減小led芯片發(fā)光角度的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及LED芯片的制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種減小LED芯片發(fā)光角度的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，LED芯片的應(yīng)用越來越廣泛，對(duì)于較小發(fā)光角度的LED芯片的需求也越來越大。
[0003]現(xiàn)有的LED芯片制程過程中改變LED芯片的發(fā)光角度較困難，因此只能在后續(xù)的芯片封裝過程中通過封裝手段改變芯片的發(fā)光角度。
[0004]在現(xiàn)有的LED芯片制程過程中減小LED芯片的發(fā)光角度比較困難。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005](一)解決的技術(shù)問題
[0006]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供了一種減小LED芯片發(fā)光角度的方法，使得LED芯片在制程過程中能夠方便且有效地減小LED芯片的發(fā)光角度。
[0007]( 二)技術(shù)方案
[0008]為實(shí)現(xiàn)以上目的，本發(fā)明通過以下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn):
[0009]一種減小LED芯片發(fā)光角度的方法，其中，S1:對(duì)所述LED芯片進(jìn)行長(zhǎng)掩膜硅，并對(duì)所述芯片(2)勻保護(hù)膠；
[0010]S2:使用激光劃片機(jī)對(duì)所述芯片的Mesa走道進(jìn)行正劃，在所述的芯片(2)上劃出一個(gè)劃道(I)。
[0011]優(yōu)選的所述的減小LED芯片發(fā)光角度的方法，還包括以下步驟:
[0012]S3:對(duì)所述LED芯片進(jìn)行酸腐蝕工藝；
[0013]S4:對(duì)所述LED芯片進(jìn)行ITO蒸鍍及光刻；
[0014]S5:對(duì)所述LED芯片進(jìn)行沉積鈍化硅；
[0015]S6:對(duì)所述LED芯片進(jìn)行PN光刻；
[0016]S7:對(duì)所述LED芯片進(jìn)行鈍化硅蝕刻，即對(duì)鈍化硅進(jìn)行開孔，去除所述劃道⑴內(nèi)的鈍化硅；
[0017]S8:對(duì)所述LED芯片上的劃道(I)內(nèi)壁進(jìn)行金屬蒸鍍；
[0018]S9:對(duì)經(jīng)過步驟S8的所述的LED芯片進(jìn)行金屬剝離工藝，對(duì)所述的LED芯片進(jìn)行去膠工藝。
[0019]優(yōu)選的步驟SI中所述的LED芯片為完成Mesa刻蝕后的LED芯片。
[0020]優(yōu)選的步驟S2中所述的劃道(I)為錐孔形。
[0021]優(yōu)選的步驟S2中所述的劃道(I)深度控制在20— 22 μ m，上開口的直徑控制在12 —16 μ m，下開口的直徑控制在2— 4ym。
[0022]優(yōu)選的步驟S2中使用的激光劃片的方法為離焦法。
[0023]優(yōu)選的離焦法為:當(dāng)劃片機(jī)的激光束在晶片表面聚焦后，再將激光頭沿Z軸方向提升3?5微米，使激光束處于離焦?fàn)顟B(tài)，然后再進(jìn)行劃片。
[0024]優(yōu)選的步驟S3中的酸腐蝕工藝的溫度控制在120°C _150°C之間，腐蝕時(shí)間控制在30-60分鐘。
[0025]優(yōu)選的步驟S8中所述的金屬蒸鍍至少蒸鍍一層金屬。
[0026](三)有益效果
[0027]本發(fā)明提供了一種減小LED芯片發(fā)光角度的方法，通過在所述芯片上用激光劃片機(jī)劃出一個(gè)錐孔形的劃道，所述的LED芯片發(fā)出的光線會(huì)被劃道側(cè)壁蒸鍍的金屬膜層遮擋，從而可有效減小LED芯片的發(fā)光角度。
[0028]同時(shí)，由于在所述的劃道側(cè)壁上蒸鍍金屬，使劃道側(cè)壁的反光性增加，從而可以在減小LED芯片發(fā)光角度的同時(shí)提高所述LED芯片在軸向的發(fā)光強(qiáng)度。
【附圖說明】
[0029]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0030]圖1為減小LED芯片發(fā)光角度方法的主要步驟；
[0031]圖2為減小LED芯片發(fā)光角度方法的流程圖；
[0032]圖3為激光劃道的截面示意圖；
[0033]圖4為通過傳統(tǒng)工藝制作完成的LED樣品配光圖；
[0034]圖5為使用本發(fā)明的方法制作完成的樣品配光圖；
[0035]其中，1-劃道，2-芯片。
【具體實(shí)施方式】
[0036]為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0037]如圖1和圖2所示，圖1是本發(fā)明提供的減小發(fā)光角度的LED芯片方法的流程圖，其中所加工的芯片為經(jīng)過Mesa(刻臺(tái)階)蝕刻之后的LED芯片，該方法包括:
[0038]步驟1:對(duì)要加工的LED芯片進(jìn)行長(zhǎng)掩膜硅，并勻保護(hù)膠；
[0039]步驟2:激光劃道一通過激光劃片機(jī)對(duì)所述的LED芯片的Mesa走道進(jìn)行正劃，在芯片2上劃出一個(gè)錐形劃道1，其中劃道I的深度(H)控制在20-22 μ m，上開口的直徑(Dl)控制在12 — 16 μ m，下開口的直徑(D2)控制在2— 4 μ m，劃道I的截面如附圖3所示；
[0040]在步驟I中，所加工的LED芯片為正常完成Mesa刻蝕工藝后的LED芯片，對(duì)其進(jìn)行長(zhǎng)掩膜硅、勻保護(hù)膠，保護(hù)LED芯片在后續(xù)的激光劃片過程不受損傷；
[0041]步驟2中激光劃片所使用的方法為離焦法，所謂離焦法是指當(dāng)劃片機(jī)的激光束在晶片表面聚焦后，再將激光頭沿Z軸方向提升3?5微米，使激光束處于離焦?fàn)顟B(tài)，然后再進(jìn)tx劃片；
[0042]完成步驟2之后，在芯片2上劃出一個(gè)劃道1，劃道I可以根據(jù)不同的劃法得出不同的形狀，可以是錐孔，也可以是其他形狀的孔。
[0043]圖2為完成所述LED芯片的其他步驟，主要包括:
[0044]步驟3:去除所述LED芯片上的保護(hù)膠，并對(duì)所述的LED芯片進(jìn)行酸腐蝕，酸腐蝕的溫度控制在120°C — 150°C，酸腐蝕的時(shí)間控制在30分鐘到60分鐘；
[0045]步驟4:對(duì)LED芯片進(jìn)行ITO蒸鍍并進(jìn)行光刻；
[0046]步驟5:沉積鈍化硅；
[0047]步驟6:對(duì)經(jīng)過步驟S5的所述LED芯片進(jìn)行PN光刻；
[0048]步驟7:對(duì)LED芯片進(jìn)行鈍化硅蝕刻，即鈍化硅進(jìn)行開孔，去除劃道I內(nèi)的鈍化硅；
[0049]步驟8:進(jìn)行金屬蒸鍍；
[0050]步驟9:Lift-off (金屬剝離)并去膠。
[0051]在步驟3中酸腐蝕工藝的溫度控制在120°C -150°C之間，腐蝕時(shí)間控制在30-60分鐘；
[0052]在對(duì)LED芯片進(jìn)行步驟6的處理后，劃道I內(nèi)填充了鈍化硅，需要對(duì)LED芯片進(jìn)行開孔，去除劃道I內(nèi)的鈍化硅和其他雜質(zhì)；
[0053]對(duì)LED芯片進(jìn)行步驟8的金屬蒸鍍的過程中，蒸鍍至少一層金屬，其中一種優(yōu)選方案為分別按先后順序蒸鍍Cr (鉻)、Al (鋁)、Ti (鈦)、Au (金)四層不同的金屬。
[0054]以完成Mesa刻蝕的BI 125版型的LED芯片為例，
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