線圈元件的制造方法【
技術(shù)領(lǐng)域：
】[0001]本發(fā)明涉及一種線圈(coil)元件的制造方法，尤其涉及一種能夠使利用轉(zhuǎn)印用模具而剝離/轉(zhuǎn)印的線圈元件的鍍敷高度一致的線圈元件的制造方法?！?br>背景技術(shù)：
】[0002]近年來，伴隨智能電話(smartphone)或平板(tablet)終端等移動(mobile)設(shè)備的多功能化，小型且能夠處理高額定電流的線圈零件(電感器(inductor))的必要性提高。[0003]作為此種線圈零件的制造方法，已知有使用轉(zhuǎn)印用模具的方法。專利文獻(xiàn)I中，公開了通過電鑄(也稱作電鍍)進(jìn)行的電子零件的制造方法。該方法中，首先由主(master)模具制作母(mother)模具，接下來，在母模具的表面通過镲電鑄法來制作轉(zhuǎn)印用子(son)模具。然后，從母模具剝離該轉(zhuǎn)印用子模具，使用該子模具來作為工件(work)模具，以進(jìn)行零件的制造。[0004]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)[0005]專利文獻(xiàn)[0006]專利文獻(xiàn)1:日本專利特開2008-049614號公報【
發(fā)明內(nèi)容】[0007][發(fā)明所要解決的問題][0008]在使用轉(zhuǎn)印用模具來制作線圈元件時，在線圈元件的電極取出部，有時必須使線圈圖案(coilpattern)的高度(H)高于其他部分，以連接至上層的線圈元件，從而制作多層連接的線圈零件。此時，在電極取出部，必須將被刻印在轉(zhuǎn)印用模具內(nèi)的線圈元件圖案的深度局部地加深。[0009]但是，若通過電鑄來使銅(Cu)等金屬電沉積在如此般具備不同深度的線圈元件圖案上，則會與該深度對應(yīng)地在電沉積而成的金屬的表面也殘留凹凸，從而對線圈元件圖案的轉(zhuǎn)印造成障礙。[0010]本發(fā)明是為了解決所述問題而完成，其目的在于提供一種線圈元件的制造方法，對于電鑄后的導(dǎo)體膜，從表面通過研磨或磨削來去除規(guī)定的厚度，由此來消除導(dǎo)體膜表面的凹凸，從而不會妨礙取出后的線圈元件圖案的使用。[0011][解決問題的技術(shù)手段][0012]本發(fā)明的方案是一種使用轉(zhuǎn)印模具來制造線圈元件的方法，該方法的特征在于包括如下步驟:準(zhǔn)備轉(zhuǎn)印模具，該轉(zhuǎn)印模具在表面刻印有反轉(zhuǎn)線圈元件圖案，且至少表面部包含金屬；在所述轉(zhuǎn)印模具的整個面上，通過第I電鍍形成中心導(dǎo)體膜，該中心導(dǎo)體膜的厚度超過刻印有所述反轉(zhuǎn)線圈元件圖案的區(qū)域的厚度；對于所述中心導(dǎo)體膜，從表面通過研磨或磨削去除規(guī)定的厚度，以使所述中心導(dǎo)體膜的表面平坦化；從所述轉(zhuǎn)印模具剝離經(jīng)平坦化的所述中心導(dǎo)體膜；使保護(hù)膜粘附于被剝離的所述中心導(dǎo)體膜的形成有線圈元件圖案的一側(cè)的整個表面；從所述中心導(dǎo)體膜的經(jīng)平坦化的一側(cè)起蝕刻去除所述中心導(dǎo)體膜，直至到達(dá)所述保護(hù)膜為止；以及去除所述保護(hù)膜并取出所述中心導(dǎo)體膜。[0013]在本發(fā)明的方案中，該方法的特征在于還包括如下步驟:將取出的所述中心導(dǎo)體膜作為基底，通過第2電鍍形成包覆所述中心導(dǎo)體膜的表面導(dǎo)體膜，從而形成包含所述中心導(dǎo)體膜與所述表面導(dǎo)體膜的線圈元件。而且，其特征在于，所述轉(zhuǎn)印模具的所述表面部為Ni，在Ni的表面形成有N1。[0014]在本發(fā)明的方案中，其特征在于，所述保護(hù)膜為S12、玻璃上覆娃(SiliconOnGlass，S0G)、或抗蝕劑(resist)。[0015]而且，其特征在于，通過化學(xué)氣相沉積(ChemicalVaporDeposit1n，CVD)或派鍍(sputter)來形成所述保護(hù)膜。[0016]進(jìn)而，其特征在于，所述中心導(dǎo)體膜的所述蝕刻(etching)是使用氯化鐵溶液來進(jìn)行。[0017](發(fā)明的效果)[0018]根據(jù)本發(fā)明，能夠從經(jīng)平坦化的面形成具備不同厚度的線圈元件圖案，因此具有容易制作多層連接的線圈零件的優(yōu)點。【附圖說明】[0019]圖1是表示本發(fā)明的線圈元件的制作工序的圖。[0020]圖2是使用轉(zhuǎn)印模具基板而制作的線圈元件集合體的平面圖。[0021]圖3是表示將多片線圈元件集合體層疊的狀態(tài)的圖。[0022]圖4是將多片線圈元件集合體層疊，并將各層線圈元件彼此連接而形成線圈的說明圖。[0023]圖5是表示使用上部芯材(core)與下部芯材來密封線圈的狀態(tài)的圖。[0024]圖6是表示線圈內(nèi)填充有絕緣物質(zhì)的狀態(tài)的圖。[0025]圖7是表示以線圈為單位來切斷層疊的線圈元件集合體的切割(dicing)的圖。[0026]圖8是表示在電極引出部安裝外部電極而形成線圈零件的工序的圖?！揪唧w實施方式】[0027]以下，按照附圖來詳細(xì)說明本發(fā)明。[0028]圖1是表示本發(fā)明的線圈元件的制作工序的圖。[0029]首先，如圖1a所示，準(zhǔn)備由鎳(Ni)等制作的金屬性轉(zhuǎn)印模具100，該金屬性轉(zhuǎn)印模具100在表面刻印有反轉(zhuǎn)線圈元件圖案102a、102b。另外，金屬性轉(zhuǎn)印模具100只要至少表面部為金屬性即可，不需要整體為金屬性。另外，在轉(zhuǎn)印模具100的表面部為Ni的情況下，若預(yù)先將表面氧化而形成N1，則容易在后續(xù)工序中剝離中心導(dǎo)體膜。而且，反轉(zhuǎn)線圈元件圖案102a、102b也可具有不同深度的部分。[0030]接下來，在轉(zhuǎn)印模具100的整個面上，通過銅(Cu)等的電鍍，以超過刻印有反轉(zhuǎn)線圈元件圖案102a、102b的區(qū)域厚度的厚度而形成中心導(dǎo)體膜104。此時，在中心導(dǎo)體膜104的表面，直接反映出與反轉(zhuǎn)線圈元件圖案102a、102b的深度相應(yīng)的凹凸。[0031]隨后，如圖1b所示，對于中心導(dǎo)體膜104，從表面通過研磨或磨削而去除規(guī)定的厚度，以消除存在于表面的凹凸而平坦化。由此，形成表面平坦化的中心導(dǎo)體膜106。接下來，如圖1c所示，從轉(zhuǎn)印模具100剝離表面平坦化的中心導(dǎo)體膜106。[0032]然后，在被剝離的中心導(dǎo)體膜106的形成有線圈元件圖案102a、102b的一側(cè)的整個表面上，如圖1d所示，粘附保護(hù)膜108。[0033]作為保護(hù)膜108，可使用S12、SOG或抗蝕劑，也可通過CVD或濺鍍等方法來成膜。[0034]接著，如圖1e所示，從經(jīng)平坦化的一側(cè)蝕刻去除中心導(dǎo)體膜106，直至到達(dá)保護(hù)膜108為止。該中心導(dǎo)體膜106的蝕刻可使用氯化鐵溶液來進(jìn)行。然后，如圖1f所示，去除保護(hù)膜108，取出中心導(dǎo)體膜106a、106b。[0035]這樣，取出的中心導(dǎo)體膜106a、106b被用作具有不同厚度的線圈元件。另外，在縮窄中心導(dǎo)體膜106a、106b間的間隔而高密度化地使用的情況下，也可如圖1g所示，將中心導(dǎo)體膜106a、106b作為基底，通過電鍍形成使中心導(dǎo)體膜106a、106b加厚的表面導(dǎo)體膜IlOaUlObo[0036]在以上當(dāng)前第1頁1 2