的面積，大大提高了倒裝LED芯片的發(fā)光亮度；
[0113]2、本發(fā)明采用矩形片狀的第一焊盤和第二焊盤，所述第一焊盤和第二焊盤沿第一條狀金屬層和第二條狀金屬層的長(zhǎng)度方向上下排列，幾乎全部覆蓋了芯片的面積，其可將絕緣反射層透射出來(lái)的小部分光再次反射回去，進(jìn)一步提高了倒裝LED芯片的發(fā)光亮度；
[0114]3、本發(fā)明可采用DBR作絕緣反射層，性能更穩(wěn)定，也省去了鈍化層、保護(hù)層等繁瑣的工藝步驟，而這些工藝步驟正是芯片制造端的技術(shù)瓶頸，在解決了芯片制造端的技術(shù)難題的同時(shí)降低了 LED的生產(chǎn)成本。
[0115]上述描述僅是對(duì)本發(fā)明較佳實(shí)施例的描述，并非對(duì)本發(fā)明范圍的任何限定，本發(fā)明領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)上述揭示內(nèi)容做的任何變更、修飾，均屬于權(quán)利要求書的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種倒裝LED芯片，其特征在于，包括: 襯底以及形成于所述襯底上的外延層，所述外延層包括依次形成于所述襯底上的N型外延層、有源層和P型外延層； 形成于所述外延層中并暴露所述N型外延層的陣列排布的凹槽； 形成于所述P型外延層上的接觸層，所述接觸層對(duì)應(yīng)所述凹槽的位置處設(shè)有接觸層開P ； 形成于所述接觸層上的若干第一柱狀金屬層以及形成于每個(gè)凹槽內(nèi)的第二柱狀金屬層； 形成于所述P型外延層、接觸層、第一柱狀金屬層、第二柱狀金屬層上以及所述凹槽內(nèi)的絕緣反射層，所述絕緣反射層設(shè)有暴露所述第一柱狀金屬層的第一絕緣反射層開口以及暴露所述第二柱狀金屬層的第二絕緣反射層開口； 形成于所述絕緣反射層上的若干間隔排布的第一條狀金屬層和第二條狀金屬層； 形成于所述絕緣反射層、第一條狀金屬層和第二條狀金屬層上的絕緣層，所述絕緣層設(shè)有暴露所述第一條狀金屬層部分區(qū)域的第一絕緣層開口以及暴露所述第二條狀金屬層部分區(qū)域的第二絕緣層開口 ；以及 形成于所述絕緣層上的第一焊盤和第二焊盤，所述第一焊盤通過(guò)所述第一條狀金屬層和第一柱狀金屬層與所述P型外延層形成電連接，所述第二焊盤通過(guò)所述第二條狀金屬層和第二柱狀金屬層與所述N型外延層形成電連接。
2.如權(quán)利要求1所述的倒裝LED芯片，其特征在于，所述第一條狀金屬層和第二條狀金屬層均呈矩形條狀。
3.如權(quán)利要求1或2所述的倒裝LED芯片，其特征在于，所述第一條狀金屬層與同一行中所有第一柱狀金屬層電連接，所述第二條狀金屬層與同一行中所有第二柱狀金屬層電連接；或者，所述第一條狀金屬層與同一列中所有第一柱狀金屬層電連接，所述第二條狀金屬層與同一列中所有第二柱狀金屬層電連接。
4.如權(quán)利要求1或2所述的倒裝LED芯片，其特征在于，所述第一絕緣層開口和第二絕緣層開口均呈矩形條狀，所述第一絕緣層開口和第二絕緣層開口沿所述第一條狀金屬層和所述第二條狀金屬層的長(zhǎng)度方向錯(cuò)開分布。
5.如權(quán)利要求1或2所述的倒裝LED芯片，其特征在于，所述第一焊盤和第二焊盤均呈矩形片狀，所述第一焊盤和第二焊盤沿所述第一條狀金屬層和第二條狀金屬層的長(zhǎng)度方向排列。
6.如權(quán)利要求1或2所述的倒裝LED芯片，其特征在于，還包括陣列排布于所述P型外延層上的阻擋層，所述第一柱狀金屬層形成于所述阻擋層上方的接觸層上，所述阻擋層與所述凹槽間隔錯(cuò)開排布。
7.如權(quán)利要求1或2所述的倒裝LED芯片，其特征在于，還包括一倒裝基板，所述倒裝基板包括第一導(dǎo)電基板、第二導(dǎo)電基板以及用以絕緣隔離所述第一導(dǎo)電基板和第二導(dǎo)電基板的絕緣隔離固定板，所述第一導(dǎo)電基板與所述第一焊盤形成電連接，所述第二導(dǎo)電基板與所述第二焊盤形成電連接。
8.如權(quán)利要求1或2所述的倒裝LED芯片，其特征在于，還包括形成于所述倒裝基板與所述第一焊盤和第二焊盤的接觸面上的粘合層。
9.如權(quán)利要求1或2所述的倒裝LED芯片，其特征在于，所述絕緣反射層是DBR反射層；或者，所述絕緣反射層由金屬反射層和絕緣介質(zhì)層組合而成，所述金屬反射層的材料為銀，所述絕緣介質(zhì)層的材料為二氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的至少一種。
10.如權(quán)利要求1或2所述的倒裝LED芯片，其特征在于，所述第一柱狀金屬層、第二柱狀金屬層、第一條狀金屬層、第二條狀金屬層、第一焊盤和第二焊盤均由Cr、T1、Al、N1、Au、Ag、Cu、Sn中至少兩種材料組合而成。
11.一種倒裝LED芯片的制作方法，其特征在于，包括: 提供一襯底，所述襯底上形成有外延層，所述外延層包括依次形成于所述襯底上的N型外延層、有源層和P型外延層； 在所述外延層中形成若干暴露所述N型外延層的陣列排布的凹槽； 在所述P型外延層上形成接觸層，所述接觸層對(duì)應(yīng)所述凹槽的位置處設(shè)有接觸層開P ; 在所述接觸層上形成若干第一柱狀金屬層，并在每個(gè)凹槽內(nèi)形成第二柱狀金屬層； 在所述P型外延層、接觸層、第一柱狀金屬層、第二柱狀金屬層上以及所述凹槽內(nèi)形成絕緣反射層，所述絕緣反射層設(shè)有暴露所述第一柱狀金屬層的第一絕緣反射層開口以及暴露所述第二柱狀金屬層的第二絕緣反射層開口； 在所述絕緣反射層上形成若干間隔排布的第一條狀金屬層和第二條狀金屬層； 在所述絕緣反射層、第一條狀金屬層和第二條狀金屬層上形成絕緣層，所述絕緣層設(shè)有暴露所述第一條狀金屬層部分區(qū)域的第一絕緣層開口以及暴露所述第二條狀金屬層部分區(qū)域的第二絕緣層開口 ；以及 在所述絕緣層上形成第一焊盤和第二焊盤，所述第一焊盤通過(guò)所述第一條狀金屬層和第一柱狀金屬層與所述P型外延層形成電連接，所述第二焊盤通過(guò)所述第二條狀金屬層和第二柱狀金屬層與所述N型外延層形成電連接。
12.如權(quán)利要求11所述的倒裝LED芯片的制作方法，其特征在于，所述第一條狀金屬層和第二條狀金屬層均呈矩形條狀。
13.如權(quán)利要求11或12所述的倒裝LED芯片的制作方法，其特征在于，所述第一條狀金屬層與同一行中所有第一柱狀金屬層電連接，所述第二條狀金屬層與同一行中所有第二柱狀金屬層電連接；或者，所述第一條狀金屬層與同一列中所有第一柱狀金屬層電連接，所述第二條狀金屬層與同一列中所有第二柱狀金屬層電連接。
14.如權(quán)利要求11或12所述的倒裝LED芯片的制作方法，其特征在于，所述第一絕緣層開口和第二絕緣層開口均呈矩形條狀，所述第一絕緣層開口和第二絕緣層開口沿所述第一條狀金屬層和所述第二條狀金屬層的長(zhǎng)度方向錯(cuò)開分布。
15.如權(quán)利要求11或12所述的倒裝LED芯片的制作方法，其特征在于，所述第一焊盤和第二焊盤均呈矩形片狀，所述第一焊盤和第二焊盤沿所述第一條狀金屬層和第二條狀金屬層的長(zhǎng)度方向排列。
16.如權(quán)利要求11或12所述的倒裝LED芯片的制作方法，在所述P型外延層上形成接觸層之前，還包括在所述P型外延層上形成陣列排布的阻擋層，所述第一柱狀金屬層形成于所述阻擋層上方的接觸層上，所述阻擋層與所述凹槽間隔錯(cuò)開排布。
17.如權(quán)利要求11或12所述的倒裝LED芯片的制作方法，在所述絕緣層上形成第一焊盤和第二焊盤之后，還包括:提供一倒裝基板，所述倒裝基板包括第一導(dǎo)電基板、第二導(dǎo)電基板以及用以絕緣隔離所述第一導(dǎo)電基板和第二導(dǎo)電基板的絕緣隔離固定板，使所述第一導(dǎo)電基板與所述第一焊盤形成電連接，并使所述第二導(dǎo)電基板與所述第二焊盤形成電連接。
18.如權(quán)利要求11或12所述的倒裝LED芯片的制作方法，在所述絕緣層上形成第一焊盤和第二焊盤之后，還包括在所述倒裝基板與所述第一焊盤和第二焊盤的接觸面上形成粘入PI=I /Ζλ O
19.如權(quán)利要求11或12所述的倒裝LED芯片的制作方法，在所述絕緣層上形成第一焊盤和第二焊盤之后，還包括對(duì)所述襯底進(jìn)行減薄。
20.如權(quán)利要求11或12所述的倒裝LED芯片的制作方法，所述絕緣反射層是DBR反射層；或者，所述絕緣反射層由金屬反射層和絕緣介質(zhì)層組合而成，所述金屬反射層的材料為銀，所述絕緣介質(zhì)層的材料為二氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的至少一種。
21.如權(quán)利要求11或12所述的倒裝LED芯片的制作方法，所述第一柱狀金屬層、第二柱狀金屬層、第一條狀金屬層、第二條狀金屬層、第一焊盤和第二焊盤均由Cr、T1、Al、N1、Au、Ag、Cu、Sn中至少兩種材料組合而成。
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種倒裝LED芯片及其制作方法，在接觸層上形成若干第一柱狀金屬層，在每個(gè)凹槽內(nèi)形成第二柱狀金屬層，再形成絕緣反射層，并形成若干間隔排布的第一條狀金屬層和第二條狀金屬層，然后形成具有第一絕緣層開口和第二絕緣層開口的絕緣層，第一焊盤通過(guò)第一條狀金屬層和第一柱狀金屬層與P型外延層形成電連接，第二焊盤通過(guò)第二條狀金屬層和第二柱狀金屬層與N型外延層形成電連接。本發(fā)明采用陣列排布的凹槽，并通過(guò)三層金屬結(jié)構(gòu)(第一和第二焊盤、第一和第二條狀金屬層、第一和第二柱狀金屬層)形成電連接，可以減小凹槽所占用的外延層發(fā)光區(qū)的面積，提高倒裝LED芯片的發(fā)光亮度。
【IPC分類】H01L33-00, H01L33-48, H01L33-60, H01L33-62
【公開號(hào)】CN104810440
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510237919
【發(fā)明人】馬新剛, 丁海生, 李東昇, 王洋, 江忠永
【申請(qǐng)人】杭州士蘭明芯科技有限公司
【公開日】2015年7月29日
【申請(qǐng)日】2015年5月12日