(即半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的環(huán)氧玻璃布層壓板)、BT(即半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的雙馬來(lái)酰亞胺和三嗪為主樹(shù)脂)或ABF (即半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的日本味?素有機(jī)薄膜),且下層封裝基板I的厚度在0.lmm~l.0mm。
[0030]所述第二灌封膠3的材料為環(huán)氧樹(shù)脂、底填膠或模塑料。
[0031]所述上層封裝基板5的材料為FR4、BT或ABF,且上層封裝基板5的厚度在0.lmm~l.0mm0
[0032]所述塑封體7的材料為模塑料、灌封膠或底填膠。
[0033]所述第一灌封膠8的材料為環(huán)氧樹(shù)脂、底填膠或模塑料。
[0034]一種堆疊模組散熱結(jié)構(gòu)的制作方法包括以下步驟:
a、選擇上層封裝基板5,并在上層封裝基板5的中部位置開(kāi)出窗口;
b、在窗口外側(cè)位置的上層封裝基板5的上表面倒裝第一芯片9,在窗口外側(cè)位置的上層封裝基板5的上表面正裝有第二芯片11,將第二芯片11的上表面與上層封裝基板5通過(guò)引線12相連;
c、對(duì)倒裝的第一芯片9進(jìn)行底填膠水灌封,底填膠水灌封時(shí)溫度控制在50~100°C,并需要經(jīng)過(guò)固化處理最終成型,固化溫度在125~175°C,固化時(shí)間控制在2~8小時(shí),形成第一灌封膠8 ;
d、在上層封裝基板5的上表面進(jìn)行塑封成型,塑封時(shí)溫度控制在150~200°C,并需要經(jīng)過(guò)固化處理最終成型,固化溫度控制在150~200°C,固化時(shí)間控制在2~8小時(shí),固化結(jié)束形成塑封體7,塑封體7將第一芯片9與第二芯片12封裝,由塑封體7完成對(duì)第一芯片9與第二芯片12的保護(hù);
e、在上層封裝基板5的下表面焊接第一錫球6,得到上層封裝體;
f、選擇下層封裝基板1,并在下層封裝基板I的上表面倒裝第三芯片4,
g、對(duì)倒裝的第三芯片4進(jìn)行底填膠水灌封,底填膠水灌封時(shí)溫度控制在50~100°C,并需要經(jīng)過(guò)固化處理最終成型,固化溫度在125~175°C,固化時(shí)間控制在2~8小時(shí),固化結(jié)束形成第二灌封膠3,從而得到下層封裝體;
h、將下層封裝體安裝在上層封裝體的下方,下層封裝體與上層封裝體之間通過(guò)第一錫球6實(shí)現(xiàn)互聯(lián);
1、在下層封裝體內(nèi)的下層封裝基板I的下表面焊接有第二錫球2;
j、將散熱片10的底座通過(guò)上層封裝基板5的窗口部位安裝到第三芯片4上,堆疊模組散熱結(jié)構(gòu)的制作方法結(jié)束。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種堆疊模組散熱結(jié)構(gòu),它包括下層封裝基板(1)、第二錫球(2)、第二灌封膠(3)、第三芯片(4)、上層封裝基板(5)、第一錫球(6)、塑封體(7)、第一灌封膠(8)、第一芯片(9)、散熱片(10)、第二芯片(11)與引線(12),所述散熱片(10)具有一體式底座,在該底座的下表面設(shè)有向下凸起的凸起部;其特征是:在下層封裝基板(I)的下表面焊接有第二錫球(2),在下層封裝基板(I)的上表面中部位置通過(guò)第二灌封膠(3)固定有第三芯片(4),在下層封裝基板(I)的上方設(shè)有上層封裝基板(5 ),在上層封裝基板(5 )的中部位置開(kāi)設(shè)有窗口,在上層封裝基板(5 )的下表面焊接有第一錫球(6 ),第一錫球(6 )與下層封裝基板(I)的上表面接觸,在上層封裝基板(5)的上表面設(shè)有塑封體(7),在對(duì)應(yīng)塑封體(7)內(nèi)部位置的上層封裝基板(5)的上表面通過(guò)第一灌封膠(8)倒裝有第一芯片(9),在對(duì)應(yīng)塑封體(7)內(nèi)部位置的上層封裝基板(5 )的上表面正裝有第二芯片(11),第二芯片(11)與上層封裝基板(5)通過(guò)引線(12)相連,所述散熱片(10)的底座的凸起部穿過(guò)上層封裝基板(5)的窗口后固定在第三芯片(4)的上表面。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的堆疊模組散熱結(jié)構(gòu),其特征是:所述下層封裝基板(I)的材料為FR4、BT或ABF,且下層封裝基板(I)的厚度在0.0mm。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的堆疊模組散熱結(jié)構(gòu),其特征是:所述第二灌封膠(3)的材料為環(huán)氧樹(shù)脂、底填膠或模塑料。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的堆疊模組散熱結(jié)構(gòu),其特征是:所述上層封裝基板(5)的材料為FR4、BT或ABF,且上層封裝基板(5)的厚度在0.0mm。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的堆疊模組散熱結(jié)構(gòu),其特征是:所述塑封體(7)的材料為模塑料、灌封膠或底填膠。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的堆疊模組散熱結(jié)構(gòu),其特征是:所述第一灌封膠(8)的材料為環(huán)氧樹(shù)脂、底填膠或模塑料。7.—種堆疊模組散熱結(jié)構(gòu)的制作方法,其特征是該方法包括以下步驟: a、選擇上層封裝基板(5),并在上層封裝基板(5)的中部位置開(kāi)出窗口; b、在窗口外側(cè)位置的上層封裝基板(5)的上表面倒裝第一芯片(9),在窗口外側(cè)位置的上層封裝基板(5 )的上表面正裝有第二芯片(11),將第二芯片(11)的上表面與上層封裝基板(5)通過(guò)引線(12)相連; c、對(duì)倒裝的第一芯片(9)進(jìn)行底填膠水灌封,底填膠水灌封時(shí)溫度控制在50~100°C,并需要經(jīng)過(guò)固化處理最終成型,固化溫度在125~175°C,固化時(shí)間控制在2~8小時(shí),形成第一灌封膠(8); d、在上層封裝基板(5)的上表面進(jìn)行塑封成型,塑封時(shí)溫度控制在150~200°C,并需要經(jīng)過(guò)固化處理最終成型,固化溫度控制在150~200°C,固化時(shí)間控制在2~8小時(shí),固化結(jié)束形成塑封體(7),塑封體(7)將第一芯片(9)與第二芯片(12)封裝,由塑封體(7)完成對(duì)第一芯片(9)與第二芯片(12)的保護(hù); e、在上層封裝基板(5)的下表面焊接第一錫球(6),得到上層封裝體; f、選擇下層封裝基板(I),并在下層封裝基板(I)的上表面倒裝第三芯片(4), g、對(duì)倒裝的第三芯片(4)進(jìn)行底填膠水灌封,底填膠水灌封時(shí)溫度控制在50~100°C,并需要經(jīng)過(guò)固化處理最終成型,固化溫度在125~175°C,固化時(shí)間控制在2~8小時(shí),固化結(jié)束形成第二灌封膠(3),從而得到下層封裝體; h、將下層封裝體安裝在上層封裝體的下方,下層封裝體與上層封裝體之間通過(guò)第一錫球(6)實(shí)現(xiàn)互聯(lián); i、在下層封裝體內(nèi)的下層封裝基板(I)的下表面焊接有第二錫球(2); j、將散熱片(10)的底座通過(guò)上層封裝基板(5)的窗口部位安裝到第三芯片(4)上,堆疊模組散熱結(jié)構(gòu)的制作方法結(jié)束。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種堆疊模組散熱結(jié)構(gòu)及其制作方法,在下層封裝基板的下表面焊接有第二錫球,在下層封裝基板的上表面中部位置通過(guò)第二灌封膠固定有第三芯片,在下層封裝基板的上方設(shè)有上層封裝基板,在上層封裝基板的中部位置開(kāi)設(shè)有窗口,在上層封裝基板的下表面焊接有第一錫球,第一錫球與下層封裝基板的上表面接觸,在上層封裝基板的上表面設(shè)有塑封體,在對(duì)應(yīng)塑封體內(nèi)部位置的上層封裝基板的上表面通過(guò)第一灌封膠固定有第一芯片,散熱片的底座的凸起部穿過(guò)上層封裝基板的窗口后固定在第三芯片的上表面。本發(fā)明通過(guò)散熱片結(jié)構(gòu),熱阻減小,可以有效避免PoP封裝過(guò)熱的問(wèn)題。
【IPC分類(lèi)】H01L21/48, H01L23/367
【公開(kāi)號(hào)】CN104900613
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510313832
【發(fā)明人】孫鵬, 徐健, 周鳴昊
【申請(qǐng)人】華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司
【公開(kāi)日】2015年9月9日
【申請(qǐng)日】2015年6月9日