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      封裝件內(nèi)的激光打標(biāo)的制作方法_2

      文檔序號:8906762閱讀:來源:國知局
      0的下方,并且各自介電層118的頂面與金屬焊盤128和密封環(huán)130的底面相接觸。在金屬焊盤128的上面存在一個附加層,該附加層是介電層118中的一個且被標(biāo)記為118’。
      [0039]參照圖2,進(jìn)行激光打標(biāo)以在介電層118’內(nèi)形成激光標(biāo)記132,其中,激光標(biāo)記132包括形成在介電層118’內(nèi)的溝槽。使用激光束134進(jìn)行激光打標(biāo),其灼燒和去除介電層118’的部分。介電層118’的灼燒部分與金屬焊盤128重疊。金屬焊盤128用作保護(hù)層,其中,激光束134不能穿透金屬焊盤128。因此,如果有,金屬焊盤128具有防止激光束134到達(dá)下面的器件管芯102和下面的RDL 116的功能。在激光打標(biāo)之后,通過形成激光束132的溝槽露出金屬焊盤128的一些部分。激光標(biāo)記132可包括字母、數(shù)字、圖、或任何其他能夠用于識別目的的符號。例如,圖6和圖7示出了一些示例性的包括字母和數(shù)字的激光標(biāo)記132。激光標(biāo)記132可用于識別產(chǎn)品、制造順序、或任何其他用于跟蹤各自封裝件的信息。
      [0040]圖3示出了去除介電層118的一些部分以露出金屬焊盤116’,金屬焊盤116’可以是RDL 116的部分。因此,開口 136形成在介電層118’中。通過激光灼燒可實(shí)現(xiàn)開口 136的形成??蛇x地,當(dāng)介電層118’由光敏材料,如PBO或聚酰亞胺形成時,通過光曝光后進(jìn)行顯影步驟可實(shí)現(xiàn)開口 136的形成。
      [0041]圖4示出了焊料球138的形成。在一些實(shí)施例中,進(jìn)行球放置步驟以使焊料球掉落在開口 136中(圖3),然后進(jìn)行回流工藝以回流焊料球。在可選的實(shí)施例中,開口 136中沒有應(yīng)用焊料球。但是,在圖5中,焊料位于封裝件200中。
      [0042]圖5示出了封裝件200接合至封裝件100。在一些實(shí)施例中,封裝件200包括封裝件襯底202和接合至封裝件襯底202的器件管芯204(多個器件管芯)。通過引線接合、倒裝接合等可實(shí)現(xiàn)器件管芯204接合至封裝件襯底202?;亓魅鐖D4所示的焊料區(qū)138以將封裝件200接合至封裝件100。在一些實(shí)施例中,接合封裝件200之后,底層填料140填充進(jìn)封裝件100和封裝件200之間的間隙內(nèi)。在這些實(shí)施例中,激光標(biāo)記的溝槽(圖4)也用底層填料140填充。因此,激光標(biāo)記132的溝槽內(nèi)的底層填料140的部分也被稱為激光標(biāo)記132’。激光標(biāo)記132’可從介電層118’的頂面延伸到金屬焊盤128的頂面。此外,激光標(biāo)記132’可與金屬焊盤128的頂面物理接觸。
      [0043]在圖5所示的封裝件中,金屬焊盤128可被包括介電層118和底層填料140的介電材料完全包圍并且與其接觸。在可選的實(shí)施例中,無底層填料填充進(jìn)封裝件100和封裝件200之間的間隙內(nèi),并且激光標(biāo)記132仍然是氣隙。在這些實(shí)施例中,通過激光標(biāo)記132可使金屬焊盤128的一些部分暴露給空氣。
      [0044]圖6示出了根據(jù)一些實(shí)施例的封裝件100的俯視圖。如圖6所示,形成激光標(biāo)記132以與金屬焊盤128重疊,其中,所有的激光標(biāo)記132形成在金屬焊盤128或其他金屬焊盤上。在一些實(shí)施例中,密封環(huán)130形成且形成環(huán)繞金屬焊盤128的環(huán)。在一些示例性實(shí)施例中,金屬焊盤128的長度LI和寬度Wl大于約2cm,以實(shí)現(xiàn)用以形成激光標(biāo)記132的合適區(qū)域。形成密封環(huán)130以防止激光打標(biāo)過程中產(chǎn)生的熱量擴(kuò)散到其他區(qū)中。
      [0045]在激光打標(biāo)過程中,產(chǎn)生熱量,并且該熱量可損壞包括RDL和介電層的結(jié)構(gòu)。為了降低或至少消除熱量導(dǎo)致的損壞,密封環(huán)130可具有較大的寬度W2,例如,大于約20μπι以提供低的熱阻率,這樣使得密封環(huán)130的過熱部分可使熱量迅速地散發(fā)至其他部分。在可選的實(shí)施例中,無密封環(huán)130形成。
      [0046]在圖6所示的實(shí)施例中,通孔122可靠近封裝件100的外圍形成,當(dāng)然,通孔122也可形成在封裝件100的任何其他位置處。在一些實(shí)施例中,通孔122可與環(huán)繞金屬焊盤128的環(huán)對準(zhǔn)。
      [0047]在圖6中,金屬焊盤128和激光標(biāo)記132直接形成在管芯102的上方且與管芯102重疊。在可選的實(shí)施例中,如圖7所示,其也示出了封裝件100的俯視圖,金屬焊盤128和激光標(biāo)記132與器件管芯102不對準(zhǔn)。當(dāng)具有足夠的分配金屬焊盤128的空間時,可使用該實(shí)施例。
      [0048]本發(fā)明的實(shí)施例具有若干有利特征。通過形成金屬焊盤,封裝件內(nèi)的器件和重布線可防止產(chǎn)生激光打標(biāo)引起的可能損害。本發(fā)明的實(shí)施例沒有導(dǎo)致額外的制造成本,這是因?yàn)樾纬煞庋b件的重布線的同時可形成金屬焊盤。
      [0049]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例,封裝件包括器件管芯、位于器件管芯下面的多個第一重布線、位于器件管芯上面的多個第二重布線、以及與多個第二重布線位于相同金屬層的金屬焊盤。激光標(biāo)記位于在金屬焊盤上面的節(jié)點(diǎn)層內(nèi)。激光標(biāo)記與金屬焊盤重疊。
      [0050]根據(jù)本發(fā)明的可選的實(shí)施例,第一封裝件包括至少一個第一介電層、位于至少一個第一介電層內(nèi)的多個第一重布線、位于多個第一重布線的上方且電連接至多個第一重布線的器件管芯、模制器件管芯于其內(nèi)的模制材料、穿透模制材料的通孔、位于器件管芯上方的至少一個第二介電層、以及位于至少一個第二介電層內(nèi)的多個第二重布線。多個第二重布線通過通孔電連接至多個第一重布線。第一封裝件還包括位于至少一個第二介電層內(nèi)的金屬焊盤、位于至少一個第二介電層上方的第三介電層、以及從第三介電層的頂面延伸到金屬焊盤的頂面的激光標(biāo)記。第二封裝件位于第一封裝件的上方,其中,第二封裝件接合至第一封裝件。
      [0051]根據(jù)本發(fā)明的其他可選的實(shí)施例,一種方法包括對封裝件進(jìn)行激光打標(biāo)。封裝件包括至少一個第一介電層、位于至少一個第一介電層內(nèi)的多個第一重布線、位于多個第一重布線的上方且電連接至多個第一重布線的器件管芯、模制器件管芯于其內(nèi)的模制材料、穿透模制材料的通孔、位于器件管芯上方的至少一個第二介電層、位于至少一個第二介電層內(nèi)的多個第二重布線、以及位于至少一個第二介電層內(nèi)的金屬焊盤,其中,多個第二重布線通過通孔電連接至多個第一重布線。封裝件還包括位于至少一個第二介電層上面的第三介電層。激光打標(biāo)在第三介電層內(nèi)形成激光標(biāo)記,并且金屬焊盤的部分暴露給激光標(biāo)記。
      [0052]上面論述了若干實(shí)施例的部件,使得本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以更好地理解本發(fā)明的各個方面。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該理解,可以很容易地使用本發(fā)明作為基礎(chǔ)來設(shè)計或更改其他用于達(dá)到與這里所介紹實(shí)施例相同的目的和/或?qū)崿F(xiàn)相同優(yōu)點(diǎn)的工藝和結(jié)構(gòu)。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員也應(yīng)該意識到,這種等效構(gòu)造并不背離本發(fā)明的精神和范圍,并且在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下,可以進(jìn)行多種變化、更換以及改變。
      【主權(quán)項(xiàng)】
      1.一種封裝件,包括: 第一封裝件,包括: 器件管芯; 多個第一重布線,位于所述器件管芯的下面; 多個第二重布線,位于所述器件管芯的上面; 金屬焊盤,位于與所述多個第二重布線相同的金屬層中;以及激光標(biāo)記,位于介電層內(nèi),其中,所述介電層位于所述金屬焊盤的上面,并且其中,所述激光標(biāo)記與所述金屬焊盤重疊。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝件,其中,所述激光標(biāo)記包括字母、數(shù)字、或字母和數(shù)字的組合。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝件,其中,所述激光標(biāo)記包括形成在所述介電層內(nèi)的溝槽,并且其中,所述封裝件還包括: 第二封裝件,位于所述第一封裝件的上方; 焊料區(qū),將所述第一封裝件接合至所述第二封裝件;以及 底層填料,位于所述第一封裝件和所述第二封裝件之間的間隙內(nèi),其中,所述底層填料的一部分設(shè)置在形成所述激光標(biāo)記的所述介電層內(nèi)的溝槽中。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝件,其中,所述激光標(biāo)記從所述介電層的頂面延伸到所述金屬焊盤的頂面,并且所述激光標(biāo)記與所述金屬焊盤物理接觸。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝件,其中所述介電層包括聚合物。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝件,其中,所述金屬焊盤和所述激光標(biāo)記均與所述器件管芯重疊。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝件,其中,所述第一封裝件還包括: 模制材料,其內(nèi)模制有所述器件管芯;以及 通孔,穿透所述模制材料,其中,所述通孔將所述多個第一重布線中的一個電連接至所述多個第二重布線中的一個。8.一種封裝件,包括: 第一封裝件,包括: 至少一個第一介電層; 多個第一重布線,位于所述至少一個第一介電層中; 器件管芯,位于所述多個第一重布線的上方且電連接至所述多個第一重布線; 模制材料,其內(nèi)模制有所述器件管芯; 通孔,穿透所述模制材料; 至少一個第二介電層,位于所述器件管芯的上方; 多個第二重布線,位于所述至少一個第二介電層內(nèi),其中,所述多個第二重布線通過所述通孔電連接至所述多個第一重布線; 金屬焊盤,位于所述至少一個第二介電層內(nèi); 第三介電層,位于所述至少一個第二介電層的上面;以及 激光標(biāo)記,從所述第三介電層的頂面延伸到所述金屬焊盤的頂面;以及 第二封裝件,位于所述第一封裝件的上方,其中,所述第二封裝件接合至所述第一封裝 件。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的封裝件,還包括: 底層填料,位于所述第一封裝件和所述第二封裝件之間的間隙內(nèi),其中,所述激光標(biāo)記包括所述底層填料的一部分。10.一種方法,包括: 對第一封裝件進(jìn)行激光打標(biāo),其中,所述第一封裝件包括: 至少一個第一介電層; 多個第一重布線,位于所述至少一個第一介電層中; 器件管芯,位于所述多個第一重布線的上方且電連接至所述多個第一重布線; 模制材料,模制所述器件管芯于其內(nèi); 通孔,穿透所述模制材料; 至少一個第二介電層,位于所述器件管芯的上方; 多個第二重布線,位于所述至少一個第二介電層內(nèi),其中,所述多個第二重布線通過所述通孔電連接至所述多個第一重布線; 金屬焊盤,位于所述至少一個第二介電層內(nèi);以及 第三介電層,位于所述至少一個第二介電層的上面,其中,所述激光打標(biāo)在所述第三介電層內(nèi)形成激光標(biāo)記,并且,所述金屬焊盤的部分暴露給所述激光標(biāo)記。
      【專利摘要】封裝件包括器件管芯、位于器件管芯下面的多個第一重布線、位于器件管芯上面的多個第二重布線、以及與多個第二重布線位于相同金屬層內(nèi)的金屬焊盤。激光標(biāo)記位于金屬焊盤上面的介電層內(nèi)。激光標(biāo)記與金屬焊盤重疊。
      【IPC分類】H01L23/544, H01L21/02
      【公開號】CN104882435
      【申請?zhí)枴緾N201410442942
      【發(fā)明人】陳憲偉
      【申請人】臺灣積體電路制造股份有限公司
      【公開日】2015年9月2日
      【申請日】2014年9月2日
      【公告號】US20150243633
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