請參考圖2C，
[0120]具體的，可使用濺射(Sputter)設(shè)備沉積40_50nm厚度的氧化物半導(dǎo)體薄膜，之后使用光刻工藝形成有源層14的圖形。優(yōu)選地，在形成氧化物有源層14之后，進(jìn)行一次退火工藝，提高氧化物有源層的穩(wěn)定性。
[0121]步驟S704:在氧化物有源層14上形成石墨烯薄膜15 ;請參考圖2D ；
[0122]具體的，可使用氣相沉積法或SiC (碳化硅)熱分解法先形成一層單層石墨烯薄膜15，優(yōu)選地，采用SiC熱分解法，原因在于SiC熱分解法不會引入氫原子。
[0123]步驟S705:在所述石墨烯薄膜15上涂覆光刻膠21 ;請參考圖2E ；
[0124]步驟S706:請參考圖3A，采用半色調(diào)掩膜板(half tone Mask)或者灰色調(diào)掩膜板對所述光刻膠21進(jìn)行曝光顯影，形成光刻膠完全保留區(qū)域211、光刻膠半保留區(qū)域212和光刻膠完全去除區(qū)域213，其中，所述光刻膠完全保留區(qū)域211對應(yīng)源漏電極、數(shù)據(jù)線和像素電極圖形區(qū)域，所述光刻膠半保留區(qū)域212對應(yīng)源漏電極之間的間隙區(qū)域(即溝道區(qū)域)，所述光刻膠完全去除區(qū)域213對應(yīng)其他區(qū)域；
[0125]步驟S707:請參考圖3B，采用刻蝕工藝刻蝕掉所述光刻膠完全去除區(qū)域213的石墨稀薄膜；
[0126]具體的，可使用干法刻蝕工藝刻蝕石墨烯薄膜，干刻氣氛可以為氧氣。
[0127]步驟S708:請參考圖3C，采用灰化工藝去除所述光刻膠半保留區(qū)域212的光刻膠；
[0128]步驟S709:請參考圖3D，將所述源漏電極之間的間隙區(qū)域的石墨烯薄膜轉(zhuǎn)換為石墨烷層153 ；
[0129]具體的，可采用可逆加氫處理將石墨烯加工成石墨烷。優(yōu)選地，問了提高氧化物薄膜晶體管的穩(wěn)定性，將所述光刻膠半保留區(qū)域212的石墨烯薄膜轉(zhuǎn)換為石墨烷層153之后，還可以再進(jìn)行一次退火工藝，退火溫度可以在230°C -350°C。
[0130]步驟S710:請參考圖3E，剝離剩余的光刻膠，形成源電極151、漏電極152、像素電極154和數(shù)據(jù)線(圖未示出)的圖形。
[0131]步驟S711:請參考圖3F，形成鈍化層17。
[0132]為了提高氧化物薄膜晶體管的穩(wěn)定性，優(yōu)選地，在陣列基板完成后進(jìn)行最終退火處理，退火溫度不得高于鈍化層材料(通常為樹脂)的后烘溫度，一般在200-250°C之間。
[0133]本發(fā)明實施例中，采用一次構(gòu)圖工藝形成源漏電極、像素電極和數(shù)據(jù)線，可以減少了兩道m(xù)ask工藝，降低了生產(chǎn)成本，且石墨烯采用干刻工藝，刻蝕過程不會對氧化物有源層造成影響。另外，石墨烯為透明導(dǎo)電材料，還可以提升薄膜晶體管陣列基板的開口率。進(jìn)一步的，本發(fā)明實施例的薄膜晶體管可以縮短源漏電極之間的溝道，提高了薄膜晶體管的性能。此外，石墨烯具有吸附氫氣的作用，可以有效吸附氧化物有源層中的氫原子，提高了薄膜晶體管的穩(wěn)定性和信賴性。本發(fā)明還提供一種薄膜晶體管，包括襯底基板以及設(shè)置于襯底基板上的柵電極、柵絕緣層、氧化物有源層和源漏電極，所述源漏電極與所述有源層直接接觸，所述源漏電極采用透明導(dǎo)電材料形成。
[0134]優(yōu)選地，所述透明導(dǎo)電材料為石墨稀。
[0135]優(yōu)選地，為保護(hù)源漏電極之間的溝道區(qū)域，所述薄膜晶體管還包括:與所述源漏電極同層設(shè)置，且位于所述源漏電極之間的石墨烷層。
[0136]本發(fā)明還提供一種薄膜晶體管陣列基板，包括襯底基板以及設(shè)置于襯底基板上的柵電極、柵絕緣層、氧化物有源層、源漏電極、數(shù)據(jù)線和像素電極，所述源漏電極、數(shù)據(jù)線和像素電極采用同一透明導(dǎo)電材料形成，且同層設(shè)置，所述源漏電極與所述有源層直接接觸。
[0137]優(yōu)選地，所述透明導(dǎo)電材料為石墨稀。
[0138]優(yōu)選地，為保護(hù)源漏電極之間的溝道區(qū)域，所述薄膜晶體管還包括:與所述源漏電極同層設(shè)置，且位于所述源漏電極之間的石墨烷層。
[0139]本發(fā)明還提供一種顯示面板，包括上述薄膜晶體管陣列基板。
[0140]本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括上述顯示面板。
[0141]以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以作出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項】
1.一種薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，包括: 形成氧化物有源層； 在所述有源層上形成源漏電極，其中，所述源漏電極與所述有源層直接接觸，所述源漏電極采用透明導(dǎo)電材料形成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述在所述有源層上形成源漏電極的步驟包括: 形成透明導(dǎo)電材料薄膜； 在所述透明導(dǎo)電材料薄膜上涂覆光刻膠； 采用半色調(diào)或者灰色調(diào)掩膜板對所述光刻膠進(jìn)行曝光顯影，形成光刻膠完全保留區(qū)域、光刻膠半保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域，其中，所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)源漏電極圖形區(qū)域，所述光刻膠半保留區(qū)域?qū)?yīng)源漏電極之間的間隙區(qū)域，所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)其他區(qū)域； 采用干法刻蝕工藝刻蝕掉所述光刻膠完全去除區(qū)域的透明導(dǎo)電材料薄膜； 采用灰化工藝灰化掉所述光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠； 將所述光刻膠半保留區(qū)域的透明導(dǎo)電材料薄膜轉(zhuǎn)換為絕緣材料層； 剝離光刻膠，形成源漏電極的圖形。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述透明導(dǎo)電材料為石墨烯，所述絕緣材料為石墨烷。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述將所述光刻膠半保留區(qū)域的透明導(dǎo)電材料薄膜轉(zhuǎn)換為絕緣材料層的步驟具體為: 對所述光刻膠半保留區(qū)域的石墨烯薄膜進(jìn)行可逆加氫處理，將所述光刻膠半保留區(qū)域的石墨烯轉(zhuǎn)換為石墨烷。
5.一種薄膜晶體管陣列基板的制備方法，其特征在于，包括: 形成氧化物有源層； 通過一次構(gòu)圖工藝形成源漏電極、數(shù)據(jù)線和像素電極的圖形，其中，所述源漏電極與所述有源層直接接觸，所述源漏電極、數(shù)據(jù)線和像素電極采用透明導(dǎo)電材料形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述通過一次構(gòu)圖工藝形成源漏電極、數(shù)據(jù)線和像素電極的圖形的步驟包括: 形成透明導(dǎo)電材料薄膜； 在所述透明導(dǎo)電材料薄膜上涂覆光刻膠； 采用半色調(diào)或者灰色調(diào)對所述光刻膠進(jìn)行曝光顯影，形成光刻膠完全保留區(qū)域、光刻膠半保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域，其中，所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)源漏電極、數(shù)據(jù)線和像素電極圖形區(qū)域，所述光刻膠半保留區(qū)域?qū)?yīng)源漏電極之前的間隙區(qū)域，所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)其他區(qū)域； 采用干法刻蝕工藝刻蝕掉所述光刻膠完全去除區(qū)域的透明導(dǎo)電材料薄膜； 采用灰化工藝灰化掉所述光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠； 將所述光刻膠半保留區(qū)域的透明導(dǎo)電材料薄膜轉(zhuǎn)換為絕緣材料層； 剝離光刻膠，形成源漏電極、數(shù)據(jù)線和像素電極的圖形。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述透明導(dǎo)電材料為石墨烯，所述絕緣材料為石墨烷。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述將所述光刻膠半保留區(qū)域的透明導(dǎo)電材料薄膜轉(zhuǎn)換為絕緣材料層的步驟具體為: 對所述光刻膠半保留區(qū)域的石墨烯薄膜進(jìn)行可逆加氫處理，將所述光刻膠半保留區(qū)域的石墨烯轉(zhuǎn)換為石墨烷。
9.一種薄膜晶體管，包括襯底基板以及設(shè)置于襯底基板上的柵電極、柵絕緣層、氧化物有源層和源漏電極，其特征在于，所述源漏電極與所述有源層直接接觸，所述源漏電極采用透明導(dǎo)電材料形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述透明導(dǎo)電材料為石墨烯。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的薄膜晶體管，其特征在于，還包括: 與所述源漏電極同層設(shè)置，且位于所述源漏電極之間的石墨烷層。
12.一種薄膜晶體管陣列基板，包括襯底基板以及設(shè)置于襯底基板上的柵電極、柵絕緣層、氧化物有源層、源漏電極、數(shù)據(jù)線和像素電極，其特征在于，所述源漏電極、數(shù)據(jù)線和像素電極采用同一透明導(dǎo)電材料形成，且同層設(shè)置，所述源漏電極與所述有源層直接接觸。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述透明導(dǎo)電材料為石墨烯。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，還包括: 與所述源漏電極同層設(shè)置，且位于所述源漏電極之間的石墨烷層。
15.一種顯示面板，其特征在于，包括如權(quán)利要求12-14任一項所述的薄膜晶體管陣列基板。
16.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求15所述的顯示面板。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種薄膜晶體管、陣列基板、制備方法、顯示面板和顯示裝置。該薄膜晶體管的制備方法包括：形成氧化物有源層；在所述有源層上形成源漏電極，其中，所述源漏電極與所述有源層直接接觸，所述源漏電極采用透明導(dǎo)電材料形成。本發(fā)明中，將源漏電極直接形成在有源層之上，使得源漏電極直接與有源層接觸，不需要形成刻蝕阻擋層，可以減少了一道m(xù)ask工藝，降低了生產(chǎn)成本。另外，源漏電極采用透明導(dǎo)電材料，還可以提升使用該薄膜晶體管的陣列基板的開口率。進(jìn)一步的，本發(fā)明實施例的薄膜晶體管可以縮短源漏電極之間的溝道，提高了薄膜晶體管的性能。
【IPC分類】H01L27-12, H01L29-786, H01L29-66, H01L21-28
【公開號】CN104851910
【申請?zhí)枴緾N201510172472
【發(fā)明人】王珂
【申請人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司
【公開日】2015年8月19日
【申請日】2015年4月13日