模塊化封裝的集成電路芯片及其制作方法
【專利說明】模塊化封裝的集成電路芯片及其制作方法
[0001]
技術(shù)領域
[0002]本發(fā)明涉及系統(tǒng)級封裝制造領域，具體地，涉及一種模塊化封裝的集成電路芯片及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0003]隨著芯片制造工藝的不斷發(fā)展，集成度不斷提高，以及芯片功能越來越復雜，芯片設計的難度也與日俱增。將成熟的裸片合封成一塊芯片的SiP (System in Package，系統(tǒng)級封裝)技術(shù)是一種應運而生的新興技術(shù)。該技術(shù)是指將多種功能的裸片(可包括中央處理器、協(xié)處理器、存儲器、電阻、電容、電感等)，根據(jù)需要集成在一個封裝內(nèi)，最終實現(xiàn)完整的功能。需要特別指出的是，SiP與SoC (System on a Chip，片上系統(tǒng))類似，但SiP采用的是不同芯片進行并排或堆疊等封裝方式，而SoC則是所有功能集成在一個裸片上的芯片產(chǎn)品。所以，SiP技術(shù)的優(yōu)勢在于不需重新進行復雜的裸片設計以及等待流片的時間，即可使用現(xiàn)有成熟的裸片直接進行封裝，以滿足設計需求。
[0004]然而，目前芯片從開始設計到最終產(chǎn)品完成生產(chǎn)的周期仍然很長，無法滿足越來越快的產(chǎn)品更新迭代速度。而一旦產(chǎn)品更新不夠快，就無法滿足市場需求和整個行業(yè)的發(fā)展速度。因此，芯片制造過程中，對于芯片封裝的要求，尤其是時效性要求也與日俱增。
[0005]系統(tǒng)級封裝技術(shù)有著眾多優(yōu)點，尤其是在快速完成芯片產(chǎn)品的研發(fā)方面有著巨大的優(yōu)勢，但由于目前在芯片制造上各中芯片內(nèi)裸片設置方式不同以及裸片接口的不統(tǒng)一，導致在芯片更新升級時無法直接更換原始裸片。目前在遇到需要對芯片進行升級時，只能更換整個芯片，因此而產(chǎn)生更多的芯片設計時間，延長了產(chǎn)品升級所需要的時間。而且被替換下來的芯片也造成了資源的浪費，沒有實現(xiàn)對裸片的有效利用。在對大批量產(chǎn)品的芯片進行升級時，上述時間延誤以及資源浪費產(chǎn)生的影響將十分顯著。
[0006]綜上所述，目前常見芯片系統(tǒng)級封裝方法普遍存在應用范圍較窄、可塑性較低、升級成本較高的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]針對現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷，本發(fā)明的目的是提供一種模塊化封裝的集成電路芯片。
[0008]根據(jù)本發(fā)明提供的一種模塊化封裝的集成電路芯片制作方法，用于制作目標芯片，其特征在于，包括:
Si，根據(jù)目標芯片的功能和性能要求制作若干第一裸片和若干第二裸片，所述第一裸片和第二裸片的形狀為由整數(shù)個預設的基準矩形組成的正方形或長方形，且所述第二裸片小于所述第一裸片，
所述第一裸片上設置有若干接口，所述接口之間具有預設間距，所述接口組成一接口矩陣，所述接口的數(shù)量大于制作的所述第二裸片的數(shù)量，且所述預設間距大于所述第二裸片的最大尺寸；
S2，從步驟SI制作的所述若干第一裸片和若干第二裸片中選取一第一裸片和至少一第二裸片；
S3，將步驟S2所選的所述第一裸片和第二裸片進行模塊化封裝獲得所述目標芯片。
[0009]作為一種優(yōu)化方案，所述步驟SI還包括為所述第一裸片和第二裸片設置防靜電保護結(jié)構(gòu)，使所述第一裸片和第二裸片達到相同的預設防靜電等級。
[0010]作為一種優(yōu)化方案，所述步驟SI還包括將所述第二裸片的管腳數(shù)設置為4的倍數(shù)，設置所述第一裸片的管腳數(shù)大于或等于任一所述第二裸片的管腳數(shù)。
[0011]作為一種優(yōu)化方案，所述步驟SI中的所述接口為通信接口和/或存儲接口。
[0012]作為一種優(yōu)化方案，所述步驟SI中第一裸片和第二裸片的制作工藝等級不同，且所述第一裸片的工藝等級高于所述第二裸片。
[0013]基于同樣的發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明還提供了一種模塊化封裝的集成電路芯片，其特征在于，包括一個作為中央處理器裸片的第一裸片、至少一個第二裸片以及芯片管腳；
至少一個所述第二裸片以并排或堆疊的封裝方式設置在所述第一裸片頂部，并與所述第一裸片和/或芯片管腳相連；
其中，所述第一裸片上設置有若干接口，所述接口之間具有預設間距，所述若干接口組成一接口矩陣，所述預設間距大于所述第二裸片的尺寸；
所述第一裸片和第二裸片的形狀為由整數(shù)個預設的基準矩形組成的正方形或長方形，所述第二裸片的尺寸小于所述第一裸片。
[0014]作為一種優(yōu)化方案，所述第一裸片和第二裸片具有相同工藝等級。
[0015]作為一種優(yōu)化方案，所述第一裸片和第二裸片具有不同工藝等級，所述第一裸片的工藝等級高于所述第二裸片。
[0016]作為一種優(yōu)化方案，所述第一裸片和第二裸片還分別設置有防靜電保護結(jié)構(gòu)，且所述第二裸片的防靜電保護等級與所述第一裸片的防靜電等級相等。
[0017]作為一種優(yōu)化方案，所述接口矩陣包含通信接口和/或存儲接口，所述第一裸片通過所述通信接口和/或存儲接口與所述第二裸片相連。
[0018]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下的有益效果:
本發(fā)明采用一種模塊化封裝的集成電路芯片及其制作方法，其優(yōu)點在于:即擁有良好的適用范圍，可以根據(jù)設計需求選擇現(xiàn)有的已經(jīng)模塊化設計的第一裸片和/或第二裸片，也可以重新在模塊化設計的框架下加入新的第一裸片和/或第二裸片以滿足設計需求，具有極好的可塑性、拓展性。同時，所有已有的裸片均可自由組合，為二次開發(fā)節(jié)省了大量人力、物力和時間成本。此外，由于各裸片往往經(jīng)過了幾代產(chǎn)品的成品驗證，因此可靠性更好，開發(fā)風險較低。經(jīng)過一些技術(shù)積累后，可組建功能完整、強大的裸片庫，大大方面高性能、復合功能芯片的設計和制造。本發(fā)明采用模塊化的設計，標準尺寸的裸片，標準的接口，從而帶來裸片之間快速按需更換的方便和可靠。
【附圖說明】
[0019]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單的介紹，顯而易見，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。附圖中:
圖1是可選的一種實施例中模塊化封裝的集成電路芯片結(jié)構(gòu)示意圖(俯視圖)；
圖2是可選的另一種實施例中模塊化封裝的集成電路芯片結(jié)構(gòu)示意圖(側(cè)視圖)；
圖3是可選的一種實施例中的模塊化封裝的集成電路芯片制作方法流程圖；
圖4是可選的一種實施例中合封I個第二裸片的模塊化封裝的集成電路芯片示意圖； 圖5是可選的一種實施例中左右平鋪合封的模塊化封裝的集成電路芯片示意圖圖6是可選的一種實施例中內(nèi)埋合封第二裸片的模塊化封裝的集成電路芯片示意圖。
[0020]其中，圖中標號分別表示:1_第一裸片，2-第二裸片，3-橋接電路，4-接口，5-基板，6-管腳。
【具體實施方式】
[0021]下文結(jié)合附圖以具體實施例的方式對本發(fā)明進行詳細說明。以下實施例將有助于本領域的技術(shù)人員進一步理解本發(fā)明，但不以任何形式限制本發(fā)明。應當指出的是，還可以使用其他的實施例，或者對本文列舉的實施例進行結(jié)構(gòu)和功能上的修改，而不會脫離本發(fā)明的范圍和實質(zhì)。
[0022]如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)中常見的系