[0048]將所述半成品放置在所述溝槽內(nèi)，所述半成品的透明襯底如藍(lán)寶石襯底一側(cè)背離所述切割臺(tái)；
[0049]通過加熱的方式使所述粘結(jié)劑固化，以使所述半成品固定在所述溝槽內(nèi)。
[0050]此外，還可在切割臺(tái)的上方施加壓力，盡量使所有所述半成品的透明襯底的頂部與切割臺(tái)的頂部的高度差保持一致。
[0051]本實(shí)施例中的切割臺(tái)為方形的托盤，當(dāng)然，本發(fā)明并不僅限于此。并且，本實(shí)施例中的切割臺(tái)即托盤具有多個(gè)溝槽，以同時(shí)對(duì)多個(gè)半成品進(jìn)行透明襯底的圖形化切割，優(yōu)選的，所述溝槽的形狀與所述半成品的形狀相同，由于藍(lán)寶石晶圓和半成品的形狀為圓形，因此，溝槽的形狀也可為圓形，當(dāng)然本發(fā)明并不僅限于此。其中，未放置所述半成品的且具有多個(gè)溝槽401的托盤40的俯視圖如圖4a所示，側(cè)視圖如圖4b所示；放置所述半成品402后的托盤40的俯視圖如圖5a所示，側(cè)視圖如圖5b所示。
[0052]S203:對(duì)所述透明襯底進(jìn)行圖形化切割，以使所述透明襯底具有凹凸不平的表面。
[0053]對(duì)所述透明襯底進(jìn)行圖形化切割的過程，包括:
[0054]通過機(jī)械切割的方式對(duì)高于托盤部分的所述透明襯底進(jìn)行圖形化切割，以使所述透明襯底具有凹凸不平的表面。
[0055]在切割的過程中，需要控制進(jìn)刀速率防止切割時(shí)產(chǎn)生的沖擊力導(dǎo)致透明襯底開裂，并且，在切割的過程中需要對(duì)透明襯底進(jìn)行充分的冷卻，以防止透明襯底過熱影響所述半成品內(nèi)部結(jié)構(gòu)的性能。
[0056]本實(shí)施例中，透明襯底30的切割圖形是由所述機(jī)械切割的切割刀頭的形狀決定的，例如，刀頭的形狀為三角形時(shí)，切割圖形的形狀也為三角形，如圖6a所示；刀頭的形狀為梯形時(shí)，切割圖形的形狀也為梯形，如圖6b所示。當(dāng)然本發(fā)明并不僅限于此，在其他實(shí)施例中，切割圖形的形狀還可以為圓形或橢圓形等。
[0057]對(duì)所述透明襯底進(jìn)行圖形化切割之后，還包括:
[0058]通過濕法浸泡的方式將所述粘結(jié)劑溶解，以將所述半成品與所述切割臺(tái)分離開。
[0059]分離后即可獲得透明襯底表面為凹凸不平表面的倒裝LED芯片，由于透明襯底的表面不再是平面，因此，透明襯底與空氣相接觸的表面的全反射現(xiàn)象會(huì)大大減少，從而能夠提高倒裝LED芯片的出光率。
[0060]本實(shí)施例提供的倒裝LED芯片的制作方法，對(duì)透明襯底進(jìn)行圖形化切割后，使得透明襯底具有凹凸不平的表面，從而能夠部分消除透明襯底與空氣相接觸的表面的全反射現(xiàn)象，進(jìn)而能夠提高倒裝LED芯片的出光效率，提高倒裝LED芯片的亮度。
[0061]本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例提供了一種倒裝LED芯片，參考圖7，包括基底36以及位于所述基底36 —側(cè)的反射層34、P面電極32、氮化鎵外延層31、N面電極33和透明襯底30，所述氮化鎵外延層31包括N型氮化鎵層310、有源層311和P型氮化鎵層312，其中，所述透明襯底30背離所述氮化鎵外延層31的一側(cè)的表面為凹凸不平的表面。優(yōu)選的，所述透明襯底30為藍(lán)寶石襯底。
[0062]本實(shí)施例提供的倒裝LED芯片，透明襯底具有凹凸不平的表面，從而能夠部分消除透明襯底與空氣相接觸的表面的全反射現(xiàn)象，進(jìn)而能夠提高倒裝LED芯片的出光效率，提高倒裝LED芯片的亮度。
[0063]本說明書中各個(gè)實(shí)施例采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似部分互相參見即可。對(duì)于實(shí)施例公開的裝置而言，由于其與實(shí)施例公開的方法相對(duì)應(yīng)，所以描述的比較簡(jiǎn)單，相關(guān)之處參見方法部分說明即可。
[0064]對(duì)所公開的實(shí)施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種倒裝LED芯片的制作方法，其特征在于，包括: 制作倒裝LED芯片的半成品，所述半成品至少包括透明襯底和位于所述透明襯底一側(cè)的氮化鎵外延層，所述氮化鎵外延層包括N型氮化鎵層、有源層和P型氮化鎵層； 將所述半成品固定在切割臺(tái)上，所述半成品的透明襯底一側(cè)背離所述切割臺(tái)； 對(duì)所述透明襯底進(jìn)行圖形化切割，以使所述透明襯底具有凹凸不平的表面。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，將所述半成品固定在切割臺(tái)上的過程，包括: 通過旋涂、噴涂或印刷的方式將粘結(jié)劑涂覆在所述切割臺(tái)的溝槽內(nèi)； 將所述半成品放置在所述溝槽內(nèi)，所述半成品的透明襯底一側(cè)背離所述切割臺(tái)； 通過加熱的方式使所述粘結(jié)劑固化，以使所述半成品固定在所述溝槽內(nèi)。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述切割臺(tái)具有多個(gè)溝槽；所述溝槽的形狀與所述半成品的形狀相同。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，對(duì)所述透明襯底進(jìn)行圖形化切割的過程，包括: 通過機(jī)械切割的方式對(duì)所述透明襯底進(jìn)行圖形化切割，以使所述透明襯底具有凹凸不平的表面。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述透明襯底的切割圖形是由所述機(jī)械切割的切割刀頭的形狀決定的。6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，在對(duì)所述透明襯底進(jìn)行圖形化切割之前，還包括: 對(duì)所述透明襯底進(jìn)行掩膜減薄處理。7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，對(duì)所述透明襯底進(jìn)行圖形化切割之后，還包括: 通過濕法浸泡的方式將所述粘結(jié)劑溶解，以將所述半成品與所述切割臺(tái)分離開。8.根據(jù)權(quán)利要求1?7任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述透明襯底為藍(lán)寶石襯底。9.一種倒裝LED芯片，其特征在于，包括基底以及位于所述基底一側(cè)的反射層、N面電極、氮化鎵外延層、P面電極和透明襯底，所述氮化鎵外延層包括N型氮化鎵層、有源層和P型氮化鎵層，其中，所述透明襯底背離所述氮化鎵外延層的一側(cè)的表面為凹凸不平的表面。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的LED芯片，其特征在于，所述透明襯底為藍(lán)寶石襯底。
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種倒裝LED芯片及其制作方法，包括：制作倒裝LED芯片的半成品，所述半成品至少包括透明襯底和位于所述透明襯底一側(cè)的氮化鎵外延層，所述氮化鎵外延層包括N型氮化鎵層、有源層和P型氮化鎵層；將所述半成品固定在切割臺(tái)上，所述半成品的透明襯底一側(cè)背離所述切割臺(tái)；對(duì)所述透明襯底進(jìn)行圖形化切割，以使所述透明襯底具有凹凸不平的表面，從而能夠部分消除透明襯底與空氣相接觸的表面的全反射現(xiàn)象，進(jìn)而能夠提高倒裝LED芯片的出光效率，提高倒裝LED芯片的亮度。
【IPC分類】H01L21/304, H01L33/54
【公開號(hào)】CN104900789
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510351127
【發(fā)明人】徐亮, 鄭洪仿
【申請(qǐng)人】佛山市國(guó)星半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
【公開日】2015年9月9日
【申請(qǐng)日】2015年6月19日