薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板和顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板和顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]一般，顯示面板包括陣列基板以及與陣列基板相對設(shè)置的對盒基板，其中陣列基板包括:襯底基板和位于襯底基板上的薄膜晶體管(Thin-film Transistor，簡稱TFT)。其中，低溫多晶娃(Low Temperature Poly-Silicon，簡稱LTPS)薄膜晶體管憑借較優(yōu)的穩(wěn)定性和較高的迀移率，獲得了大多數(shù)面板廠商的支持。
[0003]在實(shí)際的生產(chǎn)過程中，需要經(jīng)過多道生產(chǎn)流程才能制備出該LTPS-TFT。其中，在完成有源層(材料為多晶硅)工藝之后，需要將該基板轉(zhuǎn)移到下一生產(chǎn)流程對應(yīng)的設(shè)備處。然而，在轉(zhuǎn)移過程中，該有源層的表面會(huì)暴露于空氣中，此時(shí)有源層的表面可能會(huì)收到污染，從而對TFT的性能造成影響。為避免有源層被污染而導(dǎo)致TFT的性能出現(xiàn)問題，則會(huì)在下一道生產(chǎn)流程開始之前對有源層的表面進(jìn)行預(yù)清理。
[0004]然而，上述預(yù)清理過程不但需要耗費(fèi)大量時(shí)間，造成生產(chǎn)周期變長，而且在待預(yù)清理處理完成之后，有源層仍會(huì)有一段時(shí)間暴露于空氣中，此時(shí)難免會(huì)出現(xiàn)二次污染。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板和顯示裝置，可在有源層生產(chǎn)流程結(jié)束且在轉(zhuǎn)入至下一道生產(chǎn)流程的過程中，有效的避免有源層被污染，從而可在下一道生產(chǎn)流程開始之前省去對有源層進(jìn)行預(yù)清理的工序，進(jìn)而縮短生產(chǎn)周期。
[0006]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種薄膜晶體管的制備方法，包括:
[0007]在襯底基板的上方連續(xù)沉積非晶硅薄膜和保護(hù)層薄膜；
[0008]對所述非晶硅薄膜進(jìn)行退火處理，以使得所述非晶硅薄膜轉(zhuǎn)化為多晶硅薄膜；
[0009]對所述多晶硅薄膜和所述保護(hù)層薄膜進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝，將所述多晶硅薄膜圖案化為有源層，所述保護(hù)層薄膜圖案化為保護(hù)層。
[0010]可選地，所述薄膜晶體管為頂柵型薄膜晶體管，所述對所述多晶硅薄膜和所述保護(hù)層薄膜進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝的步驟之后還包括:
[0011 ] 在所述保護(hù)層上方形成柵絕緣層；
[0012]在所述柵絕緣層的上方形成柵極；
[0013]在所述柵極的上方形成鈍化層；
[0014]在所述鈍化層、所述柵絕緣層和所述保護(hù)層上對應(yīng)所述有源層的兩端位置分別形成第一過孔和第二過孔；
[0015]在所述鈍化層上形成源極和漏極，所述源極通過所述第一過孔與所述有源層連接，所述漏極通過所述第二過孔與所述有源層連接。
[0016]可選地，所述在襯底基板的上方連續(xù)沉積非晶硅薄膜和保護(hù)層薄膜的步驟之前還包括:
[0017]在所述襯底基板的上方形成緩沖層。
[0018]可選地，所述薄膜晶體管為底柵型薄膜晶體管，所述在襯底基板的上方連續(xù)沉積非晶硅薄膜和保護(hù)層薄膜的步驟之前還包括:
[0019]在所述襯底基板的上方形成柵極；
[0020]在所述柵極的上方形成柵絕緣層；
[0021]所述對所述多晶硅薄膜和所述保護(hù)層薄膜進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝的步驟之后還包括:
[0022]在所述保護(hù)層上對應(yīng)所述有源層的兩端位置分別形成第三過孔和第四過孔；
[0023]在所述保護(hù)層的上方形成源極和漏極，所述源極通過所述第三過孔與所述有源層連接，所述漏極通過所述第四過孔與所述有源層連接。
[0024]可選地，所述對所述非晶硅薄膜進(jìn)行退火處理的步驟之前還包括:
[0025]對所述非晶硅薄膜進(jìn)行高溫脫氫處理。
[0026]可選地，所述保護(hù)層的材料為氧化硅。
[0027]可選地，所述保護(hù)層的厚度為:30nm?40nm。
[0028]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種薄膜晶體管，包括:形成于襯底基板上方的有源層和形成于所述有源層上方的保護(hù)層，所述保護(hù)層的圖形與所述有源層的圖形相同。
[0029]可選地，所述薄膜晶體管為頂柵型薄膜晶體管，所述薄膜晶體管還包括:
[0030]在所述保護(hù)層上方形成的柵絕緣層；
[0031]在所述柵絕緣層的上方形成的柵極；
[0032]所述柵極的上方形成的鈍化層；
[0033]所述鈍化層、所述柵絕緣層和所述保護(hù)層上對應(yīng)所述有源層的兩端位置分別形成有第一過孔和第二過孔，在所述鈍化層上形成的源極和漏極，所述源極通過第一過孔與所述有源層連接，所述漏極通過所述第二過孔與所述有源層連接。
[0034]可選地，所述薄膜晶體管為底柵型薄膜晶體管，所述薄膜晶體管還包括:
[0035]在所述襯底基板的上方形成的柵極；
[0036]在所述柵極的上方形成的柵絕緣層；
[0037]所述保護(hù)層上對應(yīng)所述有源層的兩端位置分別形成有第三過孔和第四過孔，所述保護(hù)層上形成的源極和漏極，所述源極通過所述第三過孔與所述有源層連接，所述漏極通過所述第四過孔與所述有源層連接。
[0038]可選地，所述保護(hù)層的材料為氧化硅。
[0039]可選地，所述保護(hù)層的厚度為:30nm?40nm。
[0040]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種陣列基板，包括:薄膜晶體管，所述薄膜晶體管采用上述的薄膜晶體管。
[0041]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括:陣列基板，所述陣列基板采用上述的陣列基板。
[0042]本發(fā)明具有以下有益效果:
[0043]本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板和顯示裝置，其中該在襯底基板的上方連續(xù)沉積非晶硅薄膜和保護(hù)層薄膜；對非晶硅薄膜進(jìn)行退火處理，以使得非晶硅薄膜轉(zhuǎn)化為多晶硅薄膜；對多晶硅薄膜和保護(hù)層薄膜進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝，多晶硅薄膜圖案化為有源層，保護(hù)層薄膜圖案化為保護(hù)層。在本發(fā)明的技術(shù)方案中，由于連續(xù)沉積非晶硅薄膜和保護(hù)層薄膜，并通過退火工藝和一次構(gòu)圖工藝，同時(shí)形成有源層和保護(hù)層。該保護(hù)層可對有源層起到保護(hù)作用，以在將基板移至下一生產(chǎn)流程的過程中避免有源層被污染。與此同時(shí)，由于有源層在運(yùn)輸過程中不會(huì)被污染，因此在下一生產(chǎn)流程開始之前無需對有源層進(jìn)行預(yù)清理的工序，從而可縮短整個(gè)生產(chǎn)周期。
【附圖說明】
[0044]圖1為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種薄膜晶體管的制備方法的流程圖；
[0045]圖2為在襯底基板的上方連續(xù)沉積非晶硅薄膜和保護(hù)層薄膜的示意圖；
[0046]圖3為形成有源層和保護(hù)層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0047]圖4為本發(fā)明實(shí)施例二提供的薄膜晶體管的制備方法的流程圖；
[0048]圖5為在襯底基板上形成緩沖層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0049]圖6為本發(fā)明實(shí)施例二中在保護(hù)層上方形成柵絕緣層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0050]圖7為本發(fā)明實(shí)施例二中在柵絕緣層的上方形成柵極的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0051]圖8為本發(fā)明實(shí)施例二中在柵極的上方形成鈍化層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0052]圖9為本發(fā)明實(shí)施例二中形成第一過孔和第二過孔的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0053]圖10為本發(fā)明實(shí)施例二中在鈍化層上形成源極和漏極的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0054]圖11為本發(fā)明實(shí)施例三提供的薄膜晶體管的制備方法的流程圖；
[0055]圖12為本發(fā)明實(shí)施例三中形成柵極和柵絕緣層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0056]圖13本發(fā)明實(shí)施例三中形成第三過孔和第四過孔的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0057]圖14本發(fā)明實(shí)施例三中在保護(hù)層上形成源極和漏極的結(jié)構(gòu)示意圖。