并不特別限定,可以是含有金、銅、鉛、鋁或它們的合金的單層結(jié)構(gòu)或?qū)盈B結(jié)構(gòu)的任一個。另外,在各電極的表面上,可以形成N1、T1、Au、Pt、Pd、W等金屬或合金的單層膜或?qū)盈B膜來作為襯墊(pad)電極。電極的膜厚并不特別限定,其中優(yōu)選在最終層(最靠表面?zhèn)?配置Au,且Au的膜厚為10nm左右以上。
[0063]發(fā)光元件通過第一導電性接合構(gòu)件固定于上述基體。
[0064]在使用在同一面?zhèn)染哂姓摰碾姌O的發(fā)光元件的情況下,可以采用面朝上安裝或倒片安裝任一種方式,優(yōu)選采用倒片安裝。在該情況下,如圖1所示,發(fā)光元件10的正負電極以與導體布線50a、50b對置的方式配置,且由第一導電性接合構(gòu)件30接合。通過采用倒片安裝,由此能夠經(jīng)由第一導電性接合構(gòu)件30而實現(xiàn)發(fā)光元件10與導體布線50a、50b的電連接,因而不再需要引線接合,能實現(xiàn)更小型的發(fā)光裝置。
[0065]在使用在對置的面上分別具有正負電極的發(fā)光元件的情況下,可以將一方的形成有電極的面(以下,有時稱為第一面或背面)載置于基體的導體布線,并通過第一導電性接合構(gòu)件固定于基體。由此,能夠?qū)⑴渲糜诒趁娴碾姌O與導體布線電連接。
[0066]形成有另一方的電極(以下有時稱為第二電極)的另一方的面(以下,有時稱為第二面或上表面)面向與基體相反的一側(cè)而配置,第二電極通常經(jīng)由引線與導電構(gòu)件電連接。
[0067]在本發(fā)明的發(fā)光裝置中,一個發(fā)光裝置中可以僅載置一個發(fā)光元件,也可以載置多個發(fā)光元件。在載置多個發(fā)光元件的情況下,連接方式并不特別限定,可以是并聯(lián)、串聯(lián)或它們的組合。通過載置多個發(fā)光元件,能夠增大發(fā)光面積且能夠提高光束。
[0068](第一導電性接合構(gòu)件30)
[0069]第一導電性接合構(gòu)件只要能夠在發(fā)光元件的下表面與基體之間形成間隙,則沒有特別限定。為了能夠通過加熱而容易地接合,且加熱后也維持規(guī)定的間隙,優(yōu)選能夠維持規(guī)定的形狀的構(gòu)件。作為這樣的導電性接合構(gòu)件,優(yōu)選使用所謂的Cu芯球。由于Cu芯球為球狀,因而使用用具吸附用具統(tǒng)一吸附球來進行載置的方法、使用在圓形上開設有孔的掩膜而撒入式地統(tǒng)一進行載置的方法是容易的,能夠提高生產(chǎn)速度。
[0070]第一導電性接合構(gòu)件可以相對于發(fā)光元件的一個電極配置有多個,也可以相對于一個導體布線配置有多個。圖3是本實施方式中使用的第一導電性接合構(gòu)件30的示意剖視圖。如圖3所示,第一導電性接合構(gòu)件具有芯球(以下也稱為芯部)、以及設置在芯部I的外側(cè)的被覆部2。被覆部2與設于基體的導體布線連接。該連接優(yōu)選為共晶接合。在第一導電性接合構(gòu)件30為球狀的情況下,通過在導體布線側(cè)具有與球的曲面對應的凹形狀,由此能夠以良好的位置精度配置Cu芯球。
[0071]另外,芯部的熔點優(yōu)選高于被覆部的熔點。需要說明的是,芯部不限于如圖3的球狀,可以形成為所需的形狀。
[0072]具體來說,優(yōu)選具有以Cu為主成分的芯部,作為被覆部使用含有S1、Ge、Sn中的至少一種以上和Au的合金。另外,更加優(yōu)選以包圍芯部的方式具有規(guī)定的基底膜,并且在其上具有Sn系的被膜。作為基底膜,能夠使用N1、N1-B、N1-P等。此處,Sn系被膜可以是Sn系合金的一層被膜,也可以是Sn與其他合金成分、Sn合金的多層被膜。在為Sn與其他合金成分、Sn合金的多層被膜的情況下,在用于在基體的電極上形成Cu芯球的凸塊的回流焊工序中,Sn與其他合金成分、Sn合金相互熔融擴散,從而形成均勻的合金層。
[0073]芯部的成分優(yōu)選以Cu為主成分(即,Cu的含有率為50質(zhì)量%以上)。尤其在為Cu含有率99質(zhì)量%以上的球、或者Cu與Zn、Sn、P、N1、Au、Mo、W中的一種以上的合金的球的情況,導熱性和導電性優(yōu)異,因而優(yōu)選。另外,由于不會因共晶接合時的加熱而發(fā)生熔融,因而能夠維持間隙。如果Cu含有率過低,則原本Cu所具有的高導熱性和導電性受到損害。
[0074]芯部優(yōu)選為球狀,其直徑優(yōu)選為I?1000 μπι。如果比這小,則操作變得困難,這樣的大小不現(xiàn)實。如果直徑比1000 μπι大,則發(fā)光裝置的小型化變得困難。因而,更加優(yōu)選采用直徑40?200 μm。芯部I的高度優(yōu)選比保護元件60的高度高。
[0075]另外,作為被覆部2的厚度,優(yōu)選I?50 μm左右,更加優(yōu)選I?10 μπι。第一導電性接合構(gòu)件的高度優(yōu)選高于后述的保護元件的高度。而且,在被覆部2為Sn系的情況下,其厚度優(yōu)選為I?50 μ m。如果比該范圍薄,則作為焊料來說不充分。如果比50 μ m厚,則與Cu球的大小相比過厚,在形成凸塊時可能會熔融流出而與鄰接的電極、凸塊等發(fā)生接觸。
[0076]在本實施方式中,在由第一導電性接合構(gòu)件形成的間隙中填充光反射性樹脂。因此,優(yōu)選以確保樹脂的填充路徑的方式配置第一導電性接合構(gòu)件。例如,如圖2所示,優(yōu)選在矩形的發(fā)光元件的四角配置第一導電性接合構(gòu)件。另外,優(yōu)選第一導電性接合構(gòu)件為球狀(ball shape),從而容易向第一導電性接合構(gòu)件與發(fā)光元件及基材相接的部分填充樹脂。
[0077](保護元件60)
[0078]在發(fā)光元件的下表面與基材的上表面之間的間隙中配置有保護元件。保護元件可以是搭載于發(fā)光裝置的公知的任意元件。例如,可以舉出能夠使施加于發(fā)光元件的反向的電壓短路、或者使比發(fā)光元件的工作電壓高的規(guī)定的電壓以上的正向電壓短路的元件,即過電壓、過電流、保護電路、靜電保護元件等。具體來說,可以利用齊納二極管、晶體管的二極管等。更加優(yōu)選在一面?zhèn)染哂袃蓚€電極而能夠進行倒片安裝的元件。
[0079](第二導電性接合構(gòu)件32)
[0080]保護元件在發(fā)光元件的下方經(jīng)由第二導電性接合構(gòu)件而與基體接合。尤其優(yōu)選經(jīng)由第二導電性接合構(gòu)件而實現(xiàn)保護元件與導電構(gòu)件的電連接。作為第二導電性接合構(gòu)件,例如能夠適當?shù)厥褂肧nPb系、SnAgCu系、AuSn系、SnZn系、SuCu系等材料。其中優(yōu)選AuSn系共晶。另外,出于改善潤濕性或焊料裂紋性的目的,也可以向上述材料中任意添加B1、In等。
[0081](光反射性樹脂80)
[0082]光反射性樹脂以覆蓋在基體與發(fā)光元件之間安裝的保護元件的方式配置。通過光反射性樹脂覆蓋保護元件,由此能夠抑制來自發(fā)光元件的光被保護元件吸收的現(xiàn)象。
[0083]光反射性樹脂至少覆蓋保護元件即可,然而優(yōu)選以填埋與基體對置的發(fā)光元件的下表面和基體的上表面之間的間隙的方式,與發(fā)光元件、基體、保護元件、第一導電性接合構(gòu)件相接地配置。光反射性樹脂可以不僅與發(fā)光元件的底面接觸,也與其側(cè)面接觸。光反射性樹脂優(yōu)選不僅覆蓋發(fā)光元件的下部,還覆蓋位于發(fā)光元件的外側(cè)的區(qū)域的基體以及形成于基體的導體布線的上表面。
[0084]光反射性樹脂優(yōu)選由對來自發(fā)光元件的光的反射率為60%以上的反射性材料形成,進一步優(yōu)選由對來自發(fā)光元件的光的反射率為70 %、80 %或90 %以上的反射性材料形成。
[0085]反射性材料例如能夠由陶瓷、樹脂、電介質(zhì)、紙漿、玻璃或它們的復合材料等來形成。其中,從能夠容易地成形為任意的形狀這樣的觀點來看,優(yōu)選樹脂。
[0086]作為樹脂,可以舉出熱固化性樹脂、熱塑性樹脂等。具體來說,可以舉出含有硅酮樹脂、改性硅酮樹脂、環(huán)氧樹脂、改性環(huán)氧樹脂、丙烯酸類樹脂的一種以上的樹脂或雜化(hybrid)樹脂等。
[0087]另外,這些材料中、例如樹脂中優(yōu)選含有二氧化鈦、二氧化硅、二氧化鋯、鈦酸鉀、氧化鋁、氮化鋁、氮化硼、莫來石、氧化鈮、硫酸鋇、炭黑、各種稀土類氧化物(例如,氧化釔、氧化釓)等光反射構(gòu)件、光散射材料或著色劑等。也可以含有玻璃纖維、硅灰石等纖維狀填料、炭黑等無機填料、以及散熱性高的材料(例如氮化鋁等)。上述光反射構(gòu)件等例如可以相對于整個光反射構(gòu)件的重量含有5?60%左右。
[0088](透光層90)
[0089]發(fā)光元件可以由透光層任意地覆蓋。透光層是使從發(fā)光元件射出的光通過的層,優(yōu)選使從發(fā)光元件射出的光的60 %以上透過,更加優(yōu)選使從發(fā)光元件射出的光的70 %、80%或90%以上透過。這樣的層例如能夠通過硅酮樹脂、硅酮改性樹脂、環(huán)氧樹脂、酚醛樹月旨、聚碳酸酯樹脂、丙烯酸類樹脂、三甲基戊烯樹脂、聚降冰片烯樹脂或含有這些樹脂中的一種以上的雜化樹脂等樹脂、或者玻璃等來形成。
[0090]透光層中還可以含有熒光體、擴散劑等。
[0091](熒光體)
[0092]熒光體能夠使用本領域公知的物質(zhì)。例如,可以舉出以鈰活化的釔?鋁?石榴石(YAG)系熒光體、以鈰活化的镥.鋁.石榴石(LAG)、以銪和/或鉻活化的含氮鋁硅酸鈣(CaO-Al2O3-S12)系熒光體、以銪活化的硅酸鹽((Sr,Ba)2Si04)系熒光體、β塞隆(SiAlON)熒光體、CASN系或SCASN系熒光體等氮化物系熒光體、KSF系熒光體(K2SiF6:Mn)、硫化物系熒光體等。在發(fā)光裝置用于液晶顯示器的背光源等的情況下,優(yōu)選使用由藍色光激發(fā)、發(fā)出紅色光的熒光