薄膜晶體管和陣列基板及其制作方法、顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜晶體管和陣列基板及其制作方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]通常，薄膜晶體管對(duì)像素的充放電速度可由亞閾值擺幅表示，亞閾值擺幅越小，表示薄膜晶體管對(duì)像素的充放電速度越快。其中，亞閾值擺幅定義為固定源漏極電壓時(shí)，電流每變化十倍對(duì)應(yīng)的柵極電壓的變化值。亞閾值擺幅與薄膜晶體管的柵極對(duì)溝道的靜電控制能力有關(guān)，當(dāng)柵極對(duì)溝道靜電控制能力強(qiáng)時(shí)，電流每變化十倍對(duì)應(yīng)的柵極電壓的變化值小，也即亞閾值擺幅小。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中，如圖1所示，薄膜晶體管包括依次層疊設(shè)置的有源層1’、柵極2’、源極3’和漏極4’等，其中，有源層I’在源極3’和漏極4’之間的區(qū)域用于作為溝道。然而，本申請(qǐng)的發(fā)明人發(fā)現(xiàn):上述薄膜晶體管中的柵極2’對(duì)位于源極3’和漏極4’之間的溝道靜電控制能力較弱，使得薄膜晶體管的亞閾值擺幅較大，從而使得薄膜晶體管對(duì)像素的充放電速度較慢。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種薄膜晶體管和陣列基板及其制作方法、顯示裝置，用于降低薄膜晶體管的亞閾值擺幅。
[0005]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
[0006]一種薄膜晶體管，包括有源層、源極和漏極，還包括第一柵極，所述第一柵極的形狀為環(huán)形；
[0007]所述有源層包括第一部分、第二部分以及連接所述第一部分和所述第二部分的第三部分，所述第一部分和所述第二部分水平設(shè)置，且分別與所述源極和所述漏極連接，所述第三部分傾斜設(shè)置，所述第三部分上設(shè)有溝道，且所述溝道至少有一部分位于所述第一柵極的內(nèi)側(cè)。
[0008]所述漏極位于所述第一柵極內(nèi)側(cè)，所述第一柵極包括柵底部，所述柵底部和所述漏極同層設(shè)置。
[0009]所述源極位于所述第一柵極的內(nèi)側(cè)，且位于所述漏極的外側(cè)，所述第一柵極還包括與所述柵底部電連接的柵頂部，所述柵頂部和所述源極同層設(shè)置。
[0010]所述薄膜晶體管還包括溝道輔助層，所述漏極、所述溝道輔助層、所述有源層和所述源極依次層疊設(shè)置，所述溝道輔助層上設(shè)置有對(duì)應(yīng)于所述漏極的第一過(guò)孔，所述有源層通過(guò)所述第一過(guò)孔與所述漏極連接。
[0011]所述有源層的第三部分為環(huán)形結(jié)構(gòu)，所述有源層的第三部分的內(nèi)側(cè)設(shè)有第二柵極。
[0012]所述第二柵極和所述源極同層設(shè)置。
[0013]所述薄膜晶體管還包括柵極絕緣層，所述柵極絕緣層位于所述有源層和所述第二柵極之間，所述柵極絕緣層上設(shè)置有對(duì)應(yīng)于所述源極第二過(guò)孔，所述有源層通過(guò)所述第二過(guò)孔與所述源極連接；
[0014]所述柵極絕緣層上還設(shè)置有對(duì)應(yīng)于所述第二柵極的盲孔，所述第二柵極位于所述盲孔中。
[0015]所述第三部分的水平截面的形狀為環(huán)形，所述漏極的形狀為圓形，所述源極的形狀為環(huán)形。
[0016]本發(fā)明提供的薄膜晶體管具有如上結(jié)構(gòu)，由于薄膜晶體管包括的第一柵極的形狀為環(huán)形，其可在各個(gè)方向?qū)τ性磳又杏糜谧鳛闇系赖牡谌糠诌M(jìn)行靜電控制，因而可提高第一柵極對(duì)溝道的靜電控制能力，從而可降低薄膜晶體管的亞閾值擺幅，提高顯示裝置的:!? 生會(huì)K ο
[0017]此外，本發(fā)明還提供了一種陣列基板，該陣列基板包括如上所述的薄膜晶體管。
[0018]所述陣列基板還包括輔助電極層，所述薄膜晶體管中的柵底部、柵頂部和所述輔助電極層依次層疊設(shè)置，且所述輔助電極層與所述柵頂部電連接，所述輔助電極層在所述漏極所在平面上的投影與所述漏極具有交疊區(qū)域，所述第三部分在所述漏極所在平面上的投影位于所述交疊區(qū)域內(nèi)。
[0019]所述陣列基板還包括像素電極，所述像素電極與所述源極電連接，且所述像素電極與所述輔助電極層同層設(shè)置。
[0020]所述輔助電極層的形狀為具有開(kāi)口的環(huán)形，所述像素電極在所述輔助電極層的開(kāi)口處與所述源極電連接。
[0021]所述陣列基板還包括鈍化層，所述鈍化層位于所述柵頂部和所述輔助電極層之間，所述鈍化層上設(shè)置有對(duì)應(yīng)于所述輔助電極層的第三過(guò)孔，以及對(duì)應(yīng)于所述像素電極第四過(guò)孔，所述柵頂部通過(guò)所述第三過(guò)孔與所述輔助電極層電連接，所述源極通過(guò)所述第四過(guò)孔與所述像素電極電連接。
[0022]所述陣列基板還包括數(shù)據(jù)線，所述漏極的形狀為圓形，柵底部的形狀為具有開(kāi)口的環(huán)形，所述漏極通過(guò)穿過(guò)所述柵底部開(kāi)口的連接結(jié)構(gòu)與所述數(shù)據(jù)線電連接。
[0023]所述源極的形狀為具有開(kāi)口的環(huán)形，柵頂部的形狀為環(huán)形，第二柵極的形狀為圓形，所述第二柵極通過(guò)穿過(guò)所述源極開(kāi)口的連接結(jié)構(gòu)與所述柵頂部電連接。
[0024]本發(fā)明提供的陣列基板具有以上所述的結(jié)構(gòu)，相比于現(xiàn)有技術(shù)中的陣列基板，由于本發(fā)明提供的陣列基板中設(shè)有上述薄膜晶體管，而該薄膜晶體管中的第一柵極對(duì)溝道的靜電控制能力較強(qiáng)，因而可以降低亞閾值擺，進(jìn)而可提高顯示裝置的顯示性能。
[0025]此外，本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括如上所述的陣列基板。
[0026]所述顯示裝置為有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，輔助電極層為陽(yáng)極層。
[0027]此外，本發(fā)明還提供了一種薄膜晶體管的制作方法，包括:
[0028]在襯底基板上形成一層第一導(dǎo)電層，經(jīng)過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括環(huán)形第一柵極的柵底部和漏極的圖形；
[0029]在形成了包括所述柵底部和所述漏極的圖形的所述襯底基板上，形成一層溝道輔助層，經(jīng)過(guò)構(gòu)圖工藝形成對(duì)應(yīng)于所述漏極的第一過(guò)孔；
[0030]在形成了所述溝道輔助層的所述襯底基板上，形成一層半導(dǎo)體層，經(jīng)過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括有源層的圖形，其中，所述有源層包括第一部分、第二部分和連接所述第一部分和所述第二部分的第三部分，所述第一部分和所述第二部分水平設(shè)置，所述第三部分傾斜設(shè)置，所述第三部分上設(shè)有溝道，且所述溝道至少有一部分位于所述第一柵極的內(nèi)側(cè)，所述第二部分通過(guò)所述第一過(guò)孔與所述漏極連接；
[0031]在形成了包括所述有源層的圖形的所述襯底基板上，形成一層?xùn)艠O絕緣層，經(jīng)過(guò)構(gòu)圖工藝形成對(duì)應(yīng)于源極的第二過(guò)孔，以及對(duì)應(yīng)于第二柵極的第二盲孔；
[0032]在形成了所述柵極絕緣層的所述襯底基板上，形成一層第二導(dǎo)電層，經(jīng)過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括所述第一柵極的柵頂部、所述第二柵極和所述源極的圖形，所述第一部分通過(guò)所述第二過(guò)孔與所述源極連接，所述第二柵極位于所述盲孔中。
[0033]本發(fā)明提供的薄膜晶體管的制作方法包括以上所述的步驟，由于制作的薄膜晶體管的第一柵極的形狀為環(huán)形，其可在各個(gè)方向?qū)τ性磳又杏米鳒系赖牡谌糠诌M(jìn)行靜電控制，因而可提高第一柵極對(duì)溝道的靜電控制能力，從而可降低薄膜晶體管的亞閾值擺幅，提高顯示裝置的顯示性能。
[0034]此外，本發(fā)明還提供了一種陣列基板的制作方法，包括如上所述的薄膜晶體管的制作方法。
[0035]陣列基板的制作方法還包括:
[0036]在形成了所述薄膜晶體管的所述襯底基板上，形成一層鈍化層，經(jīng)過(guò)構(gòu)圖工藝形成對(duì)應(yīng)于輔助電極層的第三過(guò)孔，以及對(duì)應(yīng)于像素電極的第四過(guò)孔；
[0037]在形成了所述鈍化層的所述襯底基板上，形成透明導(dǎo)電層，經(jīng)過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括所述輔助電極層和所述像素電極的圖形，所述柵頂部通過(guò)所述第三過(guò)孔與所述輔助電極層電連接，所述源極通過(guò)所述第四過(guò)孔與所述像素電極電連接；以及
[0038]在形成所述柵底部和所述漏極的圖形的同時(shí)，形成數(shù)據(jù)線。
[0039]因所述陣列基板的制作方法與上述陣列基板相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)所具有的優(yōu)勢(shì)相同，在此不再贅述。
【附圖說(shuō)明】
[0040]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些