一種陣列基板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板。
【背景技術(shù)】
[0002]薄膜晶體管液晶顯不裝置(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display，簡(jiǎn)稱TFT-LCD)是一種主要的平板顯示裝置(Flat Panel Display，簡(jiǎn)稱為FPD)。
[0003]圖1為現(xiàn)有的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)中的TFT-LCD陣列基板中包括陣列區(qū)域1、PAD區(qū)域2和檢測(cè)區(qū)域3，具體地，陣列區(qū)域是陣列基板的工作區(qū)域，具有柵線、數(shù)據(jù)線及公共電極線等信號(hào)線、像素電極、公共電極及薄膜晶體管(TFT)等組件，通過(guò)這些組件形成驅(qū)動(dòng)液晶的電場(chǎng)。PAD區(qū)域?yàn)閴航訁^(qū)域，是經(jīng)切割及研磨工藝之后，將陣列基板的信號(hào)線與外部的驅(qū)動(dòng)電路板(例如，覆晶薄膜(Chip On Flex, or, Chip On Film,COF))的引線進(jìn)行壓接的區(qū)域。PAD區(qū)域一般只設(shè)有信號(hào)線，而不需要像素電極和TFT等組件。PAD區(qū)域位于陣列基板的4個(gè)邊中的其中一個(gè)或相鄰的兩個(gè)邊上。為了將外部的驅(qū)動(dòng)電路板的引線和陣列基板的信號(hào)線電連接，PAD區(qū)域的信號(hào)線上方必須沒(méi)有絕緣層(柵絕緣層或鈍化層等)覆蓋。檢測(cè)區(qū)域是形成于陣列基板最外圍的一個(gè)區(qū)域，具有信號(hào)線，此處的信號(hào)線由于用于陣列基板的測(cè)試后被切割掉，因此，此區(qū)域稱之為檢測(cè)區(qū)域。
[0004]如圖1所示，現(xiàn)有的陣列基板的結(jié)構(gòu)包括:透明基板10、柵線11、柵絕緣層12、鈍化層13及導(dǎo)電層14。透明基板10上設(shè)置有柵線11，柵絕緣層12和鈍化層13依次覆蓋在柵線11上；柵絕緣層12和鈍化層13相同的位置上形成有連接孔，用于將導(dǎo)電層14與柵線11電連接，使得能夠?qū)⑼獠框?qū)動(dòng)電路板的信號(hào)傳輸至柵線11。導(dǎo)電層14通常采用ITO或IZO等材料形成，其原因?yàn)樵谕ㄟ^(guò)ITO或IZO等材料通過(guò)構(gòu)圖工藝形成像素電極或公共電極時(shí)，同時(shí)構(gòu)圖出導(dǎo)電層14的圖形，以便于簡(jiǎn)化制造工藝。
[0005]圖1中切割線4表示陣列基板測(cè)試完畢之后，切割并研磨的位置。之后，在陣列基板上安裝外部的驅(qū)動(dòng)電路板(例如C0F)，制造陣列基板的信號(hào)線，特別是數(shù)據(jù)線通常采用銅、鋁等金屬或其合金制作。尤其是，制造大屏幕TV或?qū)捚烈壕э@示器的陣列基板時(shí)，為了保障其顯示性能，數(shù)據(jù)線的電阻必須滿足要求，不能過(guò)高，但是這種采用銅、鋁等金屬或合金制造的陣列基板存在易被腐蝕的缺陷，具體而言，易從檢測(cè)區(qū)域的數(shù)據(jù)線暴露的地方受到腐蝕，這種腐蝕現(xiàn)象在對(duì)陣列基板進(jìn)行測(cè)試的高溫高濕環(huán)境尤為嚴(yán)重。甚至可以從檢測(cè)區(qū)域腐蝕到陣列區(qū)域。導(dǎo)致在測(cè)試時(shí)顯示為正常的陣列基板，在組裝完成之后出現(xiàn)工作異常或無(wú)法工作的現(xiàn)象，嚴(yán)重影響產(chǎn)品的成品率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板，用以防止陣列基板的PAD區(qū)域內(nèi)的數(shù)據(jù)線被腐蝕，進(jìn)而提尚廣品的成品率。
[0007]本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板，包括陣列區(qū)域、PAD區(qū)域和檢測(cè)區(qū)域，所述陣列基板中的至少一條數(shù)據(jù)線上具有薄膜晶體管TFT結(jié)構(gòu)，所述PAD區(qū)域中的數(shù)據(jù)線與所述檢測(cè)區(qū)域中的數(shù)據(jù)線之間存在溝道，當(dāng)對(duì)所述檢測(cè)區(qū)域施加檢測(cè)信號(hào)時(shí)，所述PAD區(qū)域中的數(shù)據(jù)線與所述檢測(cè)區(qū)域中的數(shù)據(jù)線通過(guò)所述TFT導(dǎo)通。
[0008]本發(fā)明實(shí)施例提供的所述陣列基板中的至少一條數(shù)據(jù)線上具有薄膜晶體管TFT結(jié)構(gòu)，所述PAD區(qū)域中的數(shù)據(jù)線與所述檢測(cè)區(qū)域中的數(shù)據(jù)線之間存在溝道，當(dāng)對(duì)所述檢測(cè)區(qū)域施加檢測(cè)信號(hào)時(shí)，所述PAD區(qū)域中的數(shù)據(jù)線與所述檢測(cè)區(qū)域中的數(shù)據(jù)線通過(guò)所述TFT導(dǎo)通，從而當(dāng)檢測(cè)區(qū)域被切割后，由于PAD區(qū)域中的數(shù)據(jù)線與所述檢測(cè)區(qū)域中的數(shù)據(jù)線之間存在溝道，從而檢測(cè)區(qū)域中的數(shù)據(jù)線被腐蝕不會(huì)影響到PAD區(qū)域中的數(shù)據(jù)線，從而可以避免PAD區(qū)域中的數(shù)據(jù)線被腐蝕。而在切割前，由于PAD區(qū)域中的數(shù)據(jù)線與檢測(cè)區(qū)域中的數(shù)據(jù)線可以通過(guò)TFT導(dǎo)通，所以又不影響陣列基板的檢測(cè)。
[0009]較佳地，所述數(shù)據(jù)線的下方設(shè)置有第一導(dǎo)電層，該第一導(dǎo)電層作為所述TFT的柵極通過(guò)過(guò)孔與所述檢測(cè)區(qū)域中的數(shù)據(jù)線電相連，該檢測(cè)區(qū)域中的數(shù)據(jù)線作為所述TFT的源極或漏級(jí)。
[0010]較佳地，所述數(shù)據(jù)線的上方設(shè)置有第二導(dǎo)電層，該第二導(dǎo)電層通過(guò)所述過(guò)孔將所述TFT的柵極與所述檢測(cè)區(qū)域中的數(shù)據(jù)線電連接。
[0011]較佳地，所述第二導(dǎo)電層的材質(zhì)為氧化銦錫、氧化銦鋅、或氧化鋁鋅。
[0012]較佳地，還包括位于所述數(shù)據(jù)線和所述第一導(dǎo)電層之間的第一絕緣層。
[0013]較佳地，還包括位于所述第二導(dǎo)電層和所述數(shù)據(jù)線之間的第二絕緣層。
[0014]較佳地，所述過(guò)孔為第一功能過(guò)孔，所述第一功能過(guò)孔包括穿過(guò)所述第一絕緣層和所述第二絕緣層并暴漏出所述第一導(dǎo)電層的第一過(guò)孔，以及穿過(guò)所述第二絕緣層并暴漏出所述檢測(cè)區(qū)域中的數(shù)據(jù)線的第二過(guò)孔；
[0015]所述第二導(dǎo)電層包括兩部分，所述第二導(dǎo)電層的第一部分通過(guò)所述第一功能過(guò)孔將所述TFT的柵極與所述檢測(cè)區(qū)域中的數(shù)據(jù)線電連接，所述第二導(dǎo)電層的第二部分通過(guò)第二功能過(guò)孔與所述PAD區(qū)中的數(shù)據(jù)線電連接。
[0016]較佳地，所述數(shù)據(jù)線和/或所述第一導(dǎo)電層為鋁、鉻、鎢、鈦、鉬之一或任意組合構(gòu)成的單層或復(fù)合層結(jié)構(gòu)。
[0017]較佳地，所述第一絕緣層的材料為氮化硅、二氧化硅、或氧化鋁。
[0018]較佳地，所述第二絕緣層的材料為氮化硅、二氧化硅、或氧化鋁。
【附圖說(shuō)明】
[0019]圖1為現(xiàn)有的陣列基板的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0020]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的沿著圖2所示的陣列基板的AA線進(jìn)行剖面所得到的該陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖4至圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的數(shù)據(jù)線制作過(guò)程中產(chǎn)生的各個(gè)圖形示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0023]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板，用以防止陣列基板的PAD區(qū)域內(nèi)的數(shù)據(jù)線被腐蝕，進(jìn)而提尚廣品的成品率。
[0024]參見(jiàn)圖2，本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板，包括陣列區(qū)域、PAD區(qū)域和檢測(cè)區(qū)域，可以認(rèn)為圖2中切割線07左側(cè)為檢測(cè)區(qū)域，右側(cè)為PAD區(qū)域，也可以認(rèn)為圖2中切割線07位于檢測(cè)區(qū)域，切割線07至TFT 08的區(qū)域都屬于檢測(cè)區(qū)域，TFT 08及右側(cè)區(qū)域?yàn)镻AD區(qū)域，圖2中未示出陣列區(qū)域。
[0025]所述陣列基板中的至少一條數(shù)據(jù)線上具有薄膜晶體管TFT 08結(jié)構(gòu)，所述PAD區(qū)域中的數(shù)據(jù)線03與所述檢測(cè)區(qū)域中的數(shù)據(jù)線02之間存在溝道09，當(dāng)對(duì)所述檢測(cè)區(qū)域施加檢測(cè)信號(hào)時(shí)，例如對(duì)檢測(cè)區(qū)域內(nèi)的數(shù)據(jù)線02或者作為TFT08的柵極的第一導(dǎo)電層01施加高電壓信號(hào)，則所述PAD區(qū)域中的數(shù)據(jù)線03與所述檢測(cè)區(qū)域中的數(shù)據(jù)線02通過(guò)所述TFT 08導(dǎo)通，從而可以進(jìn)行檢測(cè)。
[0026]本發(fā)明實(shí)施例提供的所述陣列基板中的至少一條數(shù)據(jù)線上具有薄膜晶體管TFT結(jié)構(gòu)，所述PAD區(qū)域中的數(shù)據(jù)線與所述檢測(cè)區(qū)域中的數(shù)據(jù)線之間存在溝道，當(dāng)對(duì)所述檢測(cè)區(qū)域施加檢測(cè)信號(hào)時(shí)，所述PAD區(qū)域中的數(shù)據(jù)線與所述檢測(cè)區(qū)域中的數(shù)據(jù)線通過(guò)所述TFT導(dǎo)通，從而當(dāng)檢測(cè)區(qū)域被切割后，由于PAD區(qū)域中的數(shù)據(jù)線03與所述檢測(cè)區(qū)域中的數(shù)據(jù)線02之間存在溝道09，從而檢測(cè)區(qū)域中的數(shù)據(jù)線02被腐蝕不會(huì)影響到PAD區(qū)域中的數(shù)據(jù)線03，從而可以避免PAD區(qū)域中的數(shù)據(jù)線被腐蝕。而在切割前，由于PAD區(qū)域中的數(shù)據(jù)線與檢測(cè)區(qū)域中的數(shù)據(jù)線可以通過(guò)TFT導(dǎo)通，所以又不影響陣列基板的檢測(cè)。
[0027]較佳地，所述數(shù)據(jù)線的下方設(shè)置有第一導(dǎo)電層01，該第一導(dǎo)電層作為所述TFT的柵極通過(guò)過(guò)孔與所述檢測(cè)區(qū)域中的數(shù)據(jù)線02電相連，該檢測(cè)區(qū)域中的數(shù)據(jù)線作為所述TFT的源極或漏級(jí)。
[0028]較佳地，所述數(shù)據(jù)線的上方設(shè)置有第二導(dǎo)電層051，該第二導(dǎo)電層通過(guò)過(guò)孔041和過(guò)孔042將所述TFT的柵極01與所述檢測(cè)區(qū)域中的數(shù)據(jù)線02電連接。
[0029]圖2中所示的導(dǎo)電層052的作用與現(xiàn)有技術(shù)相同，即通過(guò)過(guò)孔06與PAD區(qū)域中的數(shù)據(jù)線03電連接。
[0030]需要說(shuō)明的是，圖2中位于最上面一層的是導(dǎo)電層051和052，為了方便理解，將各個(gè)過(guò)孔畫在最上面，但實(shí)際上，在最上面看不到過(guò)孔。
[0031]另外，為了節(jié)省工藝，導(dǎo)電層051和導(dǎo)電層052為同一層，在制作時(shí)可以同時(shí)制作，過(guò)孔的個(gè)數(shù)