但不限于)鈍角。底部部分和側壁部分可形成用于容納LED芯片200和波長轉換器300的空間。
[0052]封裝模制件100可由聚合材料制成。在示例性實施方式中，封裝模制件100可包括聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯和苯二甲酸乙二醇酯樹脂對苯二酸乙二酯中的至少一個。在另一個示例性實施方式中，封裝模制件100可包括具有優(yōu)異的耐光性的有機材料(諸如硅樹脂、環(huán)氧樹脂、丙烯酸樹脂、氟樹脂或酰亞胺樹脂)，或者具有優(yōu)異的耐光性的無機材料(諸如玻璃或硅膠)。在另一個示例性實施方式中，封裝模制件100可包括不會被制造過程中產生的熱熔化的耐熱樹脂。在這種情況下，為了緩解樹脂的熱應力，封裝模制件100可包括各種添加劑(其包括氮化鋁、氧化鋁或其混合物)。
[0053]盡管未在附圖中示出，但封裝模制件100可包括將外部電力傳遞至LED芯片200的兩個引線框架(lead frame)。兩個引線框架連接到外部電源。兩個引線框架的其中一個連接至LED芯片200的N型電極，并且兩個引線框架的另一個連接至LED芯片200的P型電極。此外，封裝模制件100的內表面(例如，底部部分和側壁部分的內表面)可涂有反射材料。因此，從LED芯片200發(fā)射的光可通過封裝模制件100的內表面反射至外部。
[0054]LED芯片200可位于封裝模制件100的表面上。此外，LED芯片200可位于由封裝模制件100的底部部分和側壁部分環(huán)繞的空間中。在示例性實施方式中，LED芯片200可位于封裝模制件100的底部部分的內表面的一側上。
[0055]當被供應外部電力時，LED芯片200可發(fā)光。在示例性實施方式中，LED芯片200可發(fā)射藍光，但本發(fā)明構思并不限于此。
[0056]盡管在附圖中未示出，但LED芯片200可包括基板、N型半導體層、P型半導體層、活性層、N型電極以及P型電極?；蹇梢允撬{寶石基板。N型半導體層和P型半導體層可由諸如GaN、AlGaN、InGaN、AIN、AIInGaN等的氮化物半導體制成?；钚詫涌砂l(fā)光，并且可形成在N型半導體層與P型半導體層之間?；钚詫涌删哂邪ㄗ鳛橼宓腎nGaN層和作為阻擋層的GaN層的多量子阱(MQW)結構。N型電極可連接至N型半導體層，并且P型電極可連接至P型半導體層。應注意，上述LED芯片200的結構可以不同的方式進行修改。
[0057]波長轉換器300可位于封裝模制件100的表面上。在某些實施方式中，波長轉換器300可位于由封裝模制件100的底部部分和側壁部分環(huán)繞的空間中。波長轉換器300可與LED芯片200分開。在示例性實施方式中，波長轉換器300可位于與LED芯片200所位于的封裝模制件100的底部部分的內表面相對的一側上(即，在封裝模制件100的底部部分的內表面的另一側上)。
[0058]波長轉換器300可轉換從LED芯片200發(fā)射的光的波長。在示例性實施方式中，波長轉換器300可將從LED芯片200發(fā)射的藍光轉換成黃光,但本發(fā)明構思并不限于此。
[0059]參照圖2，波長轉換器300可包括第一阻擋層310、波長轉換層320和第二阻擋層330。
[0060]第一阻擋層310可位于封裝模制件100的表面上。S卩，第一阻擋層310可直接接觸封裝模制件100的底部部分的內表面。此外，第一阻擋層310可布置在波長轉換層320的下方。
[0061]第一阻擋層310可由能夠保護波長轉換層320免于物理沖擊以及外部濕氣(moisture)和氧氣的材料制成。此外,第一阻擋層310可包括能夠防止從封裝模制件100中引入雜質的材料。在示例性實施方式中，第一阻擋層310可包括諸如氧化硅(S1x)、氮化硅(SiNx)或者它們的組合的絕緣材料。例如，第一阻擋層310可由但不限于二氧化硅(S12)制成。
[0062]第一阻擋層310的水蒸氣傳輸率(WVTR)和氧氣傳輸率(OTR)的范圍可從約10_4g/m2/天至10_2g/m2/天。優(yōu)選地，第一阻擋層310的WVTR和OTR可為約10_3g/m2/天。具有低WVTR和OTR的第一阻擋層310可保護波長轉換層320免于濕氣和氧氣。
[0063]第一阻擋層310的吸光率可為約15%或更低。優(yōu)選地，第一阻擋層310的吸光率可以是約7%或更低。具有低吸光率的第一阻擋層310可最小化從LED芯片200發(fā)射的光在第一阻擋層310中的損耗。
[0064]波長轉換層320可位于第一阻擋層310上。在不例性實施方式中，波長轉換層320可與第一阻擋層310的中心部分重疊。在另一個示例性實施方式中，波長轉換層320不與第一阻擋層310的邊緣部分重疊。
[0065]波長轉換層320可轉換從LED芯片200發(fā)射的光的波長。在示例性實施方式中，當LED芯片200發(fā)射藍光時，波長轉換層320可將藍光轉換成黃光。
[0066]波長轉換層320可包括量子點和分散介質。
[0067]量子點是具有殼核(core-shell)結構并且在尺寸上范圍從幾納米到數(shù)十納米的半導體納米顆粒。由于量子限域效應，量子點根據(jù)它們的粒徑而發(fā)射不同顏色的光。更具體地說，量子點產生在窄波長帶內的光，并且當不穩(wěn)定的(活躍的)電子從導帶落入價帶時出現(xiàn)量子點的發(fā)光。當量子點的粒徑較小時，它們趨向于產生具有較短波長的光，并且當它們的粒徑較大時產生具有較長波長的光。因此，可通過控制量子點的尺寸產生所有期望的可見波長的光。
[0068]每個量子點可包括選自包括以下項的組中的任何一種納米晶體:Si納米晶體、I1-VI族化合物半導體納米晶體、II1-V族化合物半導體納米晶體、IV-VI族化合物半導體納米晶體或者以上物質的任意混合物。
[0069]I1-VI族化合物半導體納米晶體可包括以下中的一種或多種:CdS、CdSe, CdTe,ZnS、ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, CdSeS、CdSeTe, CdSTe, ZnSeS、ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HggZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS、HgZnSeTe 或者HgZnSTe。
[0070]II1-V族化合物半導體納米晶體可包括以下中的一種或多種:GaPAs、AlNP,AlNAs、AlPAs、InNP、InNAs、InPAs、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlPAs、GaInNP、GaInNAs、GaInPAs、InAlNP, InAlNAs 或者 InAlPAs。
[0071]IV-VI族化合物半導體納米晶體可以是SbTe。
[0072]波長轉換層320可包括一種類型的量子點。例如，波長轉換層320可包括將入射光的波長轉換成黃光的波長的量子點。然而，本發(fā)明構思并不限于此，并且波長轉換層320也可包括兩種或多種類型的量子點。例如，波長轉換層320可包括將入射光的波長轉換成紅光的波長的紅色量子點，以及將入射光的波長轉換成綠光的波長的綠色量子點。因此，在以上實施方式中，可通過調整紅色量子點和綠色量子點的比例來獲得期望的顏色的光。
[0073]分散介質可與量子點混合以分散量子點。即，量子點可分散在分散介質(例如，有機溶劑或聚合樹脂)中以在其中均勻地分散。分散介質可以是不影響量子點的波長轉換性能、不反射光并且不引起光學吸收的任何透明介質。有機溶劑可包括甲苯、氯仿以及乙醇中的至少一個。聚合樹脂可包括環(huán)氧樹脂、硅樹脂、聚苯乙烯以及丙烯酸酯中的至少一個。
[0074]除分散介質之外，波長轉換層320可包括紫外線(UV)引發(fā)劑、熱固性添加劑、交聯(lián)劑(crosslinker)、分散劑或者以上的任意組合。
[0075]包括少于5wt%的量子點的波長轉換層可能不能充分地提供波長轉換功能。另一方面，包括多于30wt %的量子點的波長轉換層可能會過度地轉換入射光的波長。因此，本發(fā)明構思中的波長轉換層320可包括約5wt%至30wt%的量子點。在示例性實施方式中，波長轉換層320包括約10wt%的量子點，但本發(fā)明構思并不限于此。
[0076]如果波長轉換層320的面積小于LED芯片200的面積的10倍，則波長轉換層320不能充分地提供波長轉換功能。另一方面，如果波長轉換層320的面積大于LED芯片200的面積的200倍，則波長轉換層320可能會過度地轉換入射光的波長。因此，波長轉換層320的面積可以是LED芯片200的面積的約10倍到200倍。在示例性實施方式中，波長轉換層320的面積可以是但不限于LED芯片200的面積的50倍。例如，在圖1的示例性實施方式中，如果LED芯片200的面積是約I X Imm,則波長轉換層320的面積可以是約5 X 10mm。
[0077]第二阻擋層330可位于波長轉換層320上。第二阻擋層330可直接接觸波長轉換層320的上表面和側表面。S卩，第二阻擋層330可與第一阻擋層310 —起密封波長轉換層320。在此，在第二阻擋層330的邊緣部分中可形成階梯(step)。
[0078]第二阻擋層330可由能夠保護波長轉換層320免于物理沖擊以及外部濕氣和氧氣的材料制成。在示例性實施方式中，第二阻擋層330