的負(fù)極；單負(fù)導(dǎo)電性能的檢測及好壞的判斷通常，鍺材料二極管的正向電阻值為IkQ左右，反向電阻值為300左右；硅材料二極管的電阻值為5 kQ左右，反向電阻值為無窮大)；正向電阻越小越好，反向電阻越大越好；正、反向電阻值相差越懸殊，說明二極管的單向?qū)щ娞匦栽胶?；若測得二極管的正、反向電阻值均接近O或阻值較小，則說明該二極管內(nèi)部已擊穿短路或漏電損壞；若測得二極管的正、反向電阻值均為無窮大，則說明該二極管已開路損壞；反向擊穿電壓的檢測二極管反向擊穿電壓(耐壓值)可以用晶體管直流參數(shù)測試表測量；其方法是:測量二極管時(shí)，應(yīng)將測試表的“NPN/PNP”選擇鍵設(shè)置為NPN狀態(tài)，再將被測二極管的正極接測試表的“C”插孔內(nèi)，負(fù)極插入測試表的“e”插孔，然后按下“V(BR)”鍵，測試表即可指示出二極管的反向擊穿電壓值；也可用兆歐表和萬用表來測量二極管的反向擊穿電壓、測量時(shí)被測二極管的負(fù)極與兆歐表的正極相接，將二極管的正極與兆歐表的負(fù)極相連，同時(shí)用萬用表(置于合適的直流電壓檔)監(jiān)測二極管兩端的電壓；如文段4-71所示，搖動兆歐表手柄(應(yīng)由慢逐漸加快)，待二極管兩端電壓穩(wěn)定而不再上升時(shí)，此電壓值即是二極管的反向擊穿電壓。
【專利摘要】本發(fā)明全新光敏高溫熔體壓力傳感器接收LED晶片發(fā)光面是圓蓋形狀的，光分布是很特殊的，所以在不同的測量距離下，光強(qiáng)值會變化，偏離距離平方反比定律，即使固定了測量距離，但是由于接受器接受面積不同，其光強(qiáng)值也會變化。因此，為了提高測量精度，應(yīng)該把測量距離和接受面積大小相對地給予固定為好。例如，測量距離按照GIE推薦采用316mm，接受器面積固定為10×10mm。在同一測量距離下，LED轉(zhuǎn)角不同，其光強(qiáng)也相應(yīng)地有變化，因此為了獲得最佳值，最好讀出最大讀數(shù)Rt為佳。
【IPC分類】H01L33-00, H01L29-861
【公開號】CN104716235
【申請?zhí)枴緾N201310673764
【發(fā)明人】周曉蕾
【申請人】上海雷盤電子科技有限公司
【公開日】2015年6月17日
【申請日】2013年12月12日