為：
[0108]Si襯底 /IT0(180nm)/PMMA(400nm)/Pentacene(80nm)/Au(100nm)/ [Si3N4(200nm)/ 紫外光固化樹脂（100nm)]i6
[0109] 制備方法與實施例13相似。
[0110] 實施例15
[0111] 如圖3所示，1為有機薄膜晶體管器件，底電極18為口0,絕緣層19為聚甲基丙締 酸甲醋（PMMA)，載流子傳輸層20為并五苯（Pentacene)，頂電極23為Au，無機膜封裝材料 層21為SisN4，紫外光固化樹脂層22包括15 %的蟲膠、6 %的丙S醇、2 %的氧化鉛、4 %的甲 苯二異氯酸醋、9 %的S甲醇基丙烷、2 %的對苯二酪、38 %的四氨快喃、8 %的2-哲己基甲 基丙締酸醋、2%的二月桂酸二了基錫、2%的2, 2-二甲氧基-苯基甲酬和12%的二丙締酸 1，6-己二醇醋，周期數(shù)n為12,器件結(jié)構(gòu)為：
[0112] Si襯底 /IT0(180nm)/PMMA(400nm)/Pentacene(80nm)/Au(100nm)/ [Si3N4(200nm)/ 紫外光固化樹脂（lOOnm)]。
[0113] 制備方法與實施例13相似。
[0114] 實施例16
[0115] 如圖3所示，1為有機薄膜晶體管器件，底電極18為口0,絕緣層19為聚甲基丙締 酸甲醋（PMMA)，載流子傳輸層20為并五苯（Pentacene)，頂電極23為Au，無機膜封裝材料 層21為Si〇2，紫外光固化樹脂層22包括8 %的蟲膠、10 %的丙S醇、2 %的氧化鉛、7 %的甲 苯二異氯酸醋、10%的S甲醇基丙烷、2 %的對苯二酪、10%的四氨快喃、8 %的2-哲己基甲 基丙締酸醋、2%的二月桂酸二了基錫、2%的2, 2-二甲氧基-苯基甲酬和39%的二丙締酸 1，6-己二醇醋，周期數(shù)n為12,器件結(jié)構(gòu)為：
[0116]Si襯底 /1T0 (180nm)/PMMA(400nm)/Pentacene巧Onm)/Au(lOOnm) / [Si02(200nm) / 紫外光固化樹脂巧00nm)]i2
[0117]制備方法與實施例13相似。
[011引實施例17
[0119]如圖3所示，1為有機薄膜晶體管器件，底電極18為口0,絕緣層19為聚甲基丙締 酸甲醋（PMMA)，載流子傳輸層20為并五苯（Pentacene)，頂電極23為Au，無機膜封裝材料 層21為Si〇2，紫外光固化樹脂層22包括8 %的蟲膠、10 %的丙S醇、2 %的氧化鉛、6 %的甲 苯二異氯酸醋、10%的S甲醇基丙烷、2 %的對苯二酪、10%的四氨快喃、9 %的2-哲己基甲 基丙締酸醋、2%的二月桂酸二了基錫、2%的2, 2-二甲氧基-苯基甲酬和39%的二丙締酸 1，6-己二醇醋，周期數(shù)n為12,器件結(jié)構(gòu)為：
[0120] Si襯底/"ITO(180nm)/PMMA(400nm)/Pentacene巧Onm)/Au(lOOnm) / [Si02(200nm) / 紫外光固化樹脂巧00nm)]i2
[0121] 制備方法與實施例13相似。
[0122] 實施例18
[0123] 如圖3所示，1為有機薄膜晶體管器件，底電極18為口0,絕緣層19為聚甲基丙締 酸甲醋（PMMA)，載流子傳輸層20為并五苯（Pentacene)，頂電極23為Au，無機膜封裝材料 層21為Si〇2，紫外光固化樹脂層22包括8 %的蟲膠、10 %的丙S醇、2 %的氧化鉛、5 %的甲 苯二異氯酸醋、10 %的S甲醇基丙烷、2 %的對苯二酪、10 %的四氨快喃、10 %的2-哲己基 甲基丙締酸醋、2%的二月桂酸二了基錫、2%的2, 2-二甲氧基-苯基甲酬和39%的二丙締 酸1，6-己二醇醋，周期數(shù)n為12,器件結(jié)構(gòu)為：
[0124]Si襯底/"ITO(180nm)/PMMA(400nm)/Pentacene巧Onm)/Au(lOOnm) / [Si02(200nm) / 紫外光固化樹脂巧00nm)]i2
[01巧]制備方法與實施例13相似。
【主權(quán)項】
1. 一種光電子器件的封裝結(jié)構(gòu)，包括用于包覆光電子器件的薄膜封裝層，其特征在 于，薄膜封裝層由無機封裝材料層和紫外光固化樹脂層以周期數(shù)η交替重疊組成，其中， 1 < η < 20,所述紫外光固化樹脂由以下質(zhì)量百分比的組份組成：2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電子器件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述無機封裝材料為 金屬氧化物或金屬硫化物或金屬氮化物，金屬氧化物為氧化鈣、五氧化二鉭、二氧化鈦、二 氧化鋯、氧化銅、氧化鋅、三氧化二鋁、三氧化二鉻、二氧化錫、氧化鎳或五氧化二銻中的一 種或多種，金屬硫化物為二硫化鈦、硫化鐵、三硫化二絡(luò)、硫化銅、硫化鋅、二硫化錫、硫化 鎳、三硫化二鈷、三硫化二銻、硫化鉛、三硫化二鑭、硫化鈰或二硫化鋯中的一種或多種，金 屬氮化物為氮化硅或氮化鋁中的一種或兩種。3. -種光電子器件的封裝方法，其特征在于，包括以下步驟： ① 制備光電子器件； ② 在所制備的光電子器件上制備無機封裝材料層； ③ 在無機封裝材料層上制備紫外光固化樹脂層； ④ 對步驟③處理后的光電子器件表面進行紫外光固化處理30秒； ⑤ 對紫外光固化后的器件，繼續(xù)重復步驟②、③和④的操作，連續(xù)重復η-1次， 1彡η彡20 ; ⑥ 測試封裝后器件的壽命以及其他各項參數(shù)。4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的光電子器件的封裝方法，其特征在于，所述無機封裝材料層 和紫外光固化樹脂層是通過真空蒸鍍、離子團束沉積、離子鍍、直流濺射鍍膜、RF濺射鍍膜、 離子束濺射鍍膜、離子束輔助沉積、等離子增強化學氣相沉積、高密度電感耦合式等離子體 源化學氣相沉積、觸媒式化學氣相沉積、磁控濺射、噴墨打印、電鍍、噴涂、旋涂、浸涂、輥涂 或LB膜中的一種或者幾種方式而形成。5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的光電子器件的封裝方法，其特征在于，所述光電子器件是一 種光電之間、電電之間或電光之間可以進行信號和能量轉(zhuǎn)換的器件。6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的光電子器件的封裝方法，其特征在于，光電子器件為有機電 致發(fā)光二極管、無機發(fā)光二極管、有機太陽能電池、無機太陽能電池、有機薄膜晶體管、無機 薄膜晶體管或光探測器。7. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的光電子器件的封裝方法，其特征在于，紫外光固化樹脂由以 下質(zhì)量百分比的組份組成：8. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的光電子器件的封裝方法，其特征在于，所述無機封裝材料為 金屬氧化物或金屬硫化物或金屬氮化物，金屬氧化物為氧化鈣、五氧化二鉭、二氧化鈦、二 氧化鋯、氧化銅、氧化鋅、三氧化二鋁、三氧化二鉻、二氧化錫、氧化鎳或五氧化二銻中的一 種或多種，金屬硫化物為二硫化鈦、硫化鐵、三硫化二絡(luò)、硫化銅、硫化鋅、二硫化錫、硫化 鎳、三硫化二鈷、三硫化二銻、硫化鉛、三硫化二鑭、硫化鈰或二硫化鋯中的一種或多種，金 屬氮化物為氮化硅或氮化鋁中的一種或兩種。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種光電子器件的封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法，包括用于包覆光電子器件的薄膜封裝層，薄膜封裝層由無機封裝材料層和紫外光固化樹脂層以周期數(shù)n交替重疊組成，其中，1≤n≤20，所述紫外光固化樹脂由以下質(zhì)量百分比的組份組成：蟲膠、丙三醇、氧化鉛、甲苯二異氰酸酯、三甲醇基丙烷、對苯二酚、四氫呋喃、2-羥乙基甲基丙烯酸酯、二月桂酸二丁基錫、2,2-二甲氧基-苯基甲酮和二丙烯酸1,6-乙二醇酯。該封裝結(jié)構(gòu)能夠有效地阻擋周圍環(huán)境中的氧氣和水，有利于提高器件的穩(wěn)定性，延長器件的壽命；同時，該封裝方法具有制備工藝簡單、成本低的特點。
【IPC分類】H01L51/52, H01L51/10, H01L51/44
【公開號】CN104900813
【申請?zhí)枴緾N201510210345
【發(fā)明人】于軍勝, 王煦, 祁一歌, 鄭毅帆
【申請人】電子科技大學
【公開日】2015年9月9日
【申請日】2015年4月29日