3H所述的反射隔堤結(jié) 構(gòu)內(nèi)的與圖2C的電線(xiàn)路輸出電接觸的發(fā)光器件陣列的橫截面?zhèn)纫晥D。
[0077] 圖為示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的安裝在相對(duì)于圖31所述的反射隔堤結(jié) 構(gòu)內(nèi)的與圖2D的電線(xiàn)路輸出電接觸的發(fā)光器件陣列的橫截面?zhèn)纫晥D。
[007引圖12A-12B為示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的安裝在相對(duì)于圖3J所述的發(fā)光隔堤結(jié) 構(gòu)內(nèi)的發(fā)光器件陣列的橫截面?zhèn)纫晥D。
[0079] 圖12C為示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的在形成側(cè)壁純化層和頂部導(dǎo)電觸點(diǎn)之前的 圖12A的頂視圖。
[0080] 圖12D為示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的在形成側(cè)壁純化層和頂部導(dǎo)電觸點(diǎn)之后的 圖12A的頂視圖。
[0081] 圖12E-12F為示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的與圖2C的電線(xiàn)路輸出電接觸的圖12A 的發(fā)光器件陣列的橫截面?zhèn)纫晥D。
[00間圖12G-12H為示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的安裝在相對(duì)于圖3J所述的反射隔堤結(jié) 構(gòu)內(nèi)的與圖2C的電線(xiàn)路輸出電接觸的發(fā)光器件陣列的橫截面?zhèn)纫晥D。
[0083] 圖12I-12J為示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的安裝在相對(duì)于圖3K所述的反射隔堤結(jié) 構(gòu)內(nèi)的與圖2D的電線(xiàn)路輸出電接觸的發(fā)光器件陣列的橫截面?zhèn)纫晥D。
[0084] 圖13A-13B為示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的安裝在相對(duì)于圖3E所述的反射隔堤結(jié) 構(gòu)內(nèi)的發(fā)光器件陣列的橫截面?zhèn)纫晥D。
[0085] 圖13C為示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的在形成側(cè)壁純化層和頂部導(dǎo)電觸點(diǎn)之前的 圖13A的頂視圖。
[0086] 圖13D為示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的與圖2B的電線(xiàn)路輸出電接觸的圖13A的發(fā) 光器件陣列的橫截面?zhèn)纫晥D。
[0087] 圖13E為示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的與圖2B的電線(xiàn)路輸出電接觸的圖13B的發(fā) 光器件陣列的橫截面?zhèn)纫晥D。
[008引圖13F-13G為示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的安裝在相對(duì)于圖化所述的反射隔堤結(jié) 構(gòu)內(nèi)的與圖2C的電線(xiàn)路輸出電接觸的發(fā)光器件陣列的橫截面?zhèn)纫晥D。
[0089] 圖13H-13I為示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的安裝在相對(duì)于圖3M所述的反射隔堤結(jié) 構(gòu)內(nèi)的與圖2D的電線(xiàn)路輸出電接觸的發(fā)光器件陣列的橫截面?zhèn)纫晥D。
[0090] 圖13J-13K為示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的安裝在相對(duì)于圖3N所述的反射隔堤結(jié) 構(gòu)內(nèi)的與圖2C的電線(xiàn)路輸出電接觸的發(fā)光器件陣列的橫截面?zhèn)纫晥D。
[0091] 圖13kl3M為示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的安裝在相對(duì)于圖30所述的反射隔堤結(jié) 構(gòu)內(nèi)的與圖2D的電線(xiàn)路輸出電接觸的發(fā)光器件陣列的橫截面?zhèn)纫晥D。
[0092] 圖14A-14B為示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的安裝在相對(duì)于圖3P所述的反射隔堤結(jié) 構(gòu)內(nèi)的發(fā)光器件陣列的橫截面?zhèn)纫晥D。
[0093] 圖14C為示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的安裝在相對(duì)于圖％所述的反射隔堤結(jié)構(gòu)內(nèi) 的發(fā)光器件陣列的橫截面?zhèn)纫晥D。
[0094] 圖14D為示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的安裝在相對(duì)于圖3R所述的反射隔堤結(jié)構(gòu)內(nèi) 的發(fā)光器件陣列的橫截面?zhèn)纫晥D。
[0095] 圖14E-14G為示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的安裝在相對(duì)于圖3S所述的反射隔堤結(jié) 構(gòu)內(nèi)的發(fā)光器件陣列的橫截面?zhèn)纫晥D。
[0096] 圖15A-15B為示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的安裝在相對(duì)于圖3T所述的反射隔堤結(jié) 構(gòu)內(nèi)的發(fā)光器件陣列的橫截面?zhèn)纫晥D。
[0097] 圖15C為示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的安裝在相對(duì)于圖3U所述的反射隔堤結(jié)構(gòu)內(nèi) 的發(fā)光器件陣列的橫截面?zhèn)纫晥D。
[009引圖15D為示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的安裝在相對(duì)于圖3V所述的反射隔堤結(jié)構(gòu)內(nèi) 的發(fā)光器件陣列的橫截面?zhèn)纫晥D。
[0099] 圖15E-15G為示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的安裝在相對(duì)于圖3W所述的反射隔堤結(jié) 構(gòu)內(nèi)的發(fā)光器件陣列的橫截面?zhèn)纫晥D。
【具體實(shí)施方式】
[0100] 本發(fā)明的實(shí)施例描述了用于接收發(fā)光器件諸如L邸器件的反射隔堤結(jié)構(gòu)。例如， 反射隔堤結(jié)構(gòu)可形成在接收襯底上，諸如但不限于顯示襯底、照明襯底、具有功能器件諸如 晶體管或集成電路（1C)的襯底、或具有金屬重新分布線(xiàn)路的襯底。盡管具體相對(duì)于包括PN 二極管的垂直微型L邸器件描述了本發(fā)明的一些實(shí)施例，但是應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明的實(shí)施例 不如此受限制并且某些實(shí)施例還可適用于被設(shè)計(jì)來(lái)執(zhí)行光子功能（LED、超福射發(fā)光二極管 (SLD)、激光器）的其他設(shè)備。
[0101] 如本文所使用的，術(shù)語(yǔ)"微型"器件或"微型"L邸結(jié)構(gòu)可指根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的 某些器件或結(jié)構(gòu)的描述性尺寸。如本文所用，術(shù)語(yǔ)"微型"器件或結(jié)構(gòu)意在指1ym到100ym 的尺度。然而，應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明的實(shí)施例未必受此限制，并且實(shí)施例的某些方面可W適用 于更大和可能更小的尺度。在一個(gè)實(shí)施例中，單個(gè)微型L邸器件具有最大尺寸，例如長(zhǎng)度和 /或?qū)挾葹?ym到100ym。
[0102] 在各種實(shí)施例中，參照附圖進(jìn)行描述。然而，某些實(shí)施例可在不存在該些具體細(xì)節(jié) 中的一個(gè)或多個(gè)具體細(xì)節(jié)或者與其他已知方法和配置相結(jié)合的情況下實(shí)施。在W下的描述 中，示出許多具體細(xì)節(jié)諸如具體配置、尺寸和工藝等W提供對(duì)本發(fā)明的徹底理解。在其他情 況下，未對(duì)熟知的半導(dǎo)體工藝和制造技術(shù)進(jìn)行特別詳細(xì)的描述，W免不必要地模糊本發(fā)明。 整個(gè)說(shuō)明書(shū)中所提到的"一個(gè)實(shí)施例"是指結(jié)合實(shí)施例所描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、配置或特 性包括在本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例中。因此，整個(gè)說(shuō)明書(shū)中多處出現(xiàn)短語(yǔ)"在一個(gè)實(shí)施例 中"不一定是指本發(fā)明的相同實(shí)施例。此外，具體特征、結(jié)構(gòu)、配置或特性可W任何適當(dāng)?shù)姆?式組合在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中。
[0103] 本文所使用的術(shù)語(yǔ)"跨越"、"在…之上"、"在…之間"和"在…上"可指代一層相對(duì) 于其他層的相對(duì)位置。"跨越"另一層、"在"另一層"之上"、或"在"另一層"上"或鍵合"至" 另一層的一層可與其他層直接接觸或可具有一個(gè)或中間層。位于多層"之間"的一層可與 該多層直接接觸或可具有一個(gè)或多個(gè)中間層。
[0104] 在一個(gè)方面，本發(fā)明的實(shí)施例描述了反射隔堤結(jié)構(gòu)W提高發(fā)光器件陣列的光提取 效率。在一個(gè)實(shí)施例中，反射隔堤結(jié)構(gòu)包括襯底、絕緣層、絕緣層中的隔堤開(kāi)口陣列W及跨 越絕緣層中的隔堤開(kāi)口中的每個(gè)隔堤開(kāi)口的側(cè)壁的反射層，其中每個(gè)隔堤開(kāi)口包括底表面 和側(cè)壁。從發(fā)光器件橫向發(fā)出的光可在系統(tǒng)的發(fā)光方向上從側(cè)壁反射。因此，根據(jù)本發(fā)明 的實(shí)施例，橫向側(cè)發(fā)射可對(duì)發(fā)光效率具有顯著的貢獻(xiàn)。
[01化]在另一方面，本發(fā)明的實(shí)施例描述了反射隔堤結(jié)構(gòu)W提高垂直L邸器件陣列的光 提取效率。安裝在隔堤開(kāi)口陣列內(nèi)的垂直L邸器件可包括頂部電極和底部電極。例如，頂 部電極和底部電極可被退火W為歐姆接觸提供垂直L邸器件的p-n二極管層。此外，頂部 電極和底部電極可為透明、半透明、不透明，或包括反射層。該樣，反射隔堤結(jié)構(gòu)可結(jié)合各種 形狀的垂直L邸器件，并且不限于來(lái)自垂直L邸器件的在系統(tǒng)的發(fā)光方向上的發(fā)光。
[0106] 在另一方面，本發(fā)明的實(shí)施例描述了用于在接收襯底上接收發(fā)光器件陣列的反射 隔堤結(jié)構(gòu)。在一個(gè)實(shí)施例中，發(fā)光器件陣列利用轉(zhuǎn)移頭陣列從承載襯底轉(zhuǎn)移到接收襯底，該 轉(zhuǎn)移頭陣列可根據(jù)靜電原理操作。不限于特定理論，本發(fā)明的實(shí)施例利用根據(jù)靜電夾具的 原理操作的轉(zhuǎn)移頭或轉(zhuǎn)移頭陣列使用異性電荷的吸引來(lái)拾取微型器件。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施 例，向轉(zhuǎn)移頭施加吸合電壓W在發(fā)光器件上生成握壓并拾取發(fā)光器件。在一個(gè)實(shí)施例中，生 成大于1個(gè)大氣壓的握壓。例如，每個(gè)轉(zhuǎn)移頭可生成2個(gè)大氣壓或更大，或者甚至20個(gè)大氣 壓或更大的握壓，而不會(huì)出現(xiàn)由于轉(zhuǎn)移頭的介質(zhì)擊穿造成的短接。在一些實(shí)施例中，微型拾 取陣列中的轉(zhuǎn)移頭分隔開(kāi)一定間距（x、y和/或?qū)蔷€(xiàn)），該間距與發(fā)光器件陣列的接收襯 底上的間距匹配。例如，在接收襯底為顯示襯底的情況下，轉(zhuǎn)移頭的間距可與像素或