形成有與a-Se層48鄰接的電子傳輸層（空 穴阻擋層）37,進而在電子傳輸層37上形成有用于向a-Se層48施加偏壓的偏壓電極（第 二電極）49。
[0041] 另一方面，在a-Se層48的TFT襯底26側(cè)，形成有與a-Se層48鄰接的空穴傳輸 層（電子阻擋層）38和電荷收集電極（第一電極）34。另外，設(shè)置有用于蓄積在a-Se層48 中產(chǎn)生并被各電荷收集電極34收集的電荷的電荷蓄積電容35。蓄積在各電荷蓄積電容35 中的電荷由開關(guān)元件24讀出。
[0042] < 砸層〉
[0043] 本發(fā)明中的砸層48含有非晶砸（a-Se)而構(gòu)成。砸層48含有大量結(jié)晶性砸、雜質(zhì) 時，耐久性小，容易產(chǎn)生暗電流，容易產(chǎn)生圖像缺陷。本發(fā)明中的砸層48W非晶砸作為主要 成分（超過50質(zhì)量％ )，更優(yōu)選95質(zhì)量％ ^上由非晶砸形成。就砸層48整體的平均而言 或者就局部而言，均優(yōu)選95質(zhì)量％W上由非晶砸構(gòu)成。
[0044] 含有a-Se的砸層48例如可W通過WSe作為原料進行蒸鍛而形成。
[0045] 砸層48的厚度例如可W設(shè)定為100ymW上且2000ymW下。
[0046] <空穴傳輸層〉
[0047] 空穴傳輸層38含有電子親和能為3. 7eVW下的空穴傳輸材料而構(gòu)成，配置在電荷 收集電極（第一電極）34與非晶砸層（a-Se層）48之間。需要說明的是，空穴傳輸材料是 指具有空穴的注入、傳輸功能、電子的阻擋功能的材料。因此，空穴傳輸層38作為電子阻擋 層發(fā)揮作用。
[0048] 本發(fā)明中的空穴傳輸層38可W含有一種或兩種W上的空穴傳輸材料而構(gòu)成，另 夕F，也可W由多層形成，但無論構(gòu)成空穴傳輸層38的層數(shù)多少，與a-Se層48鄰接的空穴傳 輸層38均含有電子親和能巧a)為3. 7eVW下、優(yōu)選3. 5eVW下、更優(yōu)選3. 2eVW下的空穴 傳輸材料而構(gòu)成。
[0049]另外，從抑制余像的觀點出發(fā)，空穴傳輸層38中所含的空穴傳輸材料的電離電勢 優(yōu)選為5. 9eVW下、更優(yōu)選為5. 7eVW下。
[0050] 對于本發(fā)明中使用的空穴傳輸材料，可W使用例如化琳化合物三嗤衍生物、囉二 挫衍生物、咪挫衍生物、聚芳基燒姪衍生物、化挫咐衍生物和化挫咐酬衍生物、芳香族叔胺 化合物、氨基取代的查耳酬衍生物、囉嗤衍生物、苯己締基慈衍生物、巧酬衍生物、腺衍生 物、巧衍生物、娃氮燒衍生物、苯胺類共聚物、W及導(dǎo)電性高分子、或低聚物、特別是唾吩低 聚物等公知的材料。
[0051] 作為空穴傳輸材料，可W使用上述材料，特別優(yōu)選使用芳香族叔胺化合物。
[0052] 作為芳香族叔胺的代表例，可W列舉；N，N，N'，N'-四苯基-4, 4'-二氨基聯(lián)苯； N，N'-二苯基-N，N'-雙（3-甲基苯基）-[1，1'-聯(lián)苯]4,4'-二胺（TPD) ;2,2-雙（4-二-對 甲苯基氨基苯基）丙烷；1,1-雙（4-二-對甲苯基氨基苯基）環(huán)己燒；N，N，N'，N'-四-對 甲苯基-4, 4 ' -二氨基聯(lián)苯；1，1-雙（4-二-對甲苯基氨基苯基）-4-苯基環(huán)己燒；雙（4-二 甲氨基-2-甲基苯基）苯基甲燒；雙（4-二-對甲苯基氨基苯基）苯基甲燒；N，N'-二苯 基-N，N' -二（4-甲氧基苯基）-4, 4' -二氨基聯(lián)苯；N，N，N'，N' -四苯基-4, 4' -二氨基 二苯離；4,4' -雙（二苯基氨基）四聯(lián)苯；N，N，N-S(對甲苯基）胺；4-(二-對甲苯基 氨基）-4' -[4-(二-對甲苯基氨基）苯己締基]巧；4-N，N-二苯基氨基-(2-二苯基己締 基）苯；3-甲氧基-4'-N，N-二苯基氨基巧；N-苯基巧挫、W及美國專利第5061569號說明 書中記載的在分子內(nèi)具有兩個稠合芳香族環(huán)的物質(zhì)、例如4,4' -雙[N-(l-蒙基）-N-苯基 氨基]聯(lián)苯（NPD)、日本特開平4-308688號公報中記載的S個S苯胺單元連結(jié)成星爆型的 4, 4'，4"-S陽-(3-甲基苯基）-N-苯基氨基]S苯胺（MTDATA)等。
[0053] 此外，也可W使用將來源于上述空穴傳輸材料的結(jié)構(gòu)導(dǎo)入高分子鏈而得到的高分 子材料、或者W來源于該些空穴傳輸材料的結(jié)構(gòu)作為高分子的主鏈的高分子材料。
[0054]
[00巧]空穴傳輸層38可W通過例如真空蒸鍛法、旋涂法、流延法、包含噴墨法的印刷法、LB法（Langmuir-Blodgett膜法，朗繆爾-布洛杰特膜法）等公知的方法將電子親和能為 3. 7eVW下、優(yōu)選電離電勢為5. 9eVW下的空穴傳輸材料進行成膜。特別是在空穴傳輸材料 為上述高分子材料的情況下，優(yōu)選使用旋涂法、流延法、包含噴墨法的印刷法等。
[0056] 需要說明的是，從除了抑制暗電流W外、還抑制余像的觀點出發(fā)，空穴傳輸層38 中所含的空穴傳輸材料的電離電勢優(yōu)選為5. 9eVW下、更優(yōu)選為5. 7eVW下。
[0057] 本發(fā)明中的空穴傳輸層38可W由兩層W上的多層膜構(gòu)成。關(guān)于多層膜的基本構(gòu) 成，例如可W在與a-Se層48鄰接的第一空穴傳輸層與第一電極（負極）34之間設(shè)置第二 空穴傳輸層。
[0058] 多個空穴傳輸層的主要作用在于，選擇不會使電荷蓄積在空穴傳輸層與電極34 或非晶砸層48的界面該樣的具有適當?shù)碾妱莸臉?gòu)成、能夠更有效地抑制電子從電極34的 注入的電勢。具體而言，在設(shè)置在第一電極（負極）34側(cè)與a-Se層48鄰接的第一空穴傳 輸層并且在第一電極（負極）34與第一空穴傳輸層之間設(shè)置第二空穴傳輸層的情況下，優(yōu) 選第二空穴傳輸層的電離電勢小于第一空穴傳輸層的電離電勢，另外，優(yōu)選第二空穴傳輸 層的電子親和能小于第一空穴傳輸層的電子親和能的構(gòu)成。在層疊=層W上的空穴傳輸層 的情況下，也優(yōu)選鄰接的空穴傳輸層的吐和Ea具有與上述同樣的關(guān)系。
[0059] 電子親和能為3. 7eVW下的空穴傳輸材料在空穴傳輸層38中所占的比例（質(zhì)量 比）優(yōu)選為10%W上、更優(yōu)選為30%W上、特別優(yōu)選為90%W上。作為構(gòu)成空穴傳輸層38 的剩余成分，可W使用絕緣性的有機材料。具體而言，可W列舉聚碳酸醋、聚苯己締、聚甲基 丙締酸、聚己酸己締醋等。
[0060] 成膜中使用的空穴傳輸材料的純度優(yōu)選為90%W上、更優(yōu)選為98%W上。特別是 在要求耐久性等的情況下，優(yōu)選為99. 9%W上。
[0061]W下，列舉在本發(fā)明的X射線檢測裝置的空穴傳輸層38的形成中可W使用的化合 物的具體例，但本發(fā)明不限定于該些例子。
[0062]
【主權(quán)項】
1. 一種放射線檢測裝置，其具有層疊結(jié)構(gòu)，所述層疊結(jié)構(gòu)包含： 第一電極、 與所述第一電極相對地配置的第二電極、 配置在所述第一電極與所述第二電極之間且含有非晶硒的硒層、 與所述硒層鄰接地配置在所述第一電極與所述硒層之間且含有電子親和能為3. 7eV以下的空穴傳輸材料的第一阻擋有機層、和 與所述硒層鄰接地配置在所述第二電極與所述硒層之間且含有電離電勢為5. 9eV以 上的電子傳輸材料的第二阻擋有機層。
2. 如權(quán)利要求1所述的放射線檢測裝置，其中，所述含有空穴傳輸材料的第一阻擋有 機層為空穴傳輸層，所述含有電子傳輸材料的第二阻擋有機層為電子傳輸層。
3. 如權(quán)利要求2所述的放射線檢測裝置，其中，所述空穴傳輸層具有在第一電極側(cè)鄰 接的第一空穴傳輸層和配置在所述第一電極與所述第一空穴傳輸層之間的第二空穴傳輸 層。
4. 如權(quán)利要求3所述的放射線檢測裝置，其中，所述第二空穴傳輸層的電離電勢小于 所述第一空穴傳輸層的電離電勢，所述第二空穴傳輸層的電子親和能小于所述第一空穴傳 輸層的電子親和能。
5. 如權(quán)利要求2~4中任一項所述的放射線檢測裝置，其中，所述電子傳輸層具有與所 述硒層鄰接的第一電子傳輸層和配置在所述第一電子傳輸層與所述第二電極之間的第二 電子傳輸層。
6. 如權(quán)利要求5所述的放射線檢測裝置，其中，所述第二電子傳輸層的電子親和能大 于所述第一電子傳輸層的電子親和能，所述第二電子傳輸層的電離電勢大于所述第一電子 傳輸層的電離電勢。
7. 如權(quán)利要求1~6中任一項所述的放射線檢測裝置，其中，所述空穴傳輸材料和所述 電子傳輸材料各自的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為80°C以上且250°C以下。
8. 如權(quán)利要求1~7中任一項所述的放射線檢測裝置，其中，所述空穴傳輸材料的電離 電勢為5. 9eV以下。
9. 如權(quán)利要求1~8中任一項所述的放射線檢測裝置，其中，所述空穴傳輸材料為芳香 族叔胺化合物。
10. 如權(quán)利要求1~9中任一項所述的放射線檢測裝置，其中，在所述電子傳輸材料中 混合有相對于所述電子傳輸材料為5~50質(zhì)量％的富勒稀。
【專利摘要】本發(fā)明為一種暗電流小、耐久性優(yōu)良且余像少的放射線檢測裝置(10)，其具有層疊結(jié)構(gòu)，所述層疊結(jié)構(gòu)包含第一電極(34)、與第一電極相對地配置的第二電極(49)、配置在第一電極與第二電極之間且含有非晶硒的硒層(48)、與硒層鄰接地配置在第一電極與硒層之間且含有電子親和能為3.7eV以下的空穴傳輸材料的第一阻擋有機層(38)、和與硒層鄰接地配置在第二電極與硒層之間且含有電離電勢為5.9eV以上的電子傳輸材料的第二阻擋有機層(37)。
【IPC分類】H01L27-144, H04N5-32, H01L27-146, G01T1-24, H01L31-0248
【公開號】CN104823280
【申請?zhí)枴緾N201380062142
【發(fā)明人】山下清司, 伊勢俊大
【申請人】富士膠片株式會社
【公開日】2015年8月5日
【申請日】2013年12月5日
【公告號】US20150255636, WO2014092001A1