層的材料為銅、鋁、或鉬。
[0035]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明提供的一種TFT基板的制作方法，采用設置于半導體層且經(jīng)過N型重摻雜的連接半導體連接第一半導體與第二半導體，從而將第一 TFT與第二TFT串聯(lián)起來，該經(jīng)過N型重摻雜的連接半導體代替了現(xiàn)有技術中設置于第二金屬層上的連接電極，避免了將連接電極與數(shù)據(jù)線、供電壓線等訊號線共同設置于第二金屬層所導致的連接電極與第二金屬層的設計規(guī)則變小的問題，有利于提高顯示面板的開口率、及分辨率。本發(fā)明提供的一種TFT基板結構，其結構簡單，具有高開口率及高分辨率。
[0036]為了能更進一步了解本發(fā)明的特征以及技術內(nèi)容，請參閱以下有關本發(fā)明的詳細說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。
【附圖說明】
[0037]下面結合附圖，通過對本發(fā)明的【具體實施方式】詳細描述，將使本發(fā)明的技術方案及其它有益效果顯而易見。
[0038]附圖中，
[0039]圖1為現(xiàn)有的一種像素補償電路的電路圖；
[0040]圖2為對應圖1所示的像素補償電路的TFT基板結構的示意圖；
[0041]圖3為圖2所示的TFT基板結構中TFT組件與數(shù)據(jù)線、及供電壓線的分布及連接示意圖；
[0042]圖4為本發(fā)明的TFT基板的制作方法步驟I的示意圖；
[0043]圖5為本發(fā)明的TFT基板的制作方法步驟2的示意圖；
[0044]圖6為本發(fā)明的TFT基板的制作方法步驟3的示意圖；
[0045]圖7為本發(fā)明的TFT基板的制作方法步驟4的示意圖；
[0046]圖8為本發(fā)明的TFT基板的制作方法步驟5的示意圖；
[0047]圖9為本發(fā)明的TFT基板的制作方法步驟6的示意圖暨本發(fā)明的TFT基板結構的剖面示意圖；
[0048]圖10為圖9所示的TFT基板結構中TFT組件與數(shù)據(jù)線、及供電壓線的分布及連接示意圖。
【具體實施方式】
[0049]為更進一步闡述本發(fā)明所采取的技術手段及其效果，以下結合本發(fā)明的優(yōu)選實施例及其附圖進行詳細描述。
[0050]請參閱圖4至圖9，本發(fā)明首先提供一種TFT基板的制作方法，包括如下步驟:
[0051]步驟1、如圖4所示，提供一基板I，在所述基板I上沉積第一金屬層，并通過一道光刻制程圖案化該第一金屬層，形成間隔設置的第一柵極21、及第二柵極23。
[0052]優(yōu)選的，所述基板I為玻璃基板。
[0053]具體地，該步驟I采用物理氣相沉積法(Physical Vapor Deposit1n，PVD)沉積沉積所述第一金屬層。優(yōu)選的，所述第一金屬層的材料為銅、鋁、或鉬。
[0054]所述光刻制程包括涂光阻、曝光、顯影、濕蝕刻、及去光阻制程。
[0055]步驟2、如圖5所示，在所述第一柵極21、第二柵極23、及基板I上沉積柵極絕緣層3。
[0056]具體地，該步驟2采用等離子增強化學氣相沉積法(Plasma Enhanced ChemicalVapor Deposit1n，PECVD)沉積所述柵極絕緣層3。優(yōu)選的，所述柵極絕緣層3的材料為氧化硅或氮化硅。
[0057]步驟3、如圖6所示，在所述柵極絕緣層3上沉積一半導體層，并通過一道光刻制程對該半導體層進行圖案化，形成依次排列且相互連接的第一半導體41、連接半導體42、及第二半導體43。
[0058]所述第一半導體41對應位于所述第一柵極21的上方，所述第二半導體43對應位于所述第二柵極23的上方、所述連接半導體42位于所述第一半導體41與第二半導體43之間。
[0059]具體地，該步驟3采用物理氣相沉積法沉積所述半導體層。進一步地，所述半導體層的材料為金屬氧化物，優(yōu)選的，所述金屬氧化物為銦鎵鋅氧化物(Indium Gallium ZincOxide， IGZO)。
[0060]所述光刻制程包括涂光阻、曝光、顯影、濕蝕刻、及去光阻制程。
[0061]步驟4、如圖7所示，在所述半導體層上沉積一刻蝕阻擋層5，并通過一道光刻制程在刻蝕阻擋層5上形成間隔設置的第一通孔51、第二通孔52、及第三通孔53。
[0062]所述第一通孔51、第二通孔52、及第三通孔53分別暴露出第一半導體41相對遠離連接半導體42的一端、連接半導體42、及第二半導體43相對遠離連接半導體42的一端。
[0063]具體地，該步驟4采用化學氣相沉積法(Chemical Vapor Deposit1n, CVD)沉積所述刻蝕阻擋層5。優(yōu)選的，所述刻蝕阻擋層5的材料為氧化硅或氮化硅。
[0064]所述光刻制程包括涂光阻、曝光、顯影、干蝕刻、及去光阻制程。
[0065]步驟5、如圖8所示，以所述刻蝕阻擋層5為遮擋層，分別經(jīng)由所述第一通孔51、第二通孔52、及第三通孔53對所述第一半導體41相對遠離連接半導體42的一端、連接半導體42、及第二半導體43相對遠離連接半導體42的一端進行N型重摻雜，提高所述第一半導體41相對遠離連接半導體42的一端、連接半導體42、及第二半導體43相對遠離連接半導體42的一端的導電能力，從而在所述第一半導體41上形成第一源極接觸區(qū)412與第一溝道區(qū)414，在所述第二半導體43上形成第二溝道區(qū)432與第二漏極接觸區(qū)434，所述連接半導體42的兩端分別連接第一溝道區(qū)414與第二溝道區(qū)432。
[0066]其中，所述第一源極接觸區(qū)412、連接半導體42、及第二漏極接觸區(qū)434均為N型重摻雜區(qū)域。
[0067]優(yōu)選的，該步驟5采用氫氣等離子(Plasma)處理工藝對所述第一半導體41相對遠離連接半導體42的一端、連接半導體42、及第二半導體43相對遠離連接半導體42的一端進行N型重摻雜。
[0068]步驟6、如圖9所示，在所述刻蝕阻擋層5上沉積第二金屬層，并通過一道光刻制程圖案化該第二金屬層，形成間隔設置的第一源極61、及第二漏極62 ;
[0069]所述第一源極61通過第一通孔51與第一源極接觸區(qū)412相接觸；所述第二漏極62通過第三通孔53與第二漏極接觸區(qū)434相接觸。
[0070]所述第一柵極21、第一半導體41、第一源極61、及經(jīng)過N型重摻雜的連接半導體42構成第一 TFT ;所述第二柵極23、第二半導體43、經(jīng)過N型重摻雜的連接半導體42、及第二漏極62構成第二 TFT ;所述第一 TFT與第二 TFT由經(jīng)過N型重摻雜的連接半導體42串聯(lián)起來。
[0071]具體地，該步驟6采用物理氣相沉積法沉積所述第二金屬層。優(yōu)選的，所述第二金屬層的材料為銅、鋁、或鉬。
[0072]所述光刻制程包括涂光阻、曝光、顯影、濕蝕刻、及去光阻制程。
[0073]上述TFT基板的制作方法將經(jīng)過N型重摻雜的連接半導體42設置于半導體層，并由所述經(jīng)過N型重摻雜的連接半導體42來連接第一半導體41與第二半導體43，從而將第一 TFT與第二 TFT連接起來，代替了現(xiàn)有技術中設置于第二金屬層上的連接電極，避免了將連接電極與數(shù)據(jù)線、供電壓線等訊號線共同設置于第二金屬層所導致的連接電極與第二金屬層的設計規(guī)則變小的問題，有利于提高顯示面板的開口率、及分辨率。
[0074]請參閱圖9、圖10，本發(fā)明還提供一種由上述制作方法制備的TFT基板結構，其包括從下到上依次設置的:基板1、第一金屬層、柵極絕緣層3、半導體層、刻蝕阻擋層5、及第二金屬層；所述第一金屬層包括間隔設置的第一柵極21、及第二柵極23 ;所述半導體層包括依次排列且相互連接的第一半導體41、連接半導體42、及第二半導體43 ;所述第二金屬層包括間隔設置的第一源極61、及第二漏極62。
[0075]所述第一半導體41對應位于所述第一柵極21的上方，所述第二半導體43對應位于所述第二柵極23的上方、所述連接半導體42位于所述第一半導體41與第二半導體43之間；所述第一半導體41包括第一源極接觸區(qū)412、及第一溝道區(qū)414 ;所述第二半導體43包括第二溝道區(qū)432、及第二漏極接觸區(qū)434;所述連接半導體42的兩端分別連接第一溝道區(qū)414與第二溝道區(qū)432 ;所述第一源極接觸區(qū)412、連接半導體42、及第二漏極接觸區(qū)434均為N型重摻雜區(qū)域。
[0076]所述刻蝕阻擋層5上形成有間隔設置的第一通孔51、第二通孔52、及第三通孔53 ;所述第一源極61通過第一通孔51與第一源極接觸區(qū)412相接觸；所述第二漏極62通過第三通孔53與第二漏極接觸區(qū)434相接觸；所述第二通孔52暴露出所述連接半導體42。
[0077]所述第一柵極21、第一半導體41、第一源極61、及經(jīng)過N型重摻雜的連接半導體42構成