液晶顯示面板、陣列基板及其薄膜晶體管的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯不技術(shù)領(lǐng)域，具體而目，涉及一種液晶顯不面板、陣列基板及兩者的薄膜晶體管的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)與像素電極連接，且其柵電極與液晶顯示面板的柵極線(gate lines)連接以在接收到柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)時(shí)開啟，其源電極與液晶顯示面板的數(shù)據(jù)線(gate lines)連接以將接收到的灰階電壓傳遞至像素電極進(jìn)行畫面顯示。當(dāng)前，業(yè)界普遍采用鋁金屬Al和鉬金屬M(fèi)o制造薄膜晶體管，一般為鋁金屬層的上方設(shè)置鉬金屬層，并且為降低薄膜晶體管的電阻，設(shè)計(jì)鋁金屬層的厚度較大，然而由于鋁的熔點(diǎn)較低(660°C )，制程中所需的高溫環(huán)境使得鋁原子之間相互擠壓，鋁金屬層極易因擠壓變形而產(chǎn)生凸起(hillock)，所產(chǎn)生的凸起在嚴(yán)重時(shí)可以導(dǎo)致薄膜晶體管的柵電極、源電極以及漏電極之間發(fā)生短路，從而影響液晶顯示面板的畫面顯示質(zhì)量。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供一種液晶顯示面板、陣列基板及其薄膜晶體管的制造方法，能夠抑制鋁金屬層在高溫環(huán)境下發(fā)生變形產(chǎn)生的凸起，確保液晶顯示面板的畫面顯示質(zhì)量。
[0004]本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是提供一種薄膜晶體管的制造方法。所述制造方法包括:提供一基體；在基體上形成第一金屬層，第一金屬層包括依次層疊的鋁金屬層、氧化鋁層及鉬金屬層；對(duì)第一金屬層進(jìn)行圖案化以形成薄膜晶體管的柵電極；在柵電極上依序形成柵絕緣層、半導(dǎo)體層及歐姆接觸層；在歐姆接觸層上形成第二金屬層；對(duì)第二金屬層進(jìn)行圖案化以形成薄膜晶體管的源電極和漏電極。
[0005]其中，在歐姆接觸層上形成第一金屬層的步驟包括:采用等離子體轟擊鋁靶材，以將鋁濺射于基體上；通入氧氣，使得鋁在濺射時(shí)發(fā)生氧化反應(yīng)形成氧化鋁層；在氧化鋁層上形成鉬金屬層。
[0006]其中，第二金屬層包括依次層疊的鋁金屬層、氧化鋁層及鉬金屬層。
[0007]其中，所述制造方法還包括:在源電極和漏電極上形成鈍化層；在鈍化層上形成接觸孔以暴露源電極或漏電極；在鈍化層上形成像素電極，且像素電極通過接觸孔與源電極和漏電極中的一個(gè)電連接。
[0008]其中，通過干法刻蝕的方式形成接觸孔。
[0009]其中，基體包括襯底板材以及形成于襯底板材上的氧化層。
[0010]本發(fā)明采用的另一個(gè)技術(shù)方案是提供一種陣列基板。所述陣列基板包括基體以及形成于基體上的薄膜晶體管陣列及像素電極，薄膜晶體管的柵電極包括依次層疊的鋁金屬層、氧化鋁層及鉬金屬層，像素電極通過接觸孔與薄膜晶體管的源電極和漏電極中的一個(gè)電連接。
[0011]其中，薄膜晶體管的源電極和漏電極也包括依次層疊的鋁金屬層、氧化鋁層以及鉬金屬層。
[0012]其中，所述薄膜晶體管還包括形成于柵電極上的柵絕緣層、形成于柵絕緣層上的半導(dǎo)體層、形成于半導(dǎo)體層上的歐姆接觸層，源電極和漏電極形成于歐姆接觸層上。
[0013]本發(fā)明采用的又一個(gè)技術(shù)方案是提供一種液晶顯示面板。其陣列基板包括基體以及形成于基體上的薄膜晶體管陣列及像素電極，薄膜晶體管的柵電極包括依次層疊的鋁金屬層、氧化鋁層及鉬金屬層，像素電極通過接觸孔與薄膜晶體管的源電極和漏電極中的一個(gè)電連接。
[0014]本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示面板、陣列基板及其薄膜晶體管的制造方法，通過在制造柵電極的鋁金屬層和鉬金屬層中增加氧化鋁層，由于氧化鋁的熔點(diǎn)和硬度均遠(yuǎn)高于鋁，因此可抑制鋁金屬層在高溫環(huán)境下發(fā)生變形產(chǎn)生的凸起，從而避免薄膜晶體管的柵電極與源電極、漏電極之間發(fā)生短路，進(jìn)而確保畫面顯示質(zhì)量。
【附圖說明】
[0015]圖1是本發(fā)明的薄膜晶體管的制造方法一實(shí)施例的流程圖；
[0016]圖2是形成薄膜晶體管的柵電極一實(shí)施例的示意圖；
[0017]圖3是形成薄膜晶體管的源電極和漏電極一實(shí)施例的示意圖；
[0018]圖4是本發(fā)明的薄膜晶體管的制造方法另一實(shí)施例的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0019]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，本發(fā)明以下所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是本發(fā)明全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明所保護(hù)的范圍。
[0020]圖1是本發(fā)明的薄膜晶體管的制造方法一實(shí)施例的流程圖。如圖1所示，所述薄膜晶體管的制造方法包括以下:
[0021]步驟Sll:提供一基體。
[0022]如圖2所示，基體11對(duì)應(yīng)用于形成液晶顯示面板的陣列基板，所述基體11可為玻璃基體、塑料基體或可撓式基體。
[0023]當(dāng)然，基體11還可以包括襯底板材及形成于襯底板材上的氧化層。所述氧化層包括氮化硅(SiNx)層、氧化硅(S1x)層以及兩者組合，所述氧化層用于防止襯底板材內(nèi)的雜質(zhì)在后續(xù)工藝中向上擴(kuò)散而影響之后形成的低溫多晶硅薄膜的品質(zhì)，氮化硅層和氧化硅層可以采用化學(xué)氣相沉積(Chemical vapor deposit1n，CVD)、等離子化學(xué)氣相沉積(PlasmaEnhanced Chemical vapor deposit1n,PECVD)形成，還可以采用派射、真空蒸鍍或低壓化學(xué)氣相沉積等方法，但不限于此。
[0024]步驟S12:在基體上形成第一金屬層，所述第一金屬層包括依次層疊的鋁金屬層、氧化鋁層以及鉬金屬層。
[0025]結(jié)合圖2所示，在基體11上形成第一金屬層12的方式可以為:首先采用等離子體轟擊鋁靶材，以將鋁濺射于基體11 (或者上述氧化層)之上形成鋁金屬層121 ;然后，在鋁濺射將要完成時(shí)，通入適量氧氣，使得鋁在濺射到基板上的同時(shí)與氧氣發(fā)生氧化反應(yīng)，從而在鋁金屬層121的表面形成氧化鋁層122 ;最后，在氧化鋁層122的表面形成鉬金屬層123。其中，本發(fā)明實(shí)施例可以采用磁控濺射工藝在基體11 (或者上述氧化層)之上形成鋁金屬層121及鉬金屬層123。
[0026]步驟S13:對(duì)第一金屬層進(jìn)行圖案化以形成薄膜晶體管的柵電極。
[0027]具體可通過對(duì)第一金屬層12進(jìn)行刻蝕來形成液晶顯示面板的多個(gè)柵電極124，其中可利用包含有磷酸、硝酸、醋酸以及去離子水的蝕刻液對(duì)第一金屬層12進(jìn)行蝕刻，當(dāng)然也可以采用干法蝕刻。
[0028]步驟S14:在柵電極上依序形成柵絕緣層、半導(dǎo)體層及歐姆接觸層。
[0029]步驟S15:在歐姆接觸層上形成第二金屬層。
[0030]步驟S16:對(duì)第二金屬層進(jìn)行圖案化以形成源電極和漏電極。
[0031]在圖2所示的柵電極124上形成如圖3所示的柵絕緣層125