電子元件封裝體及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種封裝體及其制作方法，且特別是有關(guān)于一種電子元件封裝體及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著電子元件工業(yè)技術(shù)的進步，電子元件已自硬質(zhì)不可撓曲特性朝向軟性可撓曲特性發(fā)展，此發(fā)展過程伴隨著電子元件所使用的材質(zhì)的改變。舉例而言，可撓性基板已在許多應用中取代了硬質(zhì)玻璃基板，同時電子元件中的各項構(gòu)件也逐漸發(fā)展出以可撓性材料，例如有機材料，來制作?？蓳闲噪娮釉捎糜袡C材料制作時，阻隔水氣與氧氣的能力一直是亟待解決的問題。為求有效延長可撓性電子元件的壽命，各種封裝結(jié)構(gòu)都著重于阻隔水氣與氧氣的技術(shù)手段。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供一種電子元件封裝體，其具有良好的阻隔水氣、氧氣的能力，以延長電子元件的壽命。
[0004]本發(fā)明提供一種電子元件封裝體的制作方法，可確保電子元件封裝體具有良好的阻隔水氣、氧氣的能力。
[0005]本發(fā)明的電子元件封裝體包括阻氣基板、基底層、電子元件以及阻隔膜?；讓优渲糜谧铓饣迳??；讓拥牟馁|(zhì)為光固化材料。電子元件配置于基底層上。阻隔膜配置于阻氣基板上，其中阻隔膜與阻氣基板包覆電子元件與基底層。
[0006]在本發(fā)明的一實施例中，上述的電子元件包括多個電子元件單元，各個電子元件單元彼此獨立。
[0007]在本發(fā)明的一實施例中，上述的基底層包括多個陣列排列且彼此分離的基底層單元，而各個電子元件單元配置于對應的各個基底層單元上。
[0008]在本發(fā)明的一實施例中，上述阻隔膜包括多個陣列排列且彼此分離的阻隔膜單元，而各個阻隔膜單元覆蓋其中一個電子元件單元以及其中一個基底層單元。
[0009]在本發(fā)明的一實施例中，上述阻隔膜同時覆蓋這些電子元件單元以及這些基底層單元。
[0010]在本發(fā)明的一實施例中，上述阻氣基板包括可撓性基板。
[0011]在本發(fā)明的一實施例中，上述阻氣基板的材質(zhì)包括無機材料。
[0012]在本發(fā)明的一實施例中，上述電子元件在上述阻氣基板上的正投影面積暴露出基底層在上述阻氣基板上的正投影面積的一部分。
[0013]在本發(fā)明的一實施例中，上述電子元件包括顯示元件、發(fā)光元件、晶體管元件、太陽能元件或其組合。
[0014]在本發(fā)明的一實施例中，上述電子元件包括有機電子元件。
[0015]在本發(fā)明的一實施例中，上述基底層的材質(zhì)包括紫外光可硬化樹脂、光阻材料、可光固化材料或上述材料的組合。
[0016]本發(fā)明的電子元件封裝體的制作方法，其包括以下步驟。于阻氣基板上使用光固化材料形成基底層。在光固化材料固化成基底層后，將電子元件形成于基底層上。于阻氣基板上形成阻隔膜，以使阻隔膜與阻氣基板接合，而包覆電子元件與絕緣層。
[0017]在本發(fā)明的一實施例中，上述形成電子元件的方法包括在基底層上形成多個彼此獨立的電子元件單元。
[0018]在本發(fā)明的一實施例中，上述形成基底層的方法包括將基底層圖案化為多個基底層單元，而后將各個電子元件單元形成在其中一個基底層單元上。
[0019]在本發(fā)明的一實施例中，上述形成阻隔膜時，讓阻隔膜同時覆蓋這些電子元件單元以及基底層單元。
[0020]在本發(fā)明的一實施例中，上述形成阻隔膜時，讓阻隔膜具有多個阻隔膜單元以分別覆蓋這些電子元件單元以及基底層單元。
[0021]在本發(fā)明的一實施例中，上述電子元件封裝體的制作方法還包括將阻氣基板切割成多個基板單元，各個電子元件單元位于其中一個基板單元上。
[0022]在本發(fā)明的一實施例中，上述使用光固化材料形成基底層的方法包括微影法。
[0023]在本發(fā)明的一實施例中，上述基底層與電子元件在相同的機臺中制作。
[0024]基于上述，由于本發(fā)明的電子元件封裝體采用阻氣基板來對電子元件進行封裝，并且以光固化材料在阻氣基板上形成基底層，其中電子元件配置于基底層上，阻隔膜包覆電子元件以及基底層并與阻氣基板接合，因此有效提升了電子元件封裝體的阻隔水氣、氧氣的能力，以延長電子兀件的壽命。
[0025]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附附圖作詳細說明如下。
【附圖說明】
[0026]圖1A至圖1E是本發(fā)明第一實施例的電子元件封裝體的制作方法的流程示意圖。
[0027]圖2A是圖1B的俯視示意圖。
[0028]圖2B是圖1D的俯視示意圖。
[0029]圖3A至圖3E是本發(fā)明第二實施例的電子元件封裝體的制作方法的流程示意圖。
[0030]圖4是圖3D的俯視示意圖。
[0031]圖5是第一實施例的電子元件封裝體的卷對卷連續(xù)制程的示意圖。
[0032]其中，附圖標記說明如下:
[0033]11:第一滾輪組
[0034]12:第二滾輪組
[0035]13:第三滾輪組
[0036]14:第四滾輪組
[0037]15:第五滾輪組
[0038]16:第六滾輪組
[0039]17:第七滾輪組
[0040]20:注料頭
[0041]30:微影機臺
[0042]40:沉積機臺
[0043]40A:蝕刻機臺
[0044]41:材料層
[0045]42:元件層
[0046]50:封裝機臺
[0047]100、100A:電子元件封裝體
[0048]110:阻氣基板
[0049]111:基板單元
[0050]120:基底層
[0051]120’:光固化材料
[0052]121:基底層單元
[0053]122:側(cè)壁
[0054]121a:上表面
[0055]130:電子元件
[0056]131:電子元件單元
[0057]132:側(cè)壁
[0058]140:阻隔膜
[0059]141:阻隔膜單元
[0060]C1、C2:切割線
[0061]D1、D2、D3、D4:距離
[0062]G:間距
[0063]S1、S2:結(jié)構(gòu)卷
[0064]T1、T2、T3、T4:厚度
【具體實施方式】
[0065]圖1A至圖1E是本發(fā)明第一實施例的電子元件封裝體的制作方法的流程示意圖。圖2Α是圖1B的俯視不意圖。圖2Β是圖1D的俯視不意圖。請參考圖1Α,首先,于阻氣基板110上形成整層的光固化材料120’。在本實施例中，阻氣基板110例如是可撓性基板，其材質(zhì)可為金屬(例如鋁、鐵)、不銹鋼、玻璃或陶瓷等無機材料，亦或是聚乙烯(PE)系列的塑膠、聚甲基丙烯酸甲酯(ΡΜΜΑ)、聚羧酸酯(Polycarbonate, PC)或聚酰亞胺(Polyimide, PI )。阻氣基板110可以是由有機材料與無機材料多層堆疊而成的多層式基板，又或者是硬質(zhì)基板，本發(fā)明對此不加以限制。其中，阻氣基板110的厚度Tl例如介于75微米至200微米之間，且其水氣通過率(water vapor transmiss1n rate, WVTR)例如介于 0.01g/m2/day 至0.001g/m2/day 之間。
[0066]通常而言，光固化材料120’可通過涂布的方式形成于阻氣基板110上，并于照光后固化成層，其中涂布于阻氣基板I1上的光固化材料120’的厚度T2與材料濃度相關(guān)，厚度T2大約介于I微米至20微米之間。在本實施例中，光固化材料120’的材質(zhì)例如是可經(jīng)由紫外光照射后即固化成型的紫外光感光型樹脂(ultrav1let photographic resin),也可以是其他感光性樹脂(photosensitive resin)、光阻材料、可光固化材料或上述材料的組合，本發(fā)