框中框重疊標(biāo)記的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是關(guān)于一種集成電路工藝，特別是關(guān)于一種在集成電路工藝中用于重疊測量的框中框(box-1n-box, BiB)重疊標(biāo)記。
【背景技術(shù)】
[0002]用于重疊測量的重疊標(biāo)記有許多不同的設(shè)計。代表性的設(shè)計為框中框設(shè)計，其基本上包括內(nèi)框(inner box)及外框(outer box),其中內(nèi)框包括用以定義當(dāng)層(currentlayer)的光刻膠層(photoresist layer)的X向和Y向條狀圖形,夕卜框包括前層的X向和Y向條狀圖形。前層可被定義以在其中形成溝槽(trenches)、開口(openings),或被定義為線/塊狀圖形。光刻膠層可被定義以在其中形成溝槽、開口，或被定義為線/塊狀圖形。
[0003]在條狀圖形轉(zhuǎn)移至襯底后進(jìn)行金屬工藝,可能會引發(fā)缺陷率(defectivity)的問題。因此，已建立一種設(shè)計規(guī)則以限制允許存在于一些金屬工藝之前的最大溝槽尺寸。
[0004]然而，對某些工藝，此設(shè)計規(guī)則可能有問題。一例為如何將削減掩模(chop mask)應(yīng)用在間距減少層上，以用于動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)的字線工藝。外框由氧化間隙壁定義，但并未轉(zhuǎn)移至襯底。在外框上的削減層(choplayer)可具有光刻膠，故外框永遠(yuǎn)不會被轉(zhuǎn)移至襯底且不必?fù)?dān)心外框。問題來自當(dāng)層(削減層、光刻膠)，溝槽必須形成于其中以作為重疊測量用的內(nèi)層。受光刻機(jī)臺及量測機(jī)臺分辨率的限制，溝槽的尺寸可能必須超過由設(shè)計規(guī)則定義的限制。解決方法之一為在前層中加入密集且平行的窄溝槽，此窄溝槽位于內(nèi)框的光刻膠圖形之下。
[0005]圖1A?IC示出前述一種BiB重疊標(biāo)記的一例，其中，圖1A示出一種傳統(tǒng)BiB重疊標(biāo)記的上視圖，圖1B與圖1C分別示出圖1A所示的傳統(tǒng)BiB重疊標(biāo)記的B-B’剖面圖及C-C剖面圖。
[0006]框中框重疊標(biāo)記10包括在前層中密集且平行的窄線/溝槽圖形110，密集平行窄線/溝槽圖形I1包括在全區(qū)(內(nèi)框和外框區(qū)沖指向X向或Y向的交替排列的線圖形IlOa與溝槽圖形IlOb ;在前層中構(gòu)成外框的X向和Y向?qū)挏喜?12 ;以及定義在用以定義當(dāng)層的光刻膠層120中而構(gòu)成內(nèi)框的X向和Y向?qū)挏喜?22。
[0007]然而，在此設(shè)計中，由于不完全對準(zhǔn)及/或切到最近的線圖形110a，與線圖形IlOa/溝槽圖形IlOb平行的內(nèi)框中各寬溝槽122的兩側(cè)壁可能將會受到來自線圖形IlOa的不同光學(xué)影響，使寬溝槽122的位置判定準(zhǔn)確性受到不利影響而降低重疊測量的準(zhǔn)確性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]因此，本發(fā)明提供一種框中框(BiB)重疊標(biāo)記，其具有經(jīng)修改的密集線/溝槽排列，以同時解決上述設(shè)計規(guī)則的問題，并提升重疊測量的準(zhǔn)確性。
[0009]本發(fā)明的框中框重疊標(biāo)記包括內(nèi)框區(qū)、圍繞內(nèi)框區(qū)的外框區(qū)、位于內(nèi)框區(qū)和外框區(qū)中的前層中的密集的窄溝槽、在內(nèi)框區(qū)中的密集窄溝槽上方定義出一矩形的多個X向和多個Y向的條狀光刻膠圖形，以及在外框區(qū)中定義出另一矩形的多個X向和多個Y向的條狀圖形；至少內(nèi)框區(qū)中的密集窄溝槽指向不同于X向或Y向的一方向；條狀光刻膠圖形被定義在用以定義當(dāng)層的光刻膠層中或定義自所述光刻膠層，且各條狀光刻膠圖形比各窄溝槽寬；條狀圖形被定義于前層中或定義自前層，且各條狀圖形比各窄溝槽寬。
[0010]在一實(shí)施例中，內(nèi)框區(qū)中的密集窄溝槽指向偏離X向或Y向至少20°角的方向，例如是與X向或Y向夾約45°角的方向。
[0011]在一實(shí)施例中，外框區(qū)中的窄溝槽也指向內(nèi)框區(qū)中的窄溝槽所指向的方向。
[0012]在一實(shí)施例中，各窄溝槽的寬度在30?100納米的范圍內(nèi)，各條狀光刻膠圖形的寬度在100至1000納米的范圍內(nèi)，且在外框區(qū)中的各條狀圖形的寬度在100至1000納米的范圍內(nèi)。
[0013]在一實(shí)施例中，內(nèi)框區(qū)中的條狀光刻膠圖形為溝槽圖形，其被定義在用以定義所述當(dāng)層的光刻膠層中。在另一實(shí)施例中，內(nèi)框區(qū)中的條狀光刻膠圖形為定義自用以定義當(dāng)層的光刻膠層的光刻膠條。
[0014]在一實(shí)施例中，外框區(qū)中的條狀圖形為定義在前層中的溝槽。另一實(shí)施例中，所述條狀圖形包括定義自前層的實(shí)線圖形。
[0015]由于內(nèi)框區(qū)中前層中的密集窄線/溝槽圖形指向不同于X或Y向的方向，各X或Y向光刻膠圖形不平行于內(nèi)框區(qū)中的窄線/溝槽圖形。因此，作為內(nèi)框的條狀光刻膠圖形的位置判定不會受到內(nèi)框區(qū)的窄線/溝槽圖形的不利影響，故可提升重疊測量的準(zhǔn)確性。
[0016]為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例并配合所附附圖，詳細(xì)說明如下。
【附圖說明】
[0017]圖1A示出一種傳統(tǒng)BiB重疊標(biāo)記的上視圖；
[0018]圖1B與圖1C分別示出圖1A所示的傳統(tǒng)BiB重疊標(biāo)記的B_B’剖面圖及C_C’剖面圖；
[0019]圖2A為根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例所示出的一種BiB重疊標(biāo)記；
[0020]圖2B與圖2C分別示出圖2A所示的BiB重疊標(biāo)記的B-B’剖面圖及C-C’剖面圖。
[0021]附圖標(biāo)記說明:
[0022]10,20:框中框重疊標(biāo)記；
[0023]221:內(nèi)框區(qū)；
[0024]22ο:外框區(qū)；
[0025]110:窄線/溝槽圖形；
[0026]110a:線圖形；
[0027]110b:溝槽圖形；
[0028]112、122:寬溝槽；
[0029]120、220:光刻膠層；
[0030]210、2101、210o:密集窄線/溝槽圖形；
[0031]210a、210c:窄線圖形；
[0032]210b、21d:窄溝槽圖形；
[0033]212x、222x:X 向溝槽；
[0034]212y、222y:Y 向溝槽；
[0035]P1、Po:間距；
[0036]W1、Wo:寬度；
[0037]Θ:角度。
【具體實(shí)施方式】
[0038]以下將基于實(shí)施例進(jìn)一步說明本發(fā)明，但其不限制本發(fā)明的范圍。舉例而言，雖然在實(shí)施例中的BiB重疊標(biāo)記的內(nèi)框的各邊只有一個條狀光刻膠圖形，但若有需要，在內(nèi)框的各邊可以有兩個或更多個條狀光刻膠圖形。
[0039]圖2A為根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例所示出的一種BiB重疊標(biāo)記。圖2B與圖2C分別示出圖2A所示的BiB重疊標(biāo)記的B-B’剖面圖及C-C’剖面圖。
[0040]請參照圖2A至圖2C，框中框重疊標(biāo)記20包括