制造有機發(fā)光顯示裝置的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種制造有機發(fā)光顯示裝置的方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 通常，平面顯示裝置可以被分為發(fā)光型裝置和光接收型裝置。發(fā)光型裝置可以包 括，例如陰極射線管、等離子顯示面板、電致發(fā)光裝置、發(fā)光二極管等。光接收型裝置可以包 括，例如液晶顯示器。在這些中，電致發(fā)光裝置具有若干優(yōu)點，例如寬視角、優(yōu)異的對比度和 高的響應(yīng)速度，因此，其作為下一代顯示裝置引起了公眾的關(guān)注。
[0003] 這種電致發(fā)光裝置根據(jù)形成發(fā)光層的材料分為無機電致發(fā)光裝置和有機電致發(fā) 光裝置。
[0004] 在這些中，有機電致發(fā)光裝置是自發(fā)光型顯示器，其電激發(fā)熒光有機化合物來發(fā) 光。該裝置可在低電壓下驅(qū)動，易于以薄的厚度來制造，并且具有寬的視角和高的響應(yīng)速 度，因此，其作為克服傳統(tǒng)液晶顯示器的問題的下一代顯示器而引起了公眾的關(guān)注。
[0005] 有機電致發(fā)光裝置可以包括陽極電極、陰極電極、及在它們之間由有機材料制成 的發(fā)光層。對于有機電致發(fā)光裝置，由于將正電壓和負電壓分別施加到這些電極上，因此將 從陽極電極注入的空穴穿過空穴傳輸層然后移動到發(fā)光層，同時從陰極電極提供的電子穿 過電子輸送層然后移動到發(fā)光層，然后，這些電子和空穴在發(fā)光層中再次結(jié)合以形成激子。
[0006] 當(dāng)激子從激發(fā)態(tài)到基態(tài)變化時，在發(fā)光層中的磷光劑（phosphor)分子發(fā)光以形 成圖像。對于全色型有機電致發(fā)光裝置，提供了紅⑵、綠（G)和藍⑶三種顏色發(fā)光的像 素以獲得全色的圖像。
[0007] 同時，用在例如電致發(fā)光裝置、液晶顯示器等的平面顯示裝置中的薄膜晶體管 (在下文中，稱為TFT)通常被用作控制每個像素的操作的開關(guān)裝置和用于驅(qū)動像素的驅(qū)動 裝置。這種薄膜晶體管包括具有漏區(qū)和源區(qū)（漏區(qū)和源區(qū)在襯底上摻雜有高濃度的雜質(zhì)） 的半導(dǎo)體有源層、在漏區(qū)和源區(qū)之間形成的溝道區(qū)、在半導(dǎo)體有源層上形成的柵絕緣膜、以 及在有源層中在溝道區(qū)的頂部上形成的柵電極。
[0008] 例如，登記號為10-1174881的韓國專利公開了一種有機發(fā)光顯示器及其制造方 法。然而，該專利沒有從根本上解決上述問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009] 因此，本發(fā)明的目的是提供一種制造有機發(fā)光顯示裝置的方法，該方法使用在形 成柵電極和像素電極中可用的蝕刻劑組合物。
[0010] 通過下面的特征將實現(xiàn)本發(fā)明的以上目的：
[0011] (1) 一種制造有機發(fā)光顯示裝置的方法，包括：a)在基板上形成柵電極；b)在包括 所述柵電極的基板上形成柵絕緣層；C)在所述柵絕緣層上形成有源層；d)在所述有源層上 形成絕緣層；e)在所述絕緣層上形成源電極和漏電極，所述源電極和所述漏電極與所述有 源層接觸；f)在所述絕緣層上形成鈍化層，以覆蓋所述源電極和所述漏電極；以及g)形成 有機發(fā)光元件，所述有機發(fā)光元件電氣連接到所述源電極和所述漏電極中的一者，其中，步 驟a)包括形成鋁金屬層、鉬金屬層或銀金屬層、或它們的層壓（laminate)層，然后用蝕刻 劑組合物蝕刻所述金屬層以形成所述柵電極，所述蝕刻劑組合物包括50wt. % (重量％)至 70wt. % 的磷酸、2wt. %至 15wt. % 的硝酸、5wt. %至 20wt. % 的乙酸、0?lwt. %至 5wt. % 的 對甲苯磺酸、以及余量的水。
[0012] (2)根據(jù)上述（1)所述的方法，所述鋁金屬層為鋁層、或者包括鋁和至少一種選自 La、Mg、Zn、In、Ca、Te、Sr、Cr、Co、Mo、Nb、Ta、W、Ni、Nd、Sn、Fe、Si、Ti、Pt和C中的金屬的 合金層。
[0013] (3)根據(jù)上述（1)所述的方法，所述鉬金屬層為鉬層、或者包括鉬和至少一種選自 Ti、Ta、Cr、Ni、Nd、In和A1中的金屬的合金層。
[0014] (4)根據(jù)上述（1)所述的方法，所述銀金屬層為銀層、或者包括銀和至少一種選自 La、Mg、Zn、In、Ca、Te、Sr、Cr、Co、Mo、Nb、Ta、W、Ni、Nd、Sn、Fe、Si、Ti、Pt、Pd和Cu中的金 屬的合金層。
[0015] (5)根據(jù)上述（1)所述的方法，形成所述有機發(fā)光元件的步驟包括：形成第一電 極，所述第一電極與所述源電極和所述漏電極中的一者電氣連接；在所述第一電極上形成 有機層；以及在所述有機層上形成第二電極。
[0016] (6)根據(jù)上述（5)所述的方法，所述第一電極通過在所述鈍化層上形成導(dǎo)電材 料層然后用蝕刻劑組合物蝕刻所述導(dǎo)電材料層來形成，所述導(dǎo)電材料層為鋁金屬層、鉬 金屬層或銀金屬層、金屬氧化物層、或它們的層壓層，所述蝕刻劑組合物包括50wt. %至 70wt. % 的磷酸、2wt. %至 15wt. % 的硝酸、5wt. %至 20wt. % 的乙酸、0?lwt. %至 5wt. % 的 對甲苯磺酸、以及余量的水。
[0017] (7)根據(jù)上述（6)所述的方法，所述金屬氧化層為氧化銦錫（IT0)層、氧化銦鋅 (IZ0)層、氧化鋅（ZnO)層、氧化銦鋅錫（IZT0)層、氧化鎘錫（CT0)層、或氧化銦鎵鋅（IGZ0) 層。
[0018] 根據(jù)該制造有機發(fā)光顯示裝置的方法，可以同時蝕刻形成柵電極和像素電極的金 屬層，以達到優(yōu)異的蝕刻效果。此外，與分別使用相應(yīng)的蝕刻劑組合物的常規(guī)方法相比，其 可以簡化整個制造工藝，并且降低工藝成本，因此能夠以提高的工藝效率生產(chǎn)有機發(fā)光顯 示裝置。
【具體實施方式】
[0019] 本發(fā)明公開了一種制造有機發(fā)光顯示裝置的方法，包括：a)在基板上形成柵電 極；b)在包括柵電極的基板上形成柵絕緣層；c)在柵絕緣層上形成有源層；d)在有源層 上形成絕緣層；e)在絕緣層上形成源電極和漏電極，源電極和漏電極與有源層接觸；f)在 絕緣層上形成鈍化層，以覆蓋源電極和漏電極；以及g)形成有機發(fā)光元件，該有機發(fā)光元 件電氣連接到所述源電極和漏電極中的一者，其中，步驟a)包括形成鋁金屬層、鉬金屬層 或銀金屬層、或它們的層壓層，然后用蝕刻劑組合物蝕刻金屬層以形成柵電極，該蝕刻劑組 合物包括50wt.%至70wt.%的磷酸、2wt.%至15wt.%的硝酸、5wt.%至20wt.%的乙酸、 0.lwt.%至5wt.%的對甲苯磺酸、以及余量的水，因此，可以同時蝕刻形成柵電極和像素電 極的金屬層，以達到優(yōu)異的蝕刻效果，并且以提高的工藝效率制造有機發(fā)光顯示裝置。
[0020] 在下文中，將詳細描述根據(jù)本發(fā)明的實施方式的制造有機發(fā)光顯示裝置的方法。
[0021] 首先，a)在基板上形成柵電極。
[0022] 這種基板可以使用硅（Si)、玻璃或有機材料來制備。當(dāng)使用硅（Si)作為基板時， 絕緣層（未示出）還可以通過熱氧化工藝形成在基板的表面上。
[0023] 在基板上形成導(dǎo)電材料層（例如，金屬或?qū)щ姷慕饘傺趸铮?，然后，將其蝕刻以 形成柵電極。
[0024] 根據(jù)本發(fā)明的實施方式，導(dǎo)電材料層可以包括，例如鋁金屬層、鉬金屬層、銀金屬 層、或它們的層壓層。
[0025] 在本公開中，鋁金屬層是指鋁層或鋁合金層。例如，本文所用的鋁合金層可以包括 合金層A1-X，該合金層A1-X包括鋁和另一種金屬（X為至少一種選自La、Mg、Zn、In、Ca、 Te、Sr、Cr、Co、Mo、Nb、Ta、W、Ni、Nd、Sn、Fe、Si、Ti、Pt和C中的金屬）。當(dāng)將Al-X合金層 用作鋁金屬層時，可以有利地避免一些由于鋁的發(fā)熱引起的土丘（Hill-lock)現(xiàn)象而導(dǎo)致 的工藝問題。
[0026] 鉬金屬