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      大面積量子點發(fā)光裝置的制造方法_2

      文檔序號:8458420閱讀:來源:國知局
      量子發(fā)光層40進行導(dǎo)通,僅保持電子傳輸層23、空穴傳輸層33與量子發(fā)光層40相導(dǎo)通即可。
      [0026]參見圖2。大面積量子點發(fā)光裝置采用的基板10為層狀結(jié)構(gòu),依次包括:第一絕緣層11、第一導(dǎo)電層12、第二絕緣層13和第二導(dǎo)電層14。其中第一絕緣層11和第二絕緣層13可為基板本身材料制成,也可以是填充其他絕緣物質(zhì)制成?;?0為玻璃基板或陶瓷基板,具有一定厚度,在板中分層挖設(shè)導(dǎo)電溝槽,并在兩層導(dǎo)電溝槽內(nèi)填充導(dǎo)電材料,形成第一導(dǎo)電層12與第二導(dǎo)電層14,陰極部20、陽極部30與量子發(fā)光層40設(shè)置在第一絕緣層11上方。然后在第一絕緣層11開設(shè)貫穿其的第一通孔15,第一通孔15分別連接第一導(dǎo)電層12與陽極31 ;同樣在第二導(dǎo)電層14與陰極21之間開設(shè)第二通孔16,第二通孔16貫穿第一絕緣層11、第一導(dǎo)電層12,第二絕緣層13,連接第二導(dǎo)電層14與陰極21。
      [0027]進一步地,第一通孔15與第二通孔16為雙層結(jié)構(gòu),通孔內(nèi)層為導(dǎo)電材料,通孔外層為絕緣材料,通過內(nèi)層導(dǎo)電材料實現(xiàn)目標(biāo)導(dǎo)電層與目標(biāo)電極的電通性,而與其他層結(jié)構(gòu)絕緣。
      [0028]此外,通孔也可以僅由一層絕緣結(jié)構(gòu)組成。在通孔內(nèi)部加設(shè)導(dǎo)線,導(dǎo)線連接目標(biāo)導(dǎo)電層與目標(biāo)電極,實現(xiàn)電通性。
      [0029]在其他實施例中,第一通孔15也可連接陰極21,第二通孔16連接陽極31,通孔與電極的連接對應(yīng)方式可以按需調(diào)整。
      [0030]為了更好地敘述本發(fā)明提出的大面積量子點發(fā)光裝置,將裝置分解多組發(fā)光單元,每組發(fā)光單元包括相鄰的兩個陰極部20與陽極部30,以及下方的基板10結(jié)構(gòu)與上方的量子發(fā)光層40結(jié)構(gòu)。
      [0031]參見圖3?;?0內(nèi)設(shè)置第一導(dǎo)電層12與第二導(dǎo)電層14,分別對應(yīng)設(shè)置基板10上的量子點發(fā)光單元的陰極21與陽極31。垂直于基板10面方向上,在陰極21上依次形成電子注入層22、電子傳輸層23 ;同樣在陽極31上依次形成空穴注入層32與空穴傳輸層33。陰極部20與陽極部30形成兩個垂直于基板10的柱狀結(jié)構(gòu)。量子發(fā)光層40包覆陰極部20與陽極部30,由于量子發(fā)光層40與陰極21、陽極31、電子注入層22、空穴注入層32設(shè)有絕緣層,同樣與基板10內(nèi)部被第一絕緣層11阻礙,因此僅與電子傳輸層23、空穴傳輸層33電導(dǎo)通。而大面積的顯示裝置由多個上述發(fā)光單元依次排列組成。
      [0032]在一個實施例中,基板10表面設(shè)有反射層。反射層由銀、鋁等金屬制成,預(yù)先鋪設(shè)在基板10表面上,再在基板上挖孔進行陰陽極以及各層的制作。反射層將量子發(fā)光層40向下照射的光線向上反射,提高頂面的出光量。
      [0033]以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的幾種實施方式,其描述較為具體和詳細,但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是,對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下,還可以做出若干變形和改進,這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。因此,本發(fā)明專利的保護范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
      【主權(quán)項】
      1.一種大面積量子點發(fā)光裝置,其特征在于,包括: 基板; 陰極部,包括依次層疊的陰極、電子注入層和電子傳輸層,所述陰極設(shè)置在所述基板上; 陽極部,包括依次層疊的陽極、空穴注入層和空穴傳輸層,所述陽極設(shè)置在所述基板上;以及 量子發(fā)光層,所述量子發(fā)光層連接所述陰極與所述陽極部,所述陰極部與所述陽極部設(shè)置在所述量子發(fā)光層相同側(cè)。 所述陰極部與所述陽極部數(shù)量均為多個,所述陰極部與所述陽極部呈陣列交替排列。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大面積量子點發(fā)光裝置,其特征在于,所述量子發(fā)光層包覆所述陰極部與所述陽極部。
      3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的大面積量子點發(fā)光裝置,其特征在于,所述基板依次包括:第一絕緣層、第一導(dǎo)電層、第二絕緣層、第二導(dǎo)電層; 所述第一絕緣層開設(shè)第一通孔,所述第一通孔連接所述第一導(dǎo)電層與所述陰極; 貫穿于所述第一絕緣層、所述第一導(dǎo)電層及所述第二絕緣層而設(shè)置的第二通孔,所述第二通孔連接所述第二導(dǎo)電層與所述陽極。
      4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的大面積量子點發(fā)光裝置,其特征在于,所述基板依次包括:第一絕緣層、第一導(dǎo)電層、第二絕緣層、第二導(dǎo)電層; 所述第一絕緣層開設(shè)第一通孔,所述第一通孔連接所述第一導(dǎo)電層與所述陽極; 貫穿于所述第一絕緣層、所述第一導(dǎo)電層及所述第二絕緣層而設(shè)置的第二通孔,所述第二通孔連接所述第二導(dǎo)電層與所述陰極。
      5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的大面積量子點發(fā)光裝置,其特征在于,所述第一通孔與所述第二通孔外層為絕緣層,內(nèi)層為導(dǎo)電層。
      6.根據(jù)權(quán)利要求5所述所述的大面積量子點發(fā)光裝置,其特征在于,所述基板表面設(shè)置有反光層。
      【專利摘要】一種大面積量子點發(fā)光裝置,包括:基板;陰極部,包括依次層疊的陰極、電子注入層和電子傳輸層,陰極設(shè)置在基板上;陽極部,包括依次層疊的陽極、空穴注入層和空穴傳輸層,陽極設(shè)置在基板上;以及量子發(fā)光層,量子發(fā)光層連接陰極與陽極部,陰極部與陽極部設(shè)置在量子發(fā)光層相同側(cè)。陰極部與陽極部數(shù)量為多個,陰極部與陽極部呈陣列交替排列。上述大面積量子點發(fā)光裝置將陰極部與陽極部設(shè)置在量子發(fā)光層的相同側(cè),光直接從量子發(fā)光層發(fā)射出來,避免了傳統(tǒng)器件結(jié)構(gòu)中各層對光造成的損耗,提高光亮度;此外,對陰極部和陽極部采用陣列式的交替排列方式,各電極四周均分布為極性相反電極,充分促進了電子與空穴的遷移與復(fù)合,提高電極的利用率。
      【IPC分類】H01L33-36, H01L33-06
      【公開號】CN104779333
      【申請?zhí)枴緾N201510179347
      【發(fā)明人】曹進, 張雪, 周潔, 謝婧薇, 陳赟漢, 陳安平, 魏翔, 張建華
      【申請人】上海大學(xué)
      【公開日】2015年7月15日
      【申請日】2015年4月15日
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