閘門閥(未顯示)被布置在輸送室170、清洗室I與處理室110之間。將該真空閘門閥開啟或關(guān)閉以便將該基板W從輸送室170輸送至清洗室I或處理室110。
[0031]每一處理室110接收基板W以便執(zhí)行半導(dǎo)體處理，例如蝕刻處理、清潔處理、灰化處理等等，進而處理基板W。從上方觀看時，輸送室170具有大致多邊形的形狀。另外，輸送室170連接至清洗室1、每個處理室110以及加載互鎖室150?；宀僮髌?60可被布置在輸送室170內(nèi)部。該基板操作器可將基板W加載至清洗室I中以及每個處理室110中，或從清洗室I以及每個處理室110將基板W卸載。同樣地，基板操作器160可在清洗室1、每一個處理室110與加載互鎖室150之間輸送基板W。
[0032]加載互鎖室150位于輸送室170與EFEM 200之間。加載互鎖室150可包括加載室(未顯示)，在該加載室中加載至加載清洗室I以及處理室110中的基板W被暫放，以及包括卸載室(未顯示)，在該卸載室中從清洗室I以及處理室110加載的處理過的基板W被暫放。在此，可以將加載互鎖室150的內(nèi)部轉(zhuǎn)換成真空或大氣狀態(tài)。然而，輸送室170、清洗室I和處理室110都維持在真空狀態(tài)。因此，加載互鎖室150阻止外部的污物進入清洗室1、處理室110和輸送室170中。
[0033]EFEM 200包括多個容納容器210、多個加載口 220、框架5以及第二輸送單元230。容納容器210可容納多個基板W。在此，每個容納容器210將尚未處理的基板W提供至基板處理裝置100中，并且再次容納由基板處理裝置100處理過的基板W。容納容器210位于加載口 220上，并且加載口 220被布置在框架5的前端側(cè)面上，以便支撐容納容器210。
[0034]框架5可位于加載口 220與加載互鎖室150之間，并且第二輸送單元230可位于框架5內(nèi)部。第二輸送單元230在位于加載口 220上的容納容器210與輸送室170之間輸送基板W。第二輸送單元230將基板W從容納容器210中取出，并將基板W提供至輸送室170中。同樣地，第二輸送單元230接收來自清洗室I以及處理室110的處理過的基板W，并將基板W輸送給容納容器210。
[0035]在使用二氯硅烷(DCS)過程來處理基板的情況下，化學(xué)反應(yīng)可如下執(zhí)行:
[0036](SiH2Cl2+2N20 — Si02+2N 丨 +2HC1)-----反應(yīng)方程式(I)
[0037]如反應(yīng)方程式(I)所示，在基板上形成二氧化硅(S12)層，然后在上面執(zhí)行DCS處理。另一方面，當(dāng)基板表面上所吸收的HCl被輸送至EFEM 200時，HCl與EFEM 200內(nèi)的水汽反應(yīng)，產(chǎn)生鹽酸。如此，鹽酸會腐蝕EFEM 200內(nèi)的金屬。尤其是，在單晶圓型處理逐一清潔基板W的情況下，相比于分批式處理，該處理能夠迅速地執(zhí)行。因此，由基板W產(chǎn)生的腐蝕氣體(例如HCl)殘留量增加，而明顯腐蝕周邊的組件和裝置。
[0038]另外，在已經(jīng)執(zhí)行沉積處理的基板W的煙氣進入容納多個基板W的容納容器210內(nèi)而未被去除時，該煙氣會被輸送至容納容器210內(nèi)的其它基板W，導(dǎo)致基板W遭污染。為了解決上述限制，可在輸送室170的側(cè)邊上設(shè)置清洗室1，以便去除會污染基板W的煙氣以及腐蝕氣體。下面將參照附圖來描述清洗室I。
[0039]圖2是根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的清洗室的示意圖。如上所述，清洗室I連接至輸送室170的側(cè)邊，并且在清洗室I內(nèi)限定有通道(未顯示)，基板W可穿過該通道通過開/關(guān)真空閘門閥來加載與卸載。在處理室110內(nèi)處理過的基板W由基板操作器160輸送至清洗室I中。該處理過的基板W上殘留的腐蝕性煙氣會腐蝕周邊裝置。該處理過的基板W可被立即輸送至清洗室I中以去除腐蝕性煙氣，從而避免周邊裝置遭到腐蝕，并且避免該煙氣暴露在大氣中。
[0040]參照圖2，腔室10具有開放式上側(cè)面，并且在該腔室10的上部上布置有腔室蓋20，以便提供內(nèi)部空間15?；鍔A持裝置30位于內(nèi)部空間15內(nèi)，并且基板W通過加載在基板夾持裝置30上的通道進出。氣體供應(yīng)口 40相對于加載和卸載基板W時所通過的通道被布置在側(cè)表面上。氣體供應(yīng)口 40包括氣體供應(yīng)孔45，并且氣體供應(yīng)孔45連接至氣體供應(yīng)管146，以便接收來自氣體供應(yīng)儲存罐148的氣體。閥門47被布置在氣體供應(yīng)管146中，以便控制氣體供應(yīng)量，并且穿過氣體供應(yīng)孔45將氣體供應(yīng)至內(nèi)部空間15。該氣體可以是包括氬(Ar)氣的惰性氣體。
[0041]清洗室I可具有制冷劑通道12，該制冷劑通道12在腔室10中被沿著腔室10的壁加以限定。制冷劑沿著制冷劑通道12流動，并且可將冷卻水或冷卻氣體用作制冷劑。因此，可通過制冷劑通道12來供應(yīng)制冷劑，以便將清洗室I的內(nèi)部冷卻。該制冷劑可通過連接至制冷劑供應(yīng)罐(未顯示)的制冷劑供應(yīng)管被供應(yīng)至制冷劑通道12中。制冷劑可沿著該制冷劑通道循環(huán)。在腔室10中循環(huán)后被加熱的制冷劑可沿著制冷劑供應(yīng)管被導(dǎo)入冷卻器內(nèi)，并此后被重新冷卻。
[0042]在連接至氣體供應(yīng)口 40的腔室10的側(cè)壁上布置有多個擴散板。參照圖2，第一至第三擴散板60、64和67可分別具有多個擴散孔61、65和68，以便通過氣體供應(yīng)孔45向內(nèi)部空間15連續(xù)擴散和供應(yīng)氣體。該第一至第三擴散板60、64和67以一定距離布置，以便通過氣體供應(yīng)孔45向內(nèi)部空間15均勻擴散和供應(yīng)氣體。
[0043]將通過氣體供應(yīng)口 40供應(yīng)的氣體排出的排放口 50位于氣體供應(yīng)口 40的相對側(cè)上。排放口 50可連接至排氣管46，以便利用連接至排氣管46的排放泵48，強制地排放內(nèi)部空間15內(nèi)的氣體。在排放口 50上布置具有多個排氣孔75的隔板70。保持內(nèi)部空間15內(nèi)的氣流持續(xù)通過排氣孔75，以便將氣體排放到外部。氣體供應(yīng)口 40和排放口 50分別被布置在通道的兩側(cè)。也就是說，氣體沿垂直于基板W的進入方向的方向流動。同樣地，在該排放口 50上可設(shè)置有多個隔板70。
[0044]如上所述，基板夾持裝置30被布置在腔室10的內(nèi)部空間15之內(nèi)。處理過的基板W通過輸送室170的基板操作器160被引導(dǎo)至清洗室I的內(nèi)部空間15之內(nèi)。已經(jīng)引導(dǎo)至內(nèi)部空間15的基板W被加載到基板夾持裝置30上。當(dāng)基板被加載之后，真空閘門閥(未顯示)會封鎖內(nèi)部空間15。在該真空閘門閥關(guān)閉之后，氣體通過氣體供應(yīng)孔45導(dǎo)入，并且此后將導(dǎo)入的氣體與基板W上殘留的煙氣一起導(dǎo)入排放口 50。
[0045]由于基板W上殘留的腐蝕性煙氣會腐蝕腔室10的內(nèi)壁，因而布置蓋子25來保護腔室10的內(nèi)壁。蓋子25可由石英或陶瓷材料制成。此外，支撐該基板W的基板夾持裝置30可由石英或陶瓷材料制成。將參考下列附圖對基板夾持裝置30以及基板夾持裝置30的安裝效果加以描述。
[0046]圖3是根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的基板夾持裝置的示圖。圖4是示出了在其中布置有圖3中基板夾持裝置的清洗室內(nèi)部的氣流的示圖。參照圖3，加載板35具有形狀與基板W的形狀相對應(yīng)的開口 34。同樣地，開口部32被限定在其中加載和卸載基板W的通道的側(cè)面中，以便與開口 34連通。在加載板35中沿開口 34的周邊限定出座溝槽36。已經(jīng)導(dǎo)入內(nèi)部空間15中的基板W接觸該座溝槽36，并且由座溝槽36支撐?？商峁┮粋€或多個加載板35并且這些板可豎直地相互堆疊。例如:可提供三個加載板35以便容納三個基板W。
[0047]夾持裝置蓋38連接至最上方加載板35的上部。參照圖4，夾持裝置蓋38可豎直地分割內(nèi)部空間15。通過擴散板60、64和67導(dǎo)入的大部分氣體可被供應(yīng)到基板W上，以便通過將經(jīng)過夾持裝置蓋38的氣流空間最小化來充分去除基板上殘留的煙氣。
[0048]盡管參照例示性的實施方式詳細描述了本發(fā)明，然而本發(fā)明可被實施為不同的形式。因此，下述權(quán)利要求的技術(shù)構(gòu)思和范圍并不