顯示基板及其制備方法、顯示面板和顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體地，涉及一種顯示基板及其制備方法、顯示面板和顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]薄膜晶體管液晶顯不器（ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display，以下簡稱為TFT IXD)包括對盒在一起的第一基板和第二基板，以及位于第一基板和第二基板之間的液晶層。
[0003]在已有的一種TFT IXD中，第一基板上制備有薄膜晶體管，所述薄膜晶體管用作驅(qū)動(dòng)開關(guān)；第二基板上制備有彩膜和黑矩陣，所述彩膜用于實(shí)現(xiàn)彩色顯示，所述黑矩陣用于遮蔽薄膜晶體管和各信號線。在該種TFT LCD中，第一基板和第二基板對盒時(shí)不可避免地會(huì)存在對盒偏差，因此，黑矩陣的寬度必須設(shè)置地較大，以便在存在對盒偏差的情況下，能夠?qū)⒈∧ぞw管和各信號線遮蔽；而黑矩陣的寬度增大，會(huì)降低顯示面板的開口率，進(jìn)而影響顯示面板的亮度和畫面品質(zhì)。
[0004]在已有的另一種TFT IXD中，將薄膜晶體管、彩膜和黑矩陣制備在一張基板上，即COA技術(shù)（Color filter On Array，彩膜制備在陣列基板上），該TFT IXD的顯示面板的結(jié)構(gòu)如圖I所示。具體地，該TFT IXD的顯示面板包括第一基板I、第二基板2、液晶層3 ;第一基板I和第二基板2之間設(shè)有隔墊物4，以維持第一基板I和第二基板2之間的距離，即液晶層3的厚度；第一基板I上設(shè)置有薄膜晶體管10、第一絕緣層11、黑矩陣12、彩膜13、平坦化層14、像素電極15、第二絕緣層16、公共電極17 ;薄膜晶體管10包括柵極100、柵絕緣層101、有源層102、源極103、漏極104。其中，第一絕緣層11、第二絕緣層16—般由硅的氮化物（SiNx)制成。而上述各結(jié)構(gòu)的位置連接關(guān)系如圖3所示，在此不再贅述。
[0005]在上述TFT IXD中，薄膜晶體管10、彩膜13和黑矩陣12制備在第一基板I上，這樣可以避免第一基板I和第二基板2的對盒偏差影響黑矩陣12遮蔽薄膜晶體管10和各信號線，使黑矩陣12的寬度無需設(shè)置地較大，從而，與上一種TFT IXD相比，該TFT IXD可以提升開口率，進(jìn)而提升顯不面板的殼度和畫面品質(zhì)。
[0006]但在上述采用COA技術(shù)的TFT IXD中，在第一絕緣層11上形成黑矩陣12的圖形具有較大的難度，具體表現(xiàn)為：基于現(xiàn)有的制備黑矩陣12的材料的特性，難以滿足顯示面板高分辨率的要求；黑矩陣12的材料與第一絕緣層11的材料如隊(duì)等）之間的粘附力不足，從而會(huì)導(dǎo)致顯示面板的結(jié)構(gòu)不穩(wěn)定；在形成黑矩陣12圖形的光刻工藝的顯影步驟后，第一絕緣層11的表面容易殘留黑矩陣材料，從而會(huì)導(dǎo)致顯示不良。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一，提出了一種顯示基板及其制備方法、顯示面板和顯示裝置，其可以避免黑矩陣制備過程中的技術(shù)難點(diǎn)和黑矩陣制備過程中存在的問題，從而減少顯示基板制備過程中的工藝難點(diǎn)。
[0008]為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的而提供一種顯示基板，其包括多個(gè)像素，每個(gè)像素具有一個(gè)顯示區(qū)，多個(gè)像素的顯示區(qū)之間為非顯示區(qū)，所述顯示基板還包括保護(hù)金屬層，所述保護(hù)金屬層覆蓋所述非顯示區(qū)。
[0009]其中，所述保護(hù)金屬層的反射率不大于20%。
[0010]其中，所述保護(hù)金屬層由MoNbO、MoNbON、MoTiO、MoTiON、MoSi中的至少一種制成。
[0011]其中，所述顯示基板包括公共電極，且所述公共電極由ITO、ITZO、IGZO、IZO中的至少一種制成。
[0012]其中，所述保護(hù)金屬層與所述公共電極接觸。
[0013]其中，所述顯示基板還包括薄膜晶體管、彩膜、像素電極和公共電極。
[0014]其中，所述薄膜晶體管設(shè)置在襯底基板上，且所述薄膜晶體管上設(shè)有第一絕緣層；所述彩膜設(shè)置在所述第一絕緣層上，且所述彩膜上設(shè)有平坦化層；所述像素電極設(shè)置在所述平坦化層上，且所述像素電極上設(shè)有第二絕緣層；所述保護(hù)金屬層設(shè)置在所述第二絕緣層上，且所述保護(hù)金屬層上設(shè)有所述公共電極。
[0015]作為另一個(gè)技術(shù)方案，本發(fā)明還提供一種顯示基板的制備方法，所述顯示基板的制備方法用于制備本發(fā)明提供的上述顯示基板；所述顯示基板的制備方法包括：在顯示基板的非顯示區(qū)形成保護(hù)金屬層的步驟。
[0016]其中，通過光刻工藝制備所述保護(hù)金屬層。
[0017]其中，所述顯示基板的制備方法還包括：
[0018]在襯底基板上形成薄膜晶體管的步驟；
[0019]在薄膜晶體管上形成第一絕緣層的步驟；
[0020]在第一絕緣層上形成彩膜的步驟；
[0021]在所述彩膜上形成平坦化層的步驟；
[0022]在所述平坦化層上形成像素電極的步驟；
[0023]在所述像素電極上形成第二絕緣層的步驟；所述保護(hù)金屬層形成在所述第二絕緣層上；
[0024]在所述保護(hù)金屬層上形成公共電極的步驟。
[0025]作為另一個(gè)技術(shù)方案，本發(fā)明還提供一種顯示面板，所述顯示面板包括本發(fā)明提供的上述顯示基板。
[0026]作為另一個(gè)技術(shù)方案，本發(fā)明還提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括本發(fā)明提供的上述顯示面板。
[0027]本發(fā)明具有以下有益效果：
[0028]本發(fā)明提供的顯示基板，其保護(hù)金屬層將顯示基板的非顯示區(qū)覆蓋，將顯示基板上的薄膜晶體管和各信號線等結(jié)構(gòu)遮蔽，可以省去黑矩陣，從而可以減少生產(chǎn)工藝流程，提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本；同時(shí)，還可以省去黑矩陣制備過程中的技術(shù)難點(diǎn)，從而有助于減少顯示基板制備過程中的工藝難點(diǎn)。
[0029]本發(fā)明提供的顯示基板的制備方法，在顯示基板的非顯示區(qū)形成保護(hù)金屬層，該保護(hù)金屬層會(huì)將顯示基板上的薄膜晶體管和各信號線等結(jié)構(gòu)遮蔽，避免對顯示造成不良影響，從而可以保證較好的顯示效果。同時(shí)，由于保護(hù)金屬層會(huì)將薄膜晶體管和各信號線等結(jié)構(gòu)遮蔽，在制備顯示基板時(shí)就無需再制備黑矩陣，從而可以減少制備顯示基板的工藝流程，提高生產(chǎn)效率，以及降低生產(chǎn)成本，而且，還可以省去黑矩陣制備過程中的技術(shù)難點(diǎn)，從而有助于減少顯示基板制備過程中的工藝難點(diǎn)。
[0030]本發(fā)明提供的顯示面板，其采用本發(fā)明提供的上述顯示基板，可以省去黑矩陣，從而可以減少生產(chǎn)工藝流程，提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本；同時(shí)，還可以省去黑矩陣制備過程中的技術(shù)難點(diǎn)，從而有助于減少顯示基板制備過程中的工藝難點(diǎn)。
[0031]本發(fā)明提供的顯示裝置，其采用本發(fā)明提供的上述顯示面板，可以省去黑矩陣，從而可以減少生產(chǎn)工藝流程，提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本；同時(shí)，還可以省去黑矩陣制備過程中的技術(shù)難點(diǎn)，從而有助于減少顯示基板制備過程中的工藝難點(diǎn)。
【附圖說明】
[0032]附圖是用來提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與下面的【具體實(shí)施方式】一起用于解釋本發(fā)明，但并不構(gòu)成對本發(fā)明的限制。在附圖中：
[0033]圖I為現(xiàn)有采用COA技術(shù)的顯示面板的示意圖；
[0034]圖2為本發(fā)明實(shí)施方式提供的顯示基板的示意圖；
[0035]圖3為圖2所示顯示基板的A-A剖視圖；
[0036]圖4為保護(hù)金屬層的另一種結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0037]圖5為本發(fā)明實(shí)施方式提供的顯示基板的制備方法的流程圖；
[0038]圖6為薄I旲晶體管制備完成后的顯不基板的不意圖；
[0039]圖7為棚極制備完成后的顯不基板的不意圖；
[0040]圖8為第一絕緣層制備完成后的顯不基板的不意圖；
[0041]圖9為彩I旲制備完成后的顯不基板的不意圖；
[0042]圖10為平坦化層制備完成后的顯示基板的示意圖；
[0043]圖11為像素電極制備完成后的顯不基板的不意圖；
[0044]圖12為第一絕緣層制備完成后的顯不基板的不意圖；
[0045]圖13為保護(hù)金屬層制備完成后的顯不基板的不意圖；
[0046]圖14為公共電極制備完成后的顯不基板的不意圖。
[0047]其中，附圖標(biāo)記：