Ldmos器件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種LDMOS器件的制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LaterallyDiffused Metal Oxide Semiconductor,LDMOS)器件能夠耐高壓、實現(xiàn)功率控制等方面的要求，常用于射頻功率電路，與晶體管相t匕，在關(guān)鍵的器件特性方面，如增益、線性度、開關(guān)性能、散熱性能以及減少級數(shù)等方面優(yōu)勢很明顯。LDMOS由于更容易與CMOS工藝兼容而被廣泛采用。
[0003]請參考圖1至圖4，圖1至圖4為現(xiàn)有技術(shù)中LDMOS制作過程中的剖面示意圖，現(xiàn)有技術(shù)中，LDMOS器件的制作方法包括步驟:
[0004]S1:提供半導(dǎo)體襯底10，所述半導(dǎo)體襯底10設(shè)有多個間隔排列的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)11，如圖1所示；
[0005]S2:在所述半導(dǎo)體襯底10內(nèi)形成高壓的P型阱區(qū)或N型阱區(qū)20，所述P型阱區(qū)或N型阱區(qū)20包圍所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)11，如圖2所示；
[0006]S3:在所述半導(dǎo)體襯底10的表面形成圖案化的光阻層30，所述圖案化的光阻層30暴露出一部分淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)11，如圖3所示；
[0007]S4:以所述圖案化的光阻層30為掩膜，對所述P型阱區(qū)或N型阱區(qū)20進行N型或P型離子注入，形成N型或P型漂移區(qū)40，如圖5所示(為了方便描述，在圖4中是形成P型阱區(qū)20，在P型阱區(qū)20內(nèi)形成N型漂移區(qū)40);從而得到LDMOS器件。
[0008]然而，在對LDMOS器件進行性能測試時，在柵極電壓Vg不斷增大到一定電壓值Vgfflax時，測試電流會突然增大，而柵極電壓Vg會突然變小，這也就是影響LDMOS器件的快速恢復(fù)(Snapback)問題。通常情況下，根據(jù)不同的需求LDMOS器件的Vg越大越好，即Vgmax越大表示LDMOS器件性能越好。
[0009]引起Snapback問題的原因之一是LDMOS器件中的寄生三極管(如圖4中箭頭所示的NPN結(jié))先導(dǎo)通，導(dǎo)致測試電流激增。那么如何抑制開啟時的寄生三極管，增大Vgmax，提升LDMOS器件的性能便成為本領(lǐng)域技術(shù)人員急需解決的技術(shù)問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]本發(fā)明的目的在于提供一種LDMOS器件的制作方法，能夠增大抑制開啟時的寄生三極管，提升LDMOS器件的性能。
[0011]為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出了一種LDMOS器件的制作方法，包括步驟:
[0012]提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)設(shè)有多個間隔排列的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)和包圍所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的高壓阱區(qū)；
[0013]對所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)的高壓阱區(qū)進行反型離子注入，形成深埋離子區(qū)；
[0014]在所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)下方以及深埋離子區(qū)的上方形成漂移區(qū)，所述漂移區(qū)與所述深埋離子區(qū)保持預(yù)定距離。
[0015]進一步的，所述高壓阱區(qū)的形成步驟包括:
[0016]在所述半導(dǎo)體襯底的表面涂覆圖案化的光阻層；
[0017]以所述圖案化的光阻層作為掩膜，對所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)進行離子注入，形成包圍所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的高壓阱區(qū)；
[0018]去除所述圖案化的光阻層。
[0019]進一步的，所述高壓阱區(qū)為P型高壓阱區(qū)。
[0020]進一步的，對所述P型高壓阱區(qū)進行IIV族元素的離子注入，形成深埋離子區(qū)。
[0021]進一步的，在所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)下方以及深埋離子區(qū)的上方形成N型漂移區(qū)。
[0022]進一步的，所述高壓阱區(qū)為N型高壓阱區(qū)。
[0023]進一步的，對所述N型高壓阱區(qū)進行V族元素的離子注入，形成深埋離子區(qū)。
[0024]進一步的，在所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)下方以及深埋離子區(qū)的上方形成P型漂移區(qū)。
[0025]進一步的，形成深埋離子區(qū)的步驟包括:
[0026]在所述半導(dǎo)體襯底的表面形成圖案化的光阻層；
[0027]以所述圖案化的光阻層作為掩膜，對所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)的高壓阱區(qū)進行反型離子注入，形成深埋離子區(qū)。
[0028]進一步的，形成漂移區(qū)的步驟包括:
[0029]在所述半導(dǎo)體襯底的表面形成圖案化的光阻層；
[0030]以所述圖案化的光阻層作為掩膜，對所述半導(dǎo)體襯底進行離子注入，形成漂移區(qū)。
[0031]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果主要體現(xiàn)在:在形成高壓阱區(qū)之后，在高壓阱區(qū)深處注入反型離子，從而形成深埋離子區(qū)，接著再形成漂移區(qū)，由于深埋離子區(qū)能夠減少寄生三極管的基極電阻，起到在開啟時抑制寄生三級管的作用，進而能夠提升LDMOS器件的性能。
【附圖說明】
[0032]圖1至圖4為現(xiàn)有技術(shù)中LDMOS制作過程中的剖面示意圖；
[0033]圖5為本發(fā)明實施例一中的LDMOS制作方法的流程圖；
[0034]圖6至圖12為本發(fā)明實施例一中的LDMOS制作過程中的剖面示意圖。
【具體實施方式】
[0035]下面將結(jié)合示意圖對本發(fā)明的LDMOS器件的制作方法進行更詳細的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本發(fā)明，而仍然實現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此，下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為對本發(fā)明的限制。
[0036]為了清楚，不描述實際實施例的全部特征。在下列描述中，不詳細描述公知的功能和結(jié)構(gòu)，因為它們會使本發(fā)明由于不必要的細節(jié)而混亂。應(yīng)當(dāng)認為在任何實際實施例的開發(fā)中，必須做出大量實施細節(jié)以實現(xiàn)開發(fā)者的特定目標，例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的限制，由一個實施例改變?yōu)榱硪粋€實施例。另外，應(yīng)當(dāng)認為這種開發(fā)工作可能是復(fù)雜和耗費時間的，但是對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說僅僅是常規(guī)工作。
[0037]在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實施例的目的。
[0038]實施例一
[0039]請參考圖5，在本實施例中，提出了一種LDMOS器件的制作方法，包括步驟:
[0040]S