3上電鍍形成線路層141，且于該基板本體10的置晶偵儀于本實(shí)施例為上側(cè))的導(dǎo)電通孔121的端面上形成電性連接凸塊142，并可視實(shí)際作業(yè)所需，一并成形該線路層141與電性連接凸塊142，令該電性連接凸塊142的頂部為一承接面 1421。
[0043]請參照圖1E,通過閃蝕(flash etching)方式移除外露的該導(dǎo)電層13。
[0044]請參照圖1F，于該電性連接凸塊142上覆晶接置晶片20，該晶片20的一表面上具有銅柱21，該銅柱21的底部具有一與焊料30電性連接的銅柱端面211，該晶片20通過銅柱21、焊料30與電性連接凸塊142電性連接基板本體10。
[0045]請參閱圖2A至圖2C，其為圖1F的俯視圖的不同實(shí)施例，且為了便于說明而僅顯示銅柱端面211、承接面1421與導(dǎo)電通孔121的端面。
[0046]如圖2A所示，本發(fā)明的承接面1421的面積小于該銅柱端面211的面積，該電性連接凸塊142的最窄寬度小于該銅柱端面211的直徑，且電性連接凸塊142立體地突出于導(dǎo)電通孔121的端面，請同時(shí)參閱圖1F，以令該焊料30熔融時(shí)得以包覆該電性連接凸塊142，以提聞焊接/[目賴性。
[0047]而在此圖2A中，該承接面1421的圖案為矩形，但不以此為限。
[0048]再參考圖2B，其為圖2A的另一實(shí)施例，該承接面1421的面積小于該銅柱端面211的面積，且該電性連接凸塊142的最窄寬度小于該銅柱端面211的直徑，該承接面1421的圖案為十字形，但也不以此為限，該承接面1421的圖案也可例如為圓形或其他形狀。
[0049]如圖2C所示，其為圖2A的又一實(shí)施例，本圖式還顯示該線路層141與電性連接凸塊142，該線路層141連接該電性連接凸塊142。
[0050]本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體封裝件，包括:基板本體10，其具有相對的兩表面101，且其中一該表面101為置晶側(cè)；導(dǎo)電通孔121，其形成于該基板本體10中，且貫穿其相對兩表面101 ;電性連接凸塊142，其形成于該基板本體10的置晶側(cè)的導(dǎo)電通孔121的端面上；線路層141，其形成于該基板本體10的置晶側(cè)的表面101上；以及晶片20，其接置于該基板本體10上，該晶片20的一表面上具有銅柱21，該銅柱21上設(shè)置有焊料30，該晶片20通過銅柱21、焊料30與電性連接凸塊142電性連接基板本體10。
[0051]前述的半導(dǎo)體封裝件中，該銅柱21的底部具有一與焊料30電性連接的銅柱端面211，該電性連接凸塊142立體地突出于導(dǎo)電通孔121的端面，請同時(shí)參閱圖1F，該電性連接凸塊142的頂部為一承接面1421，該承接面1421的面積小于該銅柱端面211的面積，該電性連接凸塊142的最窄寬度小于該銅柱端面211的直徑，以令該焊料30熔融時(shí)得以包覆該電性連接凸塊142，以提高焊接信賴性。
[0052]于本實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件中，該承接面1421的圖案為矩形、十字形、圓形或其他外形，但不以此為限。而形成該基板本體10的材質(zhì)為雙馬來醢亞胺-三氮雜苯樹脂(Bismaleimide-Triazine resin, BT 樹脂)，也不以此為限。
[0053]綜上所述，相比于現(xiàn)有技術(shù)，由于本發(fā)明通過于基板的置晶側(cè)的導(dǎo)電通孔的端面上形成電性連接凸塊，且該電性連接凸塊立體地突出于導(dǎo)電通孔的端面，使得后續(xù)覆晶接置用的焊料能包覆圍繞該電性連接凸塊，即焊料與基板本體間的接觸面積顯著增加，進(jìn)而能改善現(xiàn)有塞孔處焊接品質(zhì)不佳的問題，并有效提高晶片與基板間的焊接效果與焊接信賴性。
[0054]上述實(shí)施例僅用以例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員均可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對上述實(shí)施例進(jìn)行修改。因此本發(fā)明的權(quán)利保護(hù)范圍，應(yīng)如權(quán)利要求書所列。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體封裝件的制法，包括: 于一基板本體中形成多個(gè)貫穿其相對兩表面的導(dǎo)電通孔； 于該基板本體的一該表面的導(dǎo)電通孔的端面上形成電性連接凸塊，并于該基板本體的兩表面上形成線路層；以及 于該基板本體上接置晶片，該晶片通過該電性連接凸塊電性連接該基板本體。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該晶片的一表面上具有銅柱，于該銅柱上形成有焊料，該晶片與該基板本體之間進(jìn)一步通過銅柱、焊料與電性連接凸塊電性連接。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該電性連接凸塊的頂部為一承接面，該銅柱的底部具有一與焊料電性連接的銅柱端面，該承接面的面積小于該銅柱端面的面積。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該承接面的圖案為矩形、十字形或圓形。
5.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該電性連接凸塊的最窄寬度小于該銅柱端面的直徑。
6.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該焊料還包覆該電性連接凸塊。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，于該基板本體中形成該導(dǎo)電通孔的步驟包括: 提供一該兩表面均形成有第一金屬層的該基板本體； 形成貫穿該兩表面與兩第一金屬層的通孔； 于各該第一金屬層上形成第二金屬層，該第二金屬層并填入該通孔中而構(gòu)成該導(dǎo)電通孔；以及 移除高于各該表面的第一金屬層與第二金屬層。
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，形成該第一金屬層與第二金屬層的材質(zhì)為銅。
9.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，形成該通孔的方式為機(jī)械鉆孔或激光鉆孔。
10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，形成該電性連接凸塊與線路層的步驟包括: 于該基板本體的兩表面與該基板本體的導(dǎo)電通孔的端面上形成導(dǎo)電層； 于該導(dǎo)電層上電鍍形成該電性連接凸塊與線路層；以及 移除外露的該導(dǎo)電層。
11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，形成該基板本體的材質(zhì)為雙馬來醢亞胺-三氮雜苯樹脂。
12.—種半導(dǎo)體封裝件，包括: 基板本體，其具有相對的兩表面； 多個(gè)導(dǎo)電通孔，其形成于該基板本體中，且貫穿該相對兩表面； 電性連接凸塊，其形成于該基板本體的一該表面的導(dǎo)電通孔的端面上； 線路層，其形成于該基板本體的該表面上；以及 晶片，其接置于該基板本體上，該晶片與該基板本體之間通過該電性連接凸塊電性連接。
13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該晶片的一表面上具有銅柱，該銅柱上設(shè)置有焊料，該晶片與該基板本體之間進(jìn)一步通過銅柱、焊料與電性連接凸塊電性連接。
14.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該線路層電性連接該電性連接凸塊。
15.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該電性連接凸塊的最窄寬度小于該銅柱端面的直徑。
16.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該電性連接凸塊的頂部為一承接面，該銅柱的底部具有一與焊料電性連接的銅柱端面，該承接面的面積小于該銅柱端面的面積。
17.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該承接面的圖案為矩形、十字形或圓形。
18.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該焊料還包覆該電性連接凸塊。
19.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，形成該基板本體的材質(zhì)為雙馬來醢亞胺-三氮雜苯樹脂。
【專利摘要】一種半導(dǎo)體封裝件及其制法，該制法先于一基板本體中形成貫穿其相對兩表面的導(dǎo)電通孔，再于該基板本體的置晶側(cè)的導(dǎo)電通孔的端面上形成電性連接凸塊，并于該基板本體的兩表面上形成線路層，且于該基板本體上接置晶片，該晶片的一表面上具有銅柱，該銅柱上設(shè)置有焊料，該晶片通過銅柱、焊料與電性連接凸塊電性連接基板本體，由于焊料熔融時(shí)可以包覆該電性連接凸塊，進(jìn)以提升焊接效果與信賴性。
【IPC分類】H01L23-488, H01L23-492
【公開號】CN104779231
【申請?zhí)枴緾N201410038799
【發(fā)明人】高灃, 張正楷, 廖信一
【申請人】矽品精密工業(yè)股份有限公司
【公開日】2015年7月15日
【申請日】2014年1月27日