一種led器件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及LED領(lǐng)域，尤其涉及的是，一種LED器件。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著技術(shù)的發(fā)展，LED已經(jīng)得到廣泛應(yīng)用。LED是半導(dǎo)體二極管的一種，可以把電能轉(zhuǎn)化成光能。發(fā)光二極管與普通二極管一樣是由一個PN結(jié)組成，也具有單向?qū)щ娦浴．斀o發(fā)光二極管加上正向電壓后，從P區(qū)注入到N區(qū)的空穴和由N區(qū)注入到P區(qū)的電子，在PN結(jié)附近數(shù)微米內(nèi)分別與N區(qū)的電子和P區(qū)的空穴復(fù)合，產(chǎn)生自發(fā)輻射的熒光。不同的半導(dǎo)體材料中電子和空穴所處的能量狀態(tài)不同。當電子和空穴復(fù)合時釋放出的能量多少不同，釋放出的能量越多，則發(fā)出的光的波長越短。常用的是發(fā)紅光、綠光或黃光的二極管。發(fā)光二極管的反向擊穿電壓大于5伏。它的正向伏安特性曲線很陡，使用時必須串聯(lián)限流電阻以控制通過二極管的電流。限流電阻R可用下式計算:R= (E — UF)/IF。
[0003]式中E為電源電壓，UF為LED的正向壓降，IF為LED的正常工作電流。發(fā)光二極管的核心部分是由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體組成的晶片，在P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體之間有一個過渡層，稱為PN結(jié)。在某些半導(dǎo)體材料的PN結(jié)中，注入的少數(shù)載流子與多數(shù)載流子復(fù)合時會把多余的能量以光的形式釋放出來，從而把電能直接轉(zhuǎn)換為光能。PN結(jié)加反向電壓，少數(shù)載流子難以注入，故不發(fā)光。這種利用注入式電致發(fā)光原理制作的二極管叫發(fā)光二極管，通稱LED。當它處于正向工作狀態(tài)時(即兩端加上正向電壓)，電流從LED陽極流向陰極時，半導(dǎo)體晶體就發(fā)出從紫外到紅外不同顏色的光線，光的強弱與電流有關(guān)。
[0004]但是，現(xiàn)有的LED器件，往往只是將LED芯片正面安裝或者倒裝，使其發(fā)光方向向上或者向下。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供一種新的LED器件。
[0006]本發(fā)明的技術(shù)方案如下:一種LED器件，其包括基座；所述基座設(shè)置凹槽部與凸起部；所述凸起部設(shè)置至少一 LED芯片；所述凹槽部設(shè)置若干LED芯片。
[0007]例如，所述凹槽部的深度為0.2mm?4mm ;又如，所述凸起部為圓臺體結(jié)構(gòu)；又如，所述基座的開口為矩形、圓形或者橢圓形。
[0008]又如，所述凸起部設(shè)置至少兩個LED芯片；優(yōu)選的，相鄰兩個LED芯片的間隙為LED芯片寬度的20%至60%。
[0009]又如，所述凹槽部中各LED芯片順序排列，末端處的LED芯片鄰接初始處的LED芯片；優(yōu)選的，相鄰兩個LED芯片的間隙為LED芯片寬度的20%至60%。
[0010]又如，所述基座包括鋁、銅、金和/或鎳，優(yōu)選的，銅芯層，以增強散熱效果。又如，所述基座還包括石墨層。
[0011]優(yōu)選的，所述凹槽部為環(huán)形。
[0012]優(yōu)選的，所述凹槽部為“回”形。
[0013]優(yōu)選的，所述凹槽部具有第一側(cè)壁以及第二側(cè)壁，各所述第二側(cè)壁圍合形成所述凸起部。
[0014]例如，所述基座設(shè)置側(cè)壁部，其與所述第一側(cè)壁相連。
[0015]例如，所述側(cè)壁部包括第一段與第二段，又如，所述第一段與所述第一側(cè)壁的傾斜度相同或者相異設(shè)置。
[0016]例如，相對于所述基座的底面，所述第一段的傾斜度為40至75度，又如，所述第一側(cè)壁的傾斜度為40至70度；優(yōu)選的，所述第一段與所述第一側(cè)壁的傾斜度相同設(shè)置，例如，所述第一段與所述第一側(cè)壁一體設(shè)置。
[0017]又如，相對于所述基座的底面，所述第二段的傾斜度與所述第一段的傾斜度相同或者相異設(shè)置。例如，所述第二段的傾斜度與所述第一段的傾斜度相同設(shè)置；例如，所述第一段與所述第二段一體設(shè)置。
[0018]又如，相對于所述基座的底面，所述第二段的傾斜度為90度，這樣，易于安裝熒光體。又如，相對于所述基座的底面，所述第二側(cè)壁的傾斜度為70至90度；優(yōu)選的，所述第二側(cè)壁的傾斜度為75至85度。
[0019]優(yōu)選的，所述第二側(cè)壁設(shè)置第二反射層，用于反射所述凹槽部中的各LED芯片的光線。
[0020]優(yōu)選的，所述第一側(cè)壁設(shè)置第一反射層，用于反射所述凹槽部中的各LED芯片的光線。
[0021]又如，所述反射層下方還部分設(shè)置散熱層，例如，所述散熱層為絕緣體，例如，所述絕緣體包括金剛石膜層。
[0022]優(yōu)選的，所述凸起部低于所述基座的最高位置。
[0023]優(yōu)選的，所述凸起部位于所述基座的高度的25% -45%。
[0024]優(yōu)選的，所述基座上還設(shè)置封裝結(jié)構(gòu)。
[0025]優(yōu)選的，所述封裝結(jié)構(gòu)包括熒光體，其位于所述基座上方。
[0026]例如，各所述LED芯片位于所述熒光體與所述基座之間。又如，所述熒光體中設(shè)置熒光粉，例如，所述熒光粉中包括帶有釔鋁石榴石和/或氮化物的熒光粉；又如，所述熒光粉中還包括S1、Al和/或Ti元素；熒光粉為微粒結(jié)構(gòu)，包括圓球形、橢球形、錐體或其他形狀，優(yōu)選的，所述微粒結(jié)構(gòu)的最大寬度和/或最大長度為15nm?850nm。
[0027]優(yōu)選的，所述熒光體為熒光膠。
[0028]優(yōu)選的，所述熒光體為具有熒光粉層的玻璃。
[0029]采用上述方案，本發(fā)明的LED芯片分別設(shè)置于凹槽部與凸起部，散熱性能較好，特別適用于照明領(lǐng)域，尤其是大功率LED照明燈，具有很高的市場應(yīng)用價值。
【附圖說明】
[0030]圖1為本發(fā)明的一個實施例的示意圖；
[0031]圖2為本發(fā)明的又一個實施例的示意圖；
[0032]圖3為本發(fā)明的又一個實施例的支架示意圖；
[0033]圖4為本發(fā)明的又一個實施例的示意圖；
[0034]圖5為本發(fā)明的又一個實施例的示意圖；
[0035]圖6為本發(fā)明的又一個實施例的示意圖；
[0036]圖7為本發(fā)明的又一個實施例的示意圖；
[0037]圖8為本發(fā)明的又一個實施例的封裝結(jié)構(gòu)示意圖；
[0038]圖9為本發(fā)明的又一個實施例的封裝結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0039]為了便于理解本發(fā)明，下面結(jié)合附圖和具體實施例，對本發(fā)明進行更詳細的說明。但是，本發(fā)明可以采用許多不同的形式來實現(xiàn)，并不限于本說明書所描述的實施例。需要說明的是，當元件被稱為“固定于”另一個元件，它可以直接在另一個元件上或者也可以存在居中的元件。當一個元件被認為是“連接”另一個元件，它可以是直接連接到另一個元件或者可能同時存在居中元件。
[0040]除非另有定義，本說明書所使用的所有的技術(shù)和科學術(shù)語與屬于本發(fā)明的技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本說明書中在本發(fā)明的說明書中所使用的術(shù)語只是為了描述具體的實施例的目的，不是用于限制本發(fā)明。本說明書所使用的術(shù)語“及/或”包括一個或多個相關(guān)的所列項目的任意的和所有的組合。
[0041]本發(fā)明的一個實施例是，一種LED器件，其包括基座；所述基座設(shè)置凹槽部與凸起部；例如，各所述支架作為所述凹槽部的第二側(cè)壁圍合組成所述凸起部的側(cè)壁。
[0042]為了增強散熱效果，例如，所述基座包括鋁、銅、金和/或鎳，優(yōu)選的，所述基座設(shè)置銅芯層，以增強散熱效果。又如，所述基座還包括石墨層，例如，所述基座設(shè)置兩層所述銅芯層，其中夾持一層所述石墨層。優(yōu)選的，所述石墨層的厚度為所述銅芯層的厚度的8?10倍，例如，所述石墨層的厚度為所述銅芯層的厚度的10倍。
[0043]其中，所述凸起部設(shè)置至少一 LED芯片；所述凹槽部設(shè)置若干LED芯片。例如，如圖4所示，一種LED器件，其包括基座300以及LED芯片330 ;所述基座設(shè)置凹槽部310與凸起部320 ;所述凸起部設(shè)置至少一 LED芯片；所述凹槽部設(shè)置若干LED芯片。又如，如圖5所示，凹槽部310上設(shè)置若干LED芯片，包括LED芯片331與LED芯片332，凸起部320上設(shè)置LED芯片333，形成雙層發(fā)光體系。為便于安裝與排列，優(yōu)選的，所述基座為圓形或者方形，又如，所述凹槽部為圓形或者方形。例如，所述基座為圓形，所述凹槽部為圓形；又如，所述基座為圓形，所述凹槽部為方形；又如，所述基座為方形，所述凹槽部為圓形；又如，所述基座為方形，所述凹槽部為方形。優(yōu)選的，所述凹槽部為環(huán)形；或者，所述凹槽部為“回”形。
[0044]例如，由支架與基座圍合形成所述凹槽部；例如，所述凹槽部的深度為0.2mm?4mm，例如，所述凹槽部的深度為 0.2,0.3,0.4,0.6,0.9、1、1.2,1.44,1.56,1.8,2.1,2.3、2.5,2.8、3、3.1,3.4,3.5,3.7或4mm ;又如，所述凹槽部的深度為0.3mm?3.5mm ;又如，所述凸起部為圓臺體結(jié)構(gòu)；又如，所述基座的開口為矩形、圓形或者橢圓形。例如，在所述開口設(shè)置熒光粉層。
[0045]又如，所述凸起部設(shè)置至少兩個LED芯片；例如，如圖4所示，所述凸起部設(shè)置四個LED芯片。優(yōu)選的，相鄰兩個LED芯片的間隙為LED芯片寬度的20%至60%，例如，相鄰兩個LED芯片的間隙為LED芯片寬度的30%至50%。這樣，可以在凸起部設(shè)置發(fā)光區(qū)域，充分應(yīng)用凸起部的空間，實現(xiàn)了多方向出光大功率LED照明器件。
[0046]又如，所述凹槽部中各LED芯片順序排列，末端處的LED芯片鄰接初始處的LED芯片；例如，如圖4所示，排列成一個環(huán)形，末端處的LED芯片鄰接初始處的LED芯片，又如，排列成一個“回”形；優(yōu)選的，相鄰兩個LED芯片的間隙為LED芯片寬度的20%至60%。又如，相鄰兩個LED芯片的間隙為LED芯片寬度的25%至45%?；蛘?，相鄰兩個LED芯片的間隙為LED芯片最大寬度的20%至60%。例如，LED芯片為圓形、矩形或者方形，相鄰兩個LED芯片的間隙為LED芯片最大寬度的25%至45%。
[0047]優(yōu)選的，所述凹槽部具有第一側(cè)壁以及第二側(cè)壁，各所述第二側(cè)壁圍合形成所述凸起部。優(yōu)選的，第二側(cè)壁上也設(shè)置若干LED芯片。例如，如圖4所示，所述凹槽部310具有第一側(cè)壁311以及第二側(cè)壁312，各所述第二側(cè)壁圍合形成所述凸起部320。又如，如圖6所示，第二側(cè)壁312上也設(shè)置若干LED芯片334。
[0048]例如，如圖7所示，所述第一側(cè)壁設(shè)置第一壁部314與第二壁部313，例如，所述第一壁部的傾斜度與所述第二壁部的傾斜度相同或者相異設(shè)置；又如，如圖7所示，相對于所述基座的底面，所述第二壁部313的傾斜度為90度；這樣，易于安裝封裝結(jié)構(gòu)。優(yōu)選的，所述第一壁部與所述第二壁部一體設(shè)置，優(yōu)選的，兩者的傾斜度相異設(shè)置，例如，第一壁部為一喇叭形或者圓臺形的側(cè)壁結(jié)構(gòu)，第二壁部為圓柱形的側(cè)壁結(jié)構(gòu)。又如，如圖7所示，所述凸起部上設(shè)置若干LED芯片。又如，第一壁部上也設(shè)置若干LED芯片334。這樣，增強了 LED芯片的集成度，增大了出光方向，提升了出光效果。
[0049]例如，所述基座設(shè)置側(cè)壁部，其與所述第一側(cè)壁相連。又如，所述側(cè)壁部包括第一段與第二段，又如，所述第一段的傾斜度與所述第一側(cè)壁的傾斜度