制造用于封裝件的基板的方法
【專利說明】制造用于封裝件的基板的方法
[0001]相關申請的交叉引用
[0002]本申請要求于2014年I月13日提交的題為“Method for ManufacturingSubstrate for Package (制造用于封裝件的基板的方法)”的韓國專利申請序列號10-2014-0003986的外國優(yōu)先權，通過引用將其全部內(nèi)容結合于本申請中。
技術領域
[0003]本發(fā)明涉及制造用于封裝件的基板的方法。更具體地，本發(fā)明涉及在不使用等離子蝕刻、薄化學制品(thinness chemicals)或顯影液的情況下制造用于封裝件的基板的方法。
【背景技術】
[0004]在制造印刷電路板(PCB)時的阻焊劑(SR)工藝中，打開阻焊劑(SR)是保證電連接至要封裝的芯片的通道所必須的任務。近來，已關注三維(3D)封裝件并且需要多層SR以滿足相應的技術要求。除了別的以外，阻焊劑形成為曝光(expose)銅(Cu)圖案或銅(Cu)焊盤。為了實現(xiàn)該目的，已知使用拋光的方法、使用等離子蝕刻的方法、使用薄化學制品的方法、使用普通顯影化學制品的方法等。在此，拋光方法或等離子蝕刻方法是SR先被固化并隨后通過物理或物理化學方法形成為具有低于Cu高度的高度的方法，并且使用薄化學制品的方法或使用顯影化學制品的方法是通過針對SR的未曝光部分(未固化部分)使用薄化學制品或者調(diào)整現(xiàn)有顯影液的濃度或顯影時間使SR形成為高度低于Cu高度的化學方法。由于使用薄化學制品的方法或使用顯影化學制品的方法具有簡單的工藝并不使用物理擊打力，因此與拋光方法或等離子蝕刻方法相比具有低質(zhì)量風險。然而，薄化學制品的在針對各種SR的使用方面具有限制并且使用現(xiàn)有顯影化學制品的方法在根據(jù)SR的非均勻溶解性調(diào)整厚度方面具有限制。
[0005][現(xiàn)有技術文獻]
[0006][專利文獻]
[0007](專利文獻I)韓國專利公開第10-1084811號(登記于2011年11月11日)
[0008](專利文獻2)韓國專利公開第10-2009-0006787號(公布于2009年I月15號)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]本發(fā)明的目的是通過使用高能光選擇性地顯影曝光和未曝光部分來提供制造用于封裝件的基板的方法。
[0010]根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式，提供了一種制造用于封裝件的基板的方法，該方法包括:在具有形成在其上的電極焊盤的未涂覆的基板上形成阻焊層以覆蓋電極焊盤；通過將阻焊層劃分為包括覆蓋某些或全部電極焊盤的第一區(qū)域和由第一區(qū)域之外的區(qū)域形成的第二區(qū)域的區(qū)域并曝光區(qū)域中的某一些來曝光某些區(qū)域；以及利用高能光顯影包括曝光區(qū)域和未曝光區(qū)域的阻焊層，以便第一區(qū)域的剩余高度低于第二區(qū)域的剩余高度并且曝光第一區(qū)域中的電極焊盤的至少上表面。
[0011]在利用高能光顯影阻焊層時，根據(jù)曝光區(qū)域和未曝光區(qū)域中的阻焊層的內(nèi)部鍵合強度之間的差值，第一區(qū)域的顯影深度可形成為深于第二區(qū)域的深度。
[0012]在曝光某些區(qū)域時，可通過光固化反應波長帶的光來曝光和光固化除了負型的阻焊層的第一區(qū)域以外的區(qū)域，并且在利用高能光顯影阻焊層時，可通過光固化反應波長帶之外的高能光來顯影阻焊層。
[0013]在曝光某些區(qū)域時，可曝光正型的阻焊層的第一區(qū)域。
[0014]在利用高能光顯影阻焊層時，紫外光或紅外光可用作高能光。
[0015]在利用高能光顯影阻焊層時，第一區(qū)域的阻焊層的高度可被顯影為低于第一區(qū)域中的電極焊盤的上表面。
[0016]在曝光某些區(qū)域時，第二區(qū)域可形成在第一區(qū)域的外部。
[0017]該方法可進一步包括后固化通過高能光顯影的阻焊層。
[0018]被后固化的阻焊層的第一區(qū)域和第二區(qū)域可具有形成為彼此不同的表面特性。
[0019]被后固化的阻焊層的第一區(qū)域可具有形成為比第二區(qū)域的表面粗糙度大的表面粗糙度。
[0020]在曝光某些區(qū)域時，阻焊層可被劃分為第一區(qū)域、第二區(qū)域和形成在第一和第二區(qū)域之外的第三區(qū)域并且可利用不同的曝光能量順序地曝光某些區(qū)域以便形成第一曝光區(qū)域、第二曝光區(qū)域以及未曝光區(qū)域。在利用高能光顯影阻焊層時，第一曝光區(qū)域和第二曝光區(qū)域以及未曝光區(qū)域可通過使用高能光來顯影并可顯影成第一區(qū)域的剩余高度低于第二區(qū)域的剩余高度，曝光第一區(qū)域中電極焊盤的至少上表面，并且第二區(qū)域的剩余高度低于第三區(qū)域的剩余高度。
[0021]被后固化的阻焊層的第一區(qū)域可具有形成為比第二區(qū)域和第三區(qū)域的表面粗糙度大的表面粗糙度。
[0022]在曝光某些區(qū)域時，第二區(qū)域可形成于第一區(qū)域的外部，并且該方法可進一步包括通過在被后固化的阻焊層上涂布、部分曝光和顯影額外的阻焊劑來形成從第二區(qū)域的邊緣區(qū)域突出的第三區(qū)域。
[0023]在形成第三區(qū)域之后被固化的阻焊層的表面粗糙度的值可形成為使得第一區(qū)域的表面粗糙度大于第二區(qū)域和第三區(qū)域的表面粗糙度。
[0024]在利用高能光顯影阻焊層時，可通過使用準分子(excimer)紫外線(UV)來顯影阻焊層。
[0025]準分子UV可具有300nm或更小的波長。
【附圖說明】
[0026]圖1A至圖1D是示意性地示出在根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的制造用于封裝件的基板的方法中的每個步驟的橫截面的視圖。
【具體實施方式】
[0027]將參考附圖描述用于實現(xiàn)上述目標的本發(fā)明的示例性實施方式。在描述中，相同的參考標號將用于描述相同的部件，為了使本領域技術人員理解本發(fā)明，將省略對相同部件的詳細說明。
[0028]在本說明書中，將理解，除非諸如“直接”的術語被用于連接、耦接、或一個部件與另一部件之間的布置關系，否則一個部件可“直接連接至”、“直接耦接至”或“直接布置到”另一元件，或者可具有介于其間的其他元件來連接至、耦接至或布置到另一元件。
[0029]雖然在本說明書中使用了單數(shù)形式，但只要其與本發(fā)明構思不相反，在解讀上不矛盾，或者不是用作明顯不同的含義，其可用作表示所有復數(shù)形式的概念。應理解，在本說明書中使用的“包括”，“具有”，“包含”，“被配置為包括”等不排除一個或多個其他特征、部件或其組合的存在或添加。
[0030]在本說明書中提到的附圖可以是用于描述本發(fā)明的示例性實施方式的實例。在附圖中，為了有效地描述技術特征，形狀、尺寸、厚度等可被夸大。
[0031]將參考附圖詳細地描述根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的制造用于封裝件的基板的方法。在說明書中，遍及附圖，將使用相同的參考標號來描述相同的部件。
[0032]圖1A至圖1D是示意性地示出在根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的制造用于封裝件的基板的方法中的每個步驟的橫截面的視圖。
[0033]參考圖1A至圖1C，制造用于封裝件的基板的方法可被配置成包括形成阻焊層(參見圖1A)，曝光某些區(qū)域(參見圖1B)、以及利用高能光顯影阻焊層(參見圖1C)。此外，參考圖1D，根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的制造用于封裝件的基板的方法可進一步包括后固化顯影的阻焊層(參見圖1D)。
[0034]參照圖1A，在阻焊層的形成中，阻焊層50’可形成在具有在其上形成的電極焊盤30的未涂覆的基板10上以覆蓋電極焊盤30。在本說明書中，未涂覆的基板10是指在沒有涂覆阻焊層50’前的基板。
[0035]接下來，參照圖1B，在某些區(qū)域的曝光中，可曝光阻焊層50’。在圖1B中，參考標號50’b表示其中通過圖1A的阻焊層的形成所形成的阻焊層50’被曝光的區(qū)域，例如，第二區(qū)域50’b。首先，阻焊層50’被劃分為區(qū)域并且曝光所劃分的區(qū)域中的某些區(qū)域。阻焊層50’的區(qū)域可包括覆蓋某些或全部電極焊盤30的第一區(qū)域50’ a以及由第一區(qū)域50’ a之外的區(qū)域形成的第二區(qū)域50’ b。在這種情況下，可曝光第一區(qū)域50’ a和第二區(qū)域50’ b的某些區(qū)域。盡管未示出，通過使用光掩?？善毓饽承﹨^(qū)域。例如，在負性方法(negativemethod)的情況下，可曝光未通過隨后的顯影過程移除的第二區(qū)域50’b。例如，在某些區(qū)域的曝光中，可通過使用在光致反應波長帶中的光(例如，紫外光、可見光和/或紅外光)來執(zhí)行曝光。在這種情況下，可根據(jù)包括在阻焊劑(SR)中的光引發(fā)劑來確定光致反應波長帶。
[0036]例如，根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式，在某些區(qū)域的曝光中，阻焊層50’的區(qū)域可被劃分成使得第二區(qū)域50’ b形成在第一區(qū)域50’ a的外部。
[0037]例如