速電壓為300V?800V，磁場為50G?200G，功率密度為lff/cm2?40W/cm2 ;所述陽極導電薄膜的材質為銦錫氧化物(ITO)、摻鋁的氧化鋅(AZO)或摻銦的氧化鋅(IZO);所述陽極導電薄膜的厚度為50nm?300nm。
[0030]優(yōu)選地，步驟(2)中制備所述發(fā)光層所采用的真空蒸鍍的工藝條件為:真空度為5X 10_5Pa?2X 10_3Pa,蒸鍍速率為0.lnm/s?lnm/s ;所述發(fā)光層的材質包括4- (二腈甲基)-2-丁基-6-( 1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二-β -亞萘基蒽(ADN)、4，4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I'-聯苯(BCzVBi )和8-羥基喹啉招(Alq3)中的至少一種；所述發(fā)光層的厚度為5nm?40nm。
[0031]優(yōu)選地，步驟(3)中制備所述陰極所采用的真空蒸鍍的工藝條件為:真空度為5 X 10_5Pa?2 X 10?,蒸鍍速率為lnm/s?10nm/s ;所述陰極的材質包括銀(Ag)、鋁(Al )、鉬(Pt)和金(Au)中的至少一種；所述陰極的的厚度為80nm?250nm。
[0032]優(yōu)選地，步驟(2)中所述有機發(fā)光功能層包括依次層疊設置在所述陽極導電薄膜表面的空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層和電子注入層；采用真空蒸鍍的方法制備所述空穴注入層、所述空穴傳輸層、所述電子傳輸層和所述電子注入層。
[0033]更優(yōu)選地，步驟(2)中制備所述空穴注入層所采用的真空蒸鍍的工藝條件為:真空度為5 X KT5Pa?2 X10_3Pa，蒸鍍速率為lnm/s?lOnm/s ;所述空穴注入層的材質包括三氧化鑰(Mo03)、三氧化鎢(WO3)和五氧化二釩(V2O5)中的至少一種；所述空穴注入層的厚度為20nm?80nm。
[0034]更優(yōu)選地，步驟(2)中制備所述空穴傳輸層所采用的真空蒸鍍的工藝條件為:真空度為5X10_5Pa?2X10_3Pa，蒸鍍速率為0.lnm/s?lnm/s ;所述空穴傳輸層的材質包括1，1_ 二 [4-[N，N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4，4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)和N，N’ - (1-萘基)州，N’ - 二苯基-4，4’ -聯苯二胺(NPB)中的至少一種；所述空穴傳輸層的厚度為20nm?60nm。
[0035]更優(yōu)選地，步驟(2)中制備所述電子傳輸層所采用的真空蒸鍍的工藝條件為:真空度為5X 10_5Pa?2X 10_3Pa，蒸鍍速率為0.lnm/s?lnm/s ;所述電子傳輸層的材質包括4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、1，2，4-三唑衍生物(如TAZ)和N-芳基苯并咪唑(TPBi)中的至少一種；所述電子傳輸層的厚度為40nm?250nm。
[0036]更優(yōu)選地，步驟(2 )中制備所述電子電子注入層所采用的真空蒸鍍的工藝條件為:真空度為5X 10_5Pa?2X 10_3Pa,蒸鍍速率為0.lnm/s?lnm/s ;所述電子注入層的材質包括氟化鋰(LiF)、氟化銫(CsF)、碳酸銫(Cs2CO3)和疊氮化銫(CsN3)中的至少一種；所述電子注入層的厚度為0.5nm?10nm。
[0037]與現有技術相比，本發(fā)明具有如下有益效果:
[0038]1、本發(fā)明提供的有機電致發(fā)光器件通過在發(fā)光層兩側分別設置電子阻擋層和空穴阻擋層，使電子和空穴有效地限制在發(fā)光層中，使電子和空穴的復合界面位于發(fā)光層中，防止了部分電子和空穴復合形成的激子的衰減，從而提高了有機電致發(fā)光器件的發(fā)光效率；
[0039]2、本發(fā)明提供的有機電致發(fā)光器件的電子阻擋層的材質包括有機硅小分子材料，有機硅小分子材料的LUMO能級較高，能在發(fā)光層與陽極間形成較大的電子注入勢壘，可阻擋電子穿越發(fā)光層向陽極傳輸，從而使電子被限制在發(fā)光層中，防止激子復合界面的改變，從而防止了部分激子的衰減，提高了有機電致發(fā)光器件的發(fā)光效率；
[0040]3、本發(fā)明提供的有機電致發(fā)光器件的空穴阻擋層的材質包括噻吩化合物和空穴摻雜客體材料，其中噻吩化合物的鏈段規(guī)整、有序，有利于光的散射，使向兩側的光散射回到中間，從而可以提高有機電致發(fā)光器件的出光效率；空穴摻雜客體材料的HOMO能級很低，能在發(fā)光層與陰極極間形成較大的空穴注入能量勢壘，可阻擋空穴穿越發(fā)光層到陰極一端，從而使空穴也被限制在發(fā)光層中，防止激子復合界面的改變，從而防止了部分激子的衰減，提高了有機電致發(fā)光器件的發(fā)光效率；
[0041]4、本發(fā)明提供的有機電致發(fā)光器件的制備方法工序簡單，提高了生產效率，降低了生產成本,適于工業(yè)化生產。
【附圖說明】
[0042]圖1是本發(fā)明實施例1中的有機電致發(fā)光器件的結構示意圖；
[0043]圖2是本發(fā)明實施例1中的有機電致發(fā)光器件的亮度與流明效率的關系圖。
【具體實施方式】
[0044]為了使本發(fā)明要解決的技術問題、技術方案及有益效果更加清楚明白，下面結合附圖與較佳實施例，對本發(fā)明作進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅用以解釋本發(fā)明，不用于限定本發(fā)明。
[0045]實施例1:
[0046]—種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟:
[0047]a)陽極導電薄膜的制作:將市售的普通玻璃用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個晚上，作為玻璃基底待用；采用磁控濺射的方法在處理后的玻璃基底表面制備陽極導電薄膜，工藝條件為:真空度為8X10_4Pa，加速電壓為700V，磁場為120G，功率密度為45W/cm2 ;陽極導電薄膜的材質為銦錫氧化物(ITO)，厚度為llOnm。
[0048]b)空穴注入層的制備:采用真空蒸鍍的方式在陽極導電薄膜層表面制備空穴注入層，工藝條件為:真空度為8X10_4Pa，蒸發(fā)速度為5nm/s ;空穴注入層的材質包括三氧化鑰(MoO3),厚度為 29nm。
[0049]c)空穴傳輸層的制備:采用真空蒸鍍的方式在空穴注入層的表面制備空穴傳輸層，工藝條件為:真空度為8X 10_4Pa，蒸發(fā)速度為0.2nm/s ;空穴傳輸層的材質包括N，N’ - (1-萘基)-N, N，- 二苯基-4，4，-聯苯二胺(NPB)，厚度為 52nm。
[0050]d)電子阻擋層的制備:采用熱阻蒸鍍的方式在空穴傳輸層的表面制備電子阻擋層，工藝條件為:真空度為8X 10_4Pa，蒸發(fā)速度為0.2nm/s ；電子阻擋層的材質包括p_ 二(三苯基硅)苯(UGH2)，厚度為5nm。
[0051]e)發(fā)光層的制備:采用真空蒸鍍的方式在電子阻擋層的表面制備發(fā)光層，工藝條件為:真空度為8X10_4Pa，蒸發(fā)速度為0.2nm/s ;發(fā)光層的材質包括8_羥基喹啉鋁(Alq3),厚度為17nm。
[0052]f)空穴阻擋層的制備:采用熱阻蒸鍍的方式在發(fā)光層的表面制備空穴阻擋層，工藝條件為:真空度為8X 10_4Pa，蒸發(fā)速度為0.2nm/s ;空穴阻擋層的材質包括3-己基噻吩(3HT)和4，4，4-三(萘基-1-苯基-銨)三苯胺(1T-NATA)，3-己基噻吩(3HT)和4，4，4-三(萘基-1-苯基-銨)三苯胺(IT-NATA)的質量比為6:1，厚度為15nm。
[0053]g)電子傳輸層的制備:采用真空蒸鍍的方式在空穴阻擋層的表面制備電子傳輸層，工藝條件為:真空度為8 X10_4Pa，蒸發(fā)速度為0.2nm/s ;電子傳輸層的材質包括N-芳基苯并咪唑(TPBi )，厚度為127nm。
[0054]h)電子注入層的制備:采用真空蒸鍍的方式在電子傳輸層的表面制備電子注入層，工藝條件為:真空度為8 X10_4Pa，蒸發(fā)速度為0.2nm/s ;電子注入層的材質包括碳酸銫(Cs2CO3),厚度為 2nm。
[0055]i)陰極的制備:真空蒸鍍的方式在電子注入層的表面制備陰極，工藝條件為:真空度為8X10_4Pa，蒸發(fā)速度為2nm/s ;陰極的材質包括銀(Ag)，厚度為95nm。
[0056]圖1為本實