例1的流明效率都比對比例的要大，實施例1的流明效率為5.991m/W，而對比例的僅為4.791m/W，而且對比例的流明效率隨著電流密度的增大而快速下降，這說明，電子注入層有利于提高電子傳輸速率，加強光的散射，提高光的反射，提聞電子注入效率，最終提聞發(fā)光效率。
[0069]以下各個實施例制備的有機電致發(fā)光器件的流明效率都與實施例1相類似，各有機電致發(fā)光器件也具有類似的流明效率，在下面不再贅述。
[0070]實施例2
[0071]本實施例制備結(jié)構(gòu)為玻璃/1Z0/W03/TCTA/Alq3/TPBi/PC71BM: Bphen: MgO/C70: Mg/Au的有機電致發(fā)光器件。
[0072]將市售的普通玻璃用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個晚上。在玻璃基底磁控濺射陽極層，材料為IZO，厚度為300nm。接著蒸鍍空穴注入層:材料為WO3，厚度為20nm ;蒸鍍空穴傳輸層:材料為TCTA，厚度為45nm ;蒸鍍發(fā)光層:所選材料為Alq3，厚度為40nm ;蒸鍍電子傳輸層，材料為TPBi，厚度為65nm ;然后蒸鍍制備電子注入層，電子注入層包括第一摻雜層及形成于第一摻雜層表面的第二摻雜層，第一摻雜層的材料包括PC71BM、Bphen及MgO，PC71BM、Bphen及MgO的質(zhì)量比為5:1: 1，采用熱阻蒸鍍，厚度為50nm。接著制備第二摻雜層，材料包括C7tl及Mg，C70及Mg的摻雜質(zhì)量比為6:1，采用熱阻蒸鍍，厚度為20nm。最后蒸鍍陰極，材料為Au，厚度為80nm;最后得到所需要的電致發(fā)光器件。制備的工作壓強為2X10_3Pa，有機材料的蒸鍍速率為lnm/s，金屬的蒸鍍速率為10nm/S，金屬化合物的蒸鍍速率為lnm/s。磁控濺射的加速電壓:300V，磁場約:50G，功率密度:40W/cm2。
[0073]實施例3
[0074]本實施例制備結(jié)構(gòu)為玻璃/AZ0/V205/TAPC/DCJTB/Bphen/C6Q: PBD: MgS/PC61BM: Ca/Al的有機電致發(fā)光器件。
[0075]將市售的普通玻璃用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個晚上。在玻璃基底磁控濺射陽極層，材料為AZ0，厚度為150nm。接著蒸鍍空穴注入層:材料為V2O5，厚度為55nm ;蒸鍍空穴傳輸層:材料為TAPC，厚度為60nm ;蒸鍍發(fā)光層:所選材料為DCJTB，厚度為13nm ;蒸鍍電子傳輸層,材料為Bphen,厚度為35nm ;然后制備電子注入層，電子注入層包括第一摻雜層及形成于第一摻雜層表面的第二摻雜層，第一摻雜層的材料包括C6(1、PBD及MgS，C6(l、PBD及MgS的質(zhì)量比為20:10:1，采用熱阻蒸鍍，厚度為20nm。接著制備第二摻雜層，材料包括PC61BM及Ca。PC61BM與Ca的質(zhì)量比為3:1，采用熱阻蒸鍍，厚度為80nm。最后制備陰極，材料為Al，厚度為250nm ;最后得到所需要的電致發(fā)光器件。制備的工作壓強為5X l(T5Pa,有機材料的蒸鍍速率為0.lnm/s,金屬的蒸鍍速率為lnm/s,金屬化合物的蒸鍍速率為lOnm/s。磁控濺射的加速電壓:800V，磁場約:200G，功率密度:lW/cm2。
[0076]實施例4
[0077]本實施例制備結(jié)構(gòu)為玻璃/1T0/Mo03/NPB/ADN/TAZ/C60: OXD-7: MgS/PC71BM: Yb/Pt的有機電致發(fā)光器件。
[0078]將市售的普通玻璃用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個晚上。在玻璃基底磁控濺射陽極層，材料為IT0，厚度為50nm。接著蒸鍍空穴注入層:材料為MoO3，厚度為80nm ;蒸鍍空穴傳輸層:材料為NPB，厚度為60nm ;蒸鍍發(fā)光層:材料為ADN，厚度為5nm ；蒸鍍電子傳輸層，材料為TAZ,厚度為200nm ;然后制備電子注入層，電子注入層包括第一摻雜層及形成于第一摻雜層表面的第二摻雜層，第一摻雜層的材料包括C6(1、0XD-7及MgS,C6(l、OXD-7及MgS的質(zhì)量比為8:4:1，采用熱阻蒸鍍，厚度為30nm。接著制備第二摻雜層，材料包括PC71BM及Yb,PC71BM與Yb的質(zhì)量比為3.5: 1，采用熱阻蒸鍍，厚度為70nm。最后蒸鍍陰極，材料為Pt，厚度為120nm;最后得到所需要的電致發(fā)光器件。制備的工作壓強為2X 10_4Pa，有機材料的蒸鍍速率為0.5nm/s，金屬的蒸鍍速率為6nm/s，金屬化合物的蒸鍍速率為3nm/S。磁控濺射的加速電壓:600V，磁場約:100G，功率密度:30W/cm2。
[0079]以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應當指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。因此，本發(fā)明專利的保護范圍應以所附權(quán)利要求為準。
【主權(quán)項】
1.一種有機電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的陽極導電基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述空穴注入層形成于所述陽極導電基底的陽極層表面，所述電子注入層包括層疊于所述電子傳輸層表面的第一摻雜層及層疊于所述第一摻雜層表面的第二摻雜層，所述第一摻雜層的材料包括富勒烯衍生物、電子傳輸材料及鎂的化合物，所述第二摻雜層的材料包括富勒烯衍生物及低功函數(shù)金屬，所述富勒烯衍生物為足球烯、碳70、[6，6]-苯基-061-丁酸甲酯或[6，6]-苯基-071-丁酸甲酯，所述電子傳輸材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉、2-(4’ -叔丁苯基)-5-(4’ -聯(lián)苯基)_1，3，4-惡二唑、2，9- 二甲基-4，7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲或2，2’ -(1，3-苯基)二[5- (4-叔丁基苯基)-1, 3，4-惡二唑]，所述鎂的化合物為氟化鎂、氧化鎂或硫化鎂，所述低功函數(shù)金屬為功函數(shù)為-2.0eV?-3.5eV的金屬。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一摻雜層的厚度為20nm?50nm,所述第二摻雜層的厚度為20nm?80nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一摻雜層中，所述富勒烯衍生物、所述電子傳輸材料及所述鎂的化合物的質(zhì)量比為5:1:1?20:10:1。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第二摻雜層中，所述富勒烯衍生物與所述低功函數(shù)金屬的質(zhì)量比為3:1?6:1。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述低功函數(shù)金屬為鎂、鍶、鈣或鐿。
6.一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 在陽極導電基底的陽極層表面依次蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層及電子傳輸層； 在所述電子傳輸層的表面蒸鍍制備電子注入層，所述電子注入層包括層疊于所述電子傳輸層表面的第一摻雜層及層疊于所述第一摻雜層表面的第二摻雜層，所述第一摻雜層的材料包括富勒烯衍生物、電子傳輸材料及鎂的化合物，所述第二摻雜層的材料包括富勒烯衍生物及低功函數(shù)金屬，所述富勒烯衍生物為足球烯、碳70、[6，6]-苯基-C61-丁酸甲酯或[6，6]-苯基-C71- 丁酸甲酯，所述電子傳輸材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉、2-(4’ -叔丁苯基)-5_(4’ -聯(lián)苯基)-1，3, 4-惡二唑、2，9- 二甲基-4，7-聯(lián)苯_1，10-鄰二氣雜菲或2，2’-(1，3-苯基)二 [5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-惡二唑]，所述鎂的化合物為氟化鎂、氧化鎂或硫化鎂，所述低功函數(shù)金屬為功函數(shù)為-2.0eV?-3.5eV的金屬；及 在所述第二摻雜層的表面蒸鍍制備陰極。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述第一摻雜層的厚度為20nm?50nm,所述第二摻雜層的厚度為20nm?80nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述第一摻雜層中，所述富勒烯衍生物、所述電子傳輸材料及所述鎂的化合物的質(zhì)量比為5:1:1?20:10:1。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述第二摻雜層中，所述富勒烯衍生物與所述低功函數(shù)金屬的質(zhì)量比為3:1?6:1。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述低功函數(shù)金屬為鎂、銀、1丐或鐿。
【專利摘要】一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極導電基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，空穴注入層形成于陽極導電基底的陽極層表面，電子注入層包括層疊于電子傳輸層表面的第一摻雜層及層疊于第一摻雜層表面的第二摻雜層，第一摻雜層的材料包括富勒烯衍生物、電子傳輸材料及鎂的化合物，第二摻雜層的材料包括富勒烯衍生物及低功函數(shù)金屬，鎂的化合物為氟化鎂、氧化鎂或硫化鎂，低功函數(shù)金屬為功函數(shù)為-2.0eV～-3.5eV的金屬。上述有機電致發(fā)光器件的發(fā)光效率較高。本發(fā)明還提供一種有機電致發(fā)光器件的制備方法。
【IPC分類】H01L51-54, H01L51-52, H01L51-56
【公開號】CN104733639
【申請?zhí)枴緾N201310706859
【發(fā)明人】周明杰, 黃輝, 陳吉星, 王平
【申請人】海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司
【公開日】2015年6月24日
【申請日】2013年12月19日