如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接觸形成的實(shí)施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之間可以形成額外的部件，從而使得第一部件和第二部件可以不直接接觸的實(shí)施例。此外，本發(fā)明可在各個(gè)實(shí)例中重復(fù)參考標(biāo)號(hào)和/或字符。該重復(fù)是為了簡(jiǎn)單和清楚的目的，并且其本身不指示所討論的各個(gè)實(shí)施例和/或配置之間的關(guān)系。
[0030]而且，為便于描述，在此可以使用諸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…之上”、“上部”等的空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)，以便于描述如圖所示的一個(gè)元件或部件與另一個(gè)(或另一些)元件或部件的關(guān)系。除了圖中所示的方位外，空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。裝置可以以其他方式定向(旋轉(zhuǎn)90度或在其他方位上)，而在此使用的空間相對(duì)描述符可以同樣地作相應(yīng)的解釋。
[0031]將結(jié)合具體上下文描述實(shí)施例，即制造和使用晶圓級(jí)封裝(WLP)組件。然而，其他實(shí)施例也可以應(yīng)用于其他電連接的組件，包括但不限于疊層封裝組件、管芯至管芯組件、晶圓至晶圓組件、管芯至襯底組件、組裝封裝中的組件、處理襯底中的組件、中介板、襯底等，或安裝輸入組件、板件、管芯或其他組件，或用于任何類(lèi)型的集成電路或電子組件的連接封裝或安裝組合。
[0032]圖1A至圖1J示出了在形成WLP組件中的示例工藝中的截面圖，并且圖3示出了該示例工藝的流程圖。
[0033]圖1A示出了在載體襯底102上方形成互連結(jié)構(gòu)104 (步驟602)。載體襯底102可以在后續(xù)處理步驟期間提供臨時(shí)的機(jī)械和結(jié)構(gòu)支撐。在載體襯底102的表面上方形成互連結(jié)構(gòu)104，互連結(jié)構(gòu)104包括一個(gè)或多個(gè)介電層和相應(yīng)的金屬化圖案。介電層中的金屬化圖案可以諸如通過(guò)使用通孔和/或跡線在器件之間路由電信號(hào)，并且也可以包含諸如電容器、電阻器、電感器等的各種電器件。金屬化圖案有時(shí)稱為再分布線(RDL)。可以互連各種器件和金屬化圖案以執(zhí)行一個(gè)或多個(gè)功能。該功能可以包括存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)、處理結(jié)構(gòu)、傳感器、放大器、功率分布、輸入/輸出電路等。此外，在互連結(jié)構(gòu)104中和/或上形成接合焊盤(pán)以提供至電路和/或器件的外部電連接。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解，以上實(shí)例提供用于說(shuō)明的目的。其他電路可以適當(dāng)?shù)赜糜诮o定應(yīng)用。
[0034]更具體地，可以在互連結(jié)構(gòu)104中形成一個(gè)或多個(gè)金屬間介電(MD)層。例如，頂D層可以通過(guò)諸如旋壓、化學(xué)汽相沉積(CVD)、等離子體增強(qiáng)CVD(PECVD)、高密度等離子體化學(xué)汽相沉積(HDP-CVD)等的本領(lǐng)域已知的任何合適的方法由諸如磷硅酸鹽玻璃(PSG)Jl磷硅酸鹽玻璃(BPSG)、氟硅酸鹽玻璃(FSG)、S1xCy、旋涂玻璃、旋涂聚合物、硅碳材料、它們的化合物、它們的復(fù)合物、它們的組合等的低K介電材料形成。例如，可以通過(guò)使用光刻技術(shù)以在MD層上沉積并圖案化光刻膠材料以暴露將成為金屬化圖案的MD層的部分而在MD層中形成金屬化圖案。諸如各向異性干蝕刻工藝的蝕刻工藝可以用于在MD層中產(chǎn)生與MD層的暴露部分相應(yīng)的凹槽和/或開(kāi)口。在一些實(shí)施例中，通過(guò)激光圖案化形成開(kāi)口或凹槽。凹槽和/或開(kāi)口可以內(nèi)襯有擴(kuò)散阻擋層并且填充有導(dǎo)電材料。擴(kuò)散阻擋層可以包括通過(guò)原子層沉積(ALD)等沉積的TaN、Ta、TiN、T1、CoW等的一個(gè)或多個(gè)層，并且導(dǎo)電材料可以由通過(guò)CVD、物理汽相沉積(PVD)等沉積的銅、鋁、鎢、銀和它們的組合等制成。可以通過(guò)諸如使用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)去除MD層上的任何過(guò)量的擴(kuò)散阻擋層和/或?qū)щ姴牧稀?br>[0035]圖1B示出了在互連結(jié)構(gòu)104的第一側(cè)上方形成電連接件108(步驟604)。電連接件108可以是柱凸塊，該柱凸塊通過(guò)在互連結(jié)構(gòu)104的接合焊盤(pán)上接合引線并且切割接合引線，使得留下附接至相應(yīng)的接合球的接合引線的部分來(lái)形成。例如，在圖1B中，電連接件108包括下部和上部，其中，下部可以是形成在接合引線中的接合球，并且上部可以是剩余的接合引線。電連接件108的上部可以具有均勻貫穿上部的頂部、中間部分和底部的均勻的寬度和均勻的形狀。電連接件108由可以通過(guò)引線接合件接合的非焊料金屬材料形成。在一些實(shí)施例中，電連接件108由銅引線、金引線等或它們的組合制成并且可以具有包括多個(gè)層的復(fù)合結(jié)構(gòu)。
[0036]在可選實(shí)施例中，通過(guò)電鍍形成電連接件108。在這些實(shí)施例中，電連接件108由銅、鋁、鎳、金、銀、鈀等或它們的組合制成，并且可以具有包括多個(gè)層的復(fù)合結(jié)構(gòu)。在這些實(shí)施例中，在互連結(jié)構(gòu)104上方形成犧牲層(未示出)。在犧牲層中形成多個(gè)開(kāi)口以暴露下面的互連結(jié)構(gòu)104中的接合焊盤(pán)。然后實(shí)施鍍步驟以鍍電連接件108。在形成電連接件108之后，然后去除犧牲層。
[0037]圖1C示出了在互連結(jié)構(gòu)104上方附接第一管芯110 (步驟606)，其中第一管芯110的背側(cè)表面鄰接互連結(jié)構(gòu)104。第一管芯110可以是諸如中央處理單元(CPU)、圖形處理單元(GPU)等或它們的組合的邏輯管芯。在一些實(shí)施例中，第一管芯110包括可以包含邏輯管芯和存儲(chǔ)管芯的管芯堆疊件(未示出)。
[0038]在第一管芯110的有源表面上形成電連接件112，該有源表面與背側(cè)表面相對(duì)。電連接件112允許第一管芯110連接至隨后形成的互連結(jié)構(gòu)116 (見(jiàn)圖1F)。在一些實(shí)施例中，電連接件112是諸如可控塌陷芯片連接(C4)的焊料球和/或凸塊。在其他實(shí)施例中，電連接件112是金屬柱，其中，在金屬柱的頂面上形成焊帽。在又其他實(shí)施例中，電連接件112是包括銅柱、鎳層、焊帽、化學(xué)鍍鎳浸金(ENIG)、化學(xué)鍍鎳鈀浸金(ENEPIG)等的復(fù)合凸塊。
[0039]圖1D示出了包封第一管芯110以及電連接件108和112 (步驟608)。在一些實(shí)施例中，由模制材料114包封第一管芯110以及電連接件108和112。例如，可以使用壓縮模制在第一管芯110以及電連接件108和112上模制模制材料114。在一些實(shí)施例中，模制材料114由模塑料、聚合物、環(huán)氧化物、氧化硅填充材料等或它們的組合制成?？梢詫?shí)施固化步驟以固化模制材料114，其中，固化可以是熱固化、紫外(UV)固化等。
[0040]如圖1E所示，在一些實(shí)施例中，第一管芯110以及電連接件108和112掩埋在模制材料114中，并且在固化模制材料114之后，實(shí)施諸如研磨的平坦化步驟以去除模制材料114的過(guò)量部分，其中過(guò)量部分位于電連接件108和112的頂面上方。在一些實(shí)施例中，電連接件112的頂面112A和電連接件108的頂面108A暴露并且與模制材料114的頂面114A齊平。電連接件108可以稱為模制通孔(TMV)并且將在下文中稱為T(mén)MV 108。
[0041]圖1F示出了在第一管芯110、TMV 108和電連接件112上方形成互連結(jié)構(gòu)116 (步驟610)，并且在互連結(jié)構(gòu)116上方形成電連接件118。在模制材料114的頂面114A上方形成互連結(jié)構(gòu)116，互連結(jié)構(gòu)116包括一個(gè)或多個(gè)介電層和相應(yīng)的金屬化圖案，并且互連結(jié)構(gòu)的第一側(cè)直接連接至電連接件112和TMV 108。
[0042]介電層中的金屬化圖案可以通過(guò)諸如使用通孔和/或跡線在電連接件112和TMV108之間路由電信號(hào)，并且也可以包含諸如電容器、電阻器、電感器等的各種電器件。金屬化圖案也可以稱為RDL。可以互連各種器件和金屬化圖案以執(zhí)行一種或多種功能。該功能可以包括存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)、處理結(jié)構(gòu)、傳感器、放大器、功率分布、輸入/輸出電路等。此外，在互連結(jié)構(gòu)116中和/或上形成接合焊盤(pán)以提供至電路和/或器件的外部電連接。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解，以上實(shí)例提供用于說(shuō)明的目的。其他電路可以適當(dāng)?shù)赜糜诮o定應(yīng)用。
[0043]更具體地，可以在互連結(jié)構(gòu)116中形成一個(gè)或多個(gè)MD層。例如，頂D層可以通過(guò)諸如旋壓、CVD、PECVD, HDP-CVD等的本領(lǐng)域已知的任何合適的方法由諸如PSG、BPSG、FSG、S1xCy、旋涂玻璃、旋涂聚合物、硅碳材料、它們的化合物、它們的復(fù)合物、它們的組合等的低K介電材料形成。例如，可以通過(guò)使用光刻技術(shù)以在MD層上沉積并圖案化光刻膠材料以暴露將成為金屬化圖案的MD層的部分而在MD層中形成金屬化圖案。諸如各向異性干蝕刻工藝的蝕刻工藝可以用于在MD層中產(chǎn)生與MD層的暴露部分相應(yīng)的凹槽和/或開(kāi)口。在一些實(shí)施例中，通過(guò)激光圖案化形成開(kāi)口或凹槽。凹槽和/或開(kāi)口可以內(nèi)襯有擴(kuò)