撐作用的引腳在設(shè)計(jì)需要時(shí)也可以作為一個(gè)獨(dú)立的管腳來(lái)使用。而第三基島3的一側(cè)通過(guò)側(cè)連筋來(lái)與框架外部連接體相連在一起，并起到一個(gè)支撐點(diǎn)的作用；另一側(cè)則與兩個(gè)引腳直接相連結(jié)，并起到另外一個(gè)支撐點(diǎn)的作用。第二基島3的寬度尺寸大，通常在2-2.5_的范圍內(nèi)，但是足以容下一個(gè)中功率的2N60/65或3N60/65 VDM0SFET芯片。如果采用的是C00LM0SFET芯片，則3-6N C00LM0SFET芯片也可以放置在第二基島3上。
[0026]LED驅(qū)動(dòng)芯片的整體溫度過(guò)高，會(huì)帶來(lái)可靠性的問(wèn)題，嚴(yán)重時(shí)會(huì)導(dǎo)致芯片的工作不穩(wěn)定和過(guò)早失效。內(nèi)置MOSFET芯片的LED驅(qū)動(dòng)芯片在工作時(shí)，主要的發(fā)熱來(lái)自MOSFET芯片。為了更好地解決因芯片工作產(chǎn)生熱而導(dǎo)致整個(gè)芯片封裝成品的整體溫度上升問(wèn)題，本發(fā)明在設(shè)計(jì)時(shí)把兩個(gè)基島做成高低基島。由于控制芯片工作時(shí)產(chǎn)熱少，因此作為控制芯片載體的第一基島的高度較高，封裝后，第一基島2會(huì)被外部塑封材料所包裹。而第二基島3是MOSFET芯片的載體，由于MOSFET芯片工作時(shí)的產(chǎn)熱較多，是整個(gè)LED驅(qū)動(dòng)芯片的主要熱能產(chǎn)生源，因此本發(fā)明在設(shè)計(jì)時(shí)把承載MOSFET芯片的第二基島3的高度設(shè)計(jì)得很低，以致在封裝后，第二基島3的底部會(huì)露在固化塑封材料的外部。此時(shí)，基島2的底部面與固化成型塑封材料的底面平齊。這樣，MOSFET芯片工作時(shí)產(chǎn)生的熱量就可以通過(guò)導(dǎo)電銀膠合裸露的第二基島3直接傳入到空氣中，從而達(dá)到了快速散熱的效果，避免了 LED驅(qū)動(dòng)芯片的整體溫度上升。
[0027]此外，本發(fā)明還引入了塑封鎖孔5和塑封鎖定溝槽6。其中，塑封鎖孔5位于引腳I和小基島2的遠(yuǎn)腳端。塑封鎖孔5會(huì)增加引腳與引線框架之間連接的固定性，可以避免因成型模具異常產(chǎn)生的額外拉拔力而造成引腳表面與塑封料之間產(chǎn)生分層，從而使產(chǎn)品封裝具有更好的可靠性。另外，當(dāng)器件工作時(shí)，由于溫度升高，塑封材料和框架的金屬材料會(huì)因溫度的變化而具有不同的微變形量，這種微形變受到兩者之間的粘合所限制而產(chǎn)生內(nèi)應(yīng)力，當(dāng)內(nèi)應(yīng)力積累到一定極限值時(shí)，會(huì)造成框架與塑封料之間分離，從而降低器件的可靠性。加入塑封鎖孔5后，能顯著提高這個(gè)極限值，并且也會(huì)有效地吸收一定量的內(nèi)應(yīng)力，從而顯著提高器件的使用可靠性。而塑封鎖定溝槽6位于裸露的第二基島3的背面(也就是器件塑封后，器件底面裸露的第二基島3的邊緣部分)。這些塑封鎖定溝槽6是在框架生產(chǎn)制造過(guò)程中通過(guò)化學(xué)腐蝕或機(jī)械沖壓而成，形狀如圖6所示。其具體尺寸可根據(jù)具體情況進(jìn)行調(diào)整。這些塑封鎖定溝槽6的塑封深度大約在框架厚度的三分之一到二分之一的范圍內(nèi)。當(dāng)塑封時(shí)，熔化的塑封料會(huì)流進(jìn)塑封鎖定溝槽；固化后，在這些塑封鎖定溝槽6內(nèi)就有固化的塑封料保留，從而確保塑封料與第二基島的結(jié)合而在第二基島的底部邊緣形成勾鎖式連接，增加了兩者的連接強(qiáng)度。當(dāng)LED驅(qū)動(dòng)芯片工作時(shí)，MOSFET芯片是主要的熱源產(chǎn)生處，第二基島上承載的MOSFET芯片會(huì)產(chǎn)生大量熱量，熱量會(huì)很快地傳導(dǎo)到第二基島上，第二基島的材料是金屬材料，受熱后金屬材料變形膨脹大，而在第二基島的頂部和側(cè)邊緣均有塑封料與之直接接觸連接，在相同溫度變化情況下，塑封材料的變形量小；當(dāng)器件不工作時(shí)，溫度下降，兩者的收縮量也不同。故兩者在溫度不斷變化的情況下，會(huì)產(chǎn)生不同的變形系數(shù)，從而造成內(nèi)應(yīng)力的產(chǎn)生。當(dāng)內(nèi)應(yīng)力積累到一定量時(shí)，會(huì)在第二基島的側(cè)邊緣和塑封體之間產(chǎn)生縫隙，嚴(yán)重時(shí)甚至?xí)U(kuò)展到大基島的上表面，而引起器件的壽命縮短或器件完全失效。第二基島加入了鎖定溝槽6后，顯著降低了內(nèi)應(yīng)力的產(chǎn)生和第二基島側(cè)面與塑封體分離的幾率，從而顯著提升了產(chǎn)品封裝的質(zhì)量和可靠性。
[0028]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn):
(I)繼承了 S0P8封裝結(jié)構(gòu)成本低和體積小的優(yōu)點(diǎn)，并在傳統(tǒng)ES0P8封裝結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，把現(xiàn)有的I個(gè)裸露基島改為第一基島和第二基島這兩個(gè)高度不同的獨(dú)立基島，使獨(dú)立基島的數(shù)量由I個(gè)變?yōu)?個(gè)，解決了 ES0P8封裝結(jié)構(gòu)無(wú)法同時(shí)放置兩種芯片的問(wèn)題。
[0029](2)第一基島的高度高于第二基島的高度，用于承載MOSFET芯片的第二基島高度較低，使第二基島的底部在封裝后露在固化塑封材料的外部，以令MOSFET芯片工作產(chǎn)生的熱量可以直接傳入空氣中，避免了 LED驅(qū)動(dòng)芯片的整體溫度上升，散熱性能較好。
[0030](3)第一基島的寬度尺寸小于第二基島的寬度尺寸，增加了第二基島最大承載的MOSFET芯片尺寸，適用范圍廣。
[0031](4)引腳和第一基島的遠(yuǎn)腳端均設(shè)置有的塑封鎖孔，能在塑封固化后將引腳和第一基島牢牢鎖住，避免了在封裝的切筋成型工序中，因成型模具異常產(chǎn)生額外的拉拔力造成引腳或第一基島的表面與塑封料之間產(chǎn)生分層。
[0032](5)還包括位于第二基島背面的塑封鎖定溝槽，使塑封料與第二基島在第二基島的底部邊緣形成勾鎖式連接，保證了塑封料與第二基島間的連接強(qiáng)度，降低了第二基島側(cè)面與塑封體分離的幾率。
[0033]以上是對(duì)本發(fā)明的較佳實(shí)施進(jìn)行了具體說(shuō)明，但本發(fā)明創(chuàng)造并不限于所述實(shí)施例，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不違背本發(fā)明精神的前提下還可做作出種種的等同變形或替換，這些等同的變形或替換均包含在本申請(qǐng)權(quán)利要求所限定的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種中大功率LED驅(qū)動(dòng)芯片的ES0P8引線框架，其特征在于:包括引腳(I)、側(cè)連筋(4)、用于承載控制芯片的第一基島(2)和用于承載MOSFET芯片的第二基島(3)，所述第一基島(2)的一側(cè)通過(guò)側(cè)連筋(4)與框架外部連接體相連作為第一基島(2)的一個(gè)支撐點(diǎn)，所述第一基島(2)的另一側(cè)直接與I個(gè)引腳(I)相連結(jié)作為第一基島(2)的另外一個(gè)支撐點(diǎn)；所述第二基島(3)的一側(cè)通過(guò)側(cè)連筋(4)與框架外部連接體相連作為第二基島(3)的一個(gè)支撐點(diǎn)，所述第一基島(2)的另一側(cè)直接與兩個(gè)引腳(I)相連結(jié)作為第二基島(3)的另外一個(gè)支撐點(diǎn)；所述第一基島(2)的高度高于第二基島(3)的高度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種中大功率LED驅(qū)動(dòng)芯片的ES0P8引線框架，其特征在于:所述第一基島(2)的寬度尺寸小于第二基島(3)的寬度尺寸。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種中大功率LED驅(qū)動(dòng)芯片的ES0P8引線框架，其特征在于:所述第一基島(2)寬度尺寸的范圍為0.8-1.2mm,所述第二基島(3)寬度尺寸的范圍為2-2.5mm0
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種中大功率LED驅(qū)動(dòng)芯片的ES0P8引線框架，其特征在于:所述引腳(I)和第一基島(2)均設(shè)置有塑封鎖孔(5)，所述塑封鎖孔(5)位于引腳(I)和第一基島(2)的遠(yuǎn)腳端。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種中大功率LED驅(qū)動(dòng)芯片的ES0P8引線框架，其特征在于:還包括塑封鎖定溝槽(6)，所述塑封鎖定溝槽(6)位于塑封后裸露的第二基島(3)的背面。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種中大功率LED驅(qū)動(dòng)芯片的ES0P8引線框架，其特征在于:所述塑封鎖定溝槽(6)的塑封深度在框架厚度的三分之一到二分之一的范圍內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的一種中大功率LED驅(qū)動(dòng)芯片的ES0P8引線框架，其特征在于:所述MOSFET芯片為VDM0SFET芯片或C00LM0SFET芯片。
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種中大功率LED驅(qū)動(dòng)芯片的ESOP8引線框架，包括引腳、側(cè)連筋、用于承載控制芯片的第一基島和用于承載MOSFET芯片的第二基島，所述第一基島的一側(cè)通過(guò)側(cè)連筋與框架外部連接體相連作為第一基島的一個(gè)支撐點(diǎn)，所述第一基島的另一側(cè)直接與1個(gè)引腳相連結(jié)作為第一基島的另外一個(gè)支撐點(diǎn)；所述第二基島的一側(cè)通過(guò)側(cè)連筋與框架外部連接體相連作為第二基島的一個(gè)支撐點(diǎn)，所述第一基島的另一側(cè)直接與兩個(gè)引腳相連結(jié)作為第二基島的另外一個(gè)支撐點(diǎn)；所述第一基島的高度高于第二基島的高度。本發(fā)明具有成本低、體積小、能同時(shí)放置兩種芯片和散熱性能好的優(yōu)點(diǎn)。本發(fā)明可廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件領(lǐng)域。
【IPC分類】H01L33-62
【公開(kāi)號(hào)】CN104810462
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510184098
【發(fā)明人】姜喆, 姜英偉
【申請(qǐng)人】廣州華微電子有限公司
【公開(kāi)日】2015年7月29日
【申請(qǐng)日】2015年4月17日