體積比 濃度為0. 2~0. 5%的磯酸形成的磯酸己二醇電解液，并保證形成的介質(zhì)層的外層厚度不 小于3000納米（額定電壓50V電容器）或3500納米（額定電壓63V電容器）的介質(zhì)層；在 高分子陰極制造時，使用反復(fù)浸潰法把粒徑為20到50納米固含量為0. 8%~3. 0%的聚3， 4己締二氧唾吩顆粒溶液滲透進已經(jīng)生成介質(zhì)層的所述巧塊內(nèi)部空隙中，在溫度為120~ 150°C條件下進行烘干處理，使烘干后的聚3,4己締二氧唾吩顆粒沉積到形成的所述介質(zhì) 層上作為陰極，所處理的過程需要重復(fù)16~26次?；谏鲜鲈撔┡c傳統(tǒng)中低壓有機高分子 片式粗電解電容器生產(chǎn)工藝的不同點，尤其是使用比容為6000~10000化F. v/g、擊穿電壓 更高的電子轟擊粉或片式粗粉末為原料，并在磯酸己二醇電解液中使用4X50V或4X63V W上的直流電壓作為形成電壓，在巧塊表面形成厚度不小于3000納米（額定電壓50V電容 器）或3500納米（額定電壓63V電容器）的介質(zhì)層，在此基礎(chǔ)上用反復(fù)浸潰穩(wěn)定性更好的 納米級聚3,4己締二氧唾吩顆粒溶液的方法形成陰極后，即可使最后制得的電容耐壓達到 50V或63V，填補了高耐壓有機高分子粗電容系列的空白，極大的擴寬了有機高分子固體片 式粗電解電容器的應(yīng)用范圍，可滿足應(yīng)用在多種電路中，滿足電路可靠性的要求。
[0069] W上所述，僅為本發(fā)明較佳的【具體實施方式】，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此， 任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明披露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換， 都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應(yīng)該W權(quán)利要求書的保護范 圍為準。
【主權(quán)項】
1. 一種高電壓片式導(dǎo)電聚合物固體電解質(zhì)鉭電容器的制造方法，包括： 按6.O~8.O克/CC的壓制密度將比容為6000~lOOOOUuF.v/g、擊穿電壓達到250V或300V的片式鉭粉末原料壓制成帶鉭絲引出線的鉭芯坯塊，在1600~1800°C溫度，真空度 達到5X0. 0004Pa的條件下對所述鉭芯坯塊進行真空燒結(jié)，對燒結(jié)后的鉭芯坯塊進行鈍化 處理； 在60~85°C溫度下，將燒結(jié)后的所述坯塊放入裝有磷酸乙二醇電解液的形成槽內(nèi)進 行介質(zhì)層的電化學(xué)形成，采用不低于4X50V或4X63V的直流電壓作為形成電壓、以20~ 50毫安/克的電流密度在所述還塊表面形成厚度不小于3000納米或3500納米的介質(zhì)層； 將生成介質(zhì)層的所述坯塊，采用反復(fù)浸漬法將納米級聚3,4乙烯二氧噻吩顆粒溶液滲 透到所述坯塊內(nèi)部空隙和在坯塊表面介質(zhì)層上沉積形成納米聚3,4乙烯二氧噻吩顆粒沉 積層作為陰極，在鉭芯坯塊表面介質(zhì)層上形成的陰極上涂敷石墨層和銀漿層作為陰極引出 層； 將所述坯塊的鉭絲引出線焊接到對應(yīng)殼號的外殼金屬框架引線上，用環(huán)氧樹脂封裝， 即制得高電壓片式導(dǎo)電聚合物固體電解質(zhì)鉭電容器。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的高電壓片式導(dǎo)電聚合物固體電解質(zhì)鉭電容器的制造方法，其 特征在于，所述對燒結(jié)后的坯塊進行鈍化處理包括： 對燒結(jié)后的坯塊在出爐時，分四次逐漸降低真空度，每次真空度降低幅度不大于 0. 25Ma，經(jīng)過鈍化使所述坯塊不會過度增氧，使燒結(jié)后坯塊上鉭絲的折絲次數(shù)不小于4次。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的高電壓片式導(dǎo)電聚合物固體電解質(zhì)鉭電容器的制造方法，其 特征在于，所述將燒結(jié)后的所述坯塊放入裝有磷酸乙二醇電解液的形成槽內(nèi)進行介質(zhì)層的 電化學(xué)形成，是將燒結(jié)后的所述坯塊焊接到不銹鋼條上，再放入裝有磷酸乙二醇電解液的 形成槽內(nèi)進行介質(zhì)層的電化學(xué)形成。4. 根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的高電壓片式導(dǎo)電聚合物固體電解質(zhì)鉭電容器的制造方 法，其特征在于，所述磷酸乙二醇電解液中磷酸的濃度按體積比為0. 2~0. 5%，乙二醇的 濃度按體積比為20~50%。5. 根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項所述的高電壓片式導(dǎo)電聚合物固體電解質(zhì)鉭電容器的制 造方法，其特征在于，所述采用反復(fù)浸漬法將納米級聚3,4乙烯二氧噻吩顆粒溶液滲透到 所述坯塊內(nèi)部空隙和在坯塊表面介質(zhì)層上沉積形成高分子聚合物層作為陰極包括： 采用反復(fù)浸漬法將粒徑為20~50納米固含量為0. 8%~3. 0%的納米級聚3,4乙烯二 氧噻吩顆粒溶液滲透進已經(jīng)生成介質(zhì)層的所述坯塊內(nèi)部空隙和介質(zhì)層中，在溫度為120~ 150°C條件下進行烘干處理，使烘干后的納米級聚3,4乙烯二氧噻吩顆粒在所述介質(zhì)層上 沉積形成納米聚3,4乙烯二氧噻吩顆粒沉積層作為陰極。6. 根據(jù)權(quán)利要求5任一項所述的高電壓片式導(dǎo)電聚合物固體電解質(zhì)鉭電容器的制造 方法，其特征在于，所述方法進一步包括：將粒徑為20~50納米固含量為0. 8%~3. 0%的 聚3,4乙烯二氧噻吩顆粒溶液滲透進已經(jīng)生成介質(zhì)層的所述坯塊內(nèi)部空隙和介質(zhì)層中，在 溫度為120~150°C條件下進行烘干處理的操作，重復(fù)進行16~26次。7. 根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項所述的高電壓片式導(dǎo)電聚合物固體電解質(zhì)鉭電容器的制 造方法，其特征在于， 所述用環(huán)氧樹脂封裝包括：使用阻燃的環(huán)氧樹脂在150~180°C溫度下，通過模塑壓力 機在精密模具內(nèi)把所述坯塊塑封成外形符合標準規(guī)定的尺寸； 所述方法還包括：對制得的所述高電壓片式導(dǎo)電聚合物固體電解質(zhì)鉭電容器進行打印 標記、引線成型、老化后檢測的處理，處理后即得到最終的高電壓片式導(dǎo)電聚合物固體電解 質(zhì)鉭電容器。8. -種高電壓片式導(dǎo)電聚合物固體電解質(zhì)鉭電容器，其特征在于，該電容器包括： 模塑外殼，其內(nèi)經(jīng)環(huán)氧樹脂封裝有鉭顆粒電容器基體、黃銅基鍍錫負極和黃銅基鍍錫 正極；所述鉭顆粒電容器基體內(nèi)部為陽極，該陽極是由比容為6000~lOOOOUuF.v/g、擊穿 電壓達到250V或300V的片式鉭粉末為原料，按6. 0~8. 0克/CC的壓制密度壓制成的鉭芯 坯塊，所述鉭芯坯塊的外面設(shè)有厚度不小于3000納米或3500納米的介質(zhì)層，所述介質(zhì)層的 外面設(shè)有作為陰極的納米聚3,4乙烯二氧噻吩顆粒沉積層，陰極外面依次涂敷有石墨層和 銀漿層作為陰極銀出層，所述鉭芯坯塊內(nèi)設(shè)有鉭絲引出線，所述鉭絲引出線與所述黃銅基 鍍錫正極焊接形成電連接，所述鉭顆粒電容器基體的陰極與所述黃銅基鍍錫負極電連接。9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的高電壓片式導(dǎo)電聚合物固體電解質(zhì)鉭電容器，其特征在于， 所述作為陰極的納米聚3,4乙烯二氧噻吩顆粒沉積層為： 將粒徑為20~50納米固含量為0. 8%~3. 0%的納米級聚3,4乙烯二氧噻吩顆粒溶 液滲透進已經(jīng)生成介質(zhì)層的所述陽極內(nèi)部空隙和介質(zhì)層中，在溫度為120~150°C條件下 進行烘干處理的操作，重復(fù)進行16~26次形成的納米聚3,4乙烯二氧噻吩顆粒沉積層。10. 根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的高電壓片式導(dǎo)電聚合物固體電解質(zhì)鉭電容器，其特征 在于，所述作為陰極的納米聚3,4乙烯二氧噻吩顆粒沉積層為內(nèi)、外兩層，內(nèi)層是用粒徑為 20~30nm的聚3,4乙烯二氧噻吩顆粒溶液被覆形成的容量引出層，外層是用粒徑為30~ 50nm的聚3,4乙烯二氧噻吩被覆的厚度增加層。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種高電壓片式導(dǎo)電聚合物固體電解質(zhì)鉭電容器及其制造方法，該方法包括：用片式鉭粉末原料壓制成帶鉭絲引出線的鉭芯坯塊，對鉭芯坯塊進行真空燒結(jié)，之后鈍化處理；將燒結(jié)后坯塊放入裝有磷酸乙二醇電解液的形成槽內(nèi)電化學(xué)形成厚度不小于3000納米或3500納米的介質(zhì)層；將形成介質(zhì)層后的坯塊，采用反復(fù)浸漬法將納米級聚3，4乙烯二氧噻吩顆粒溶液滲透到坯塊內(nèi)部空隙和介質(zhì)層上沉積形成陰極，在陰極上涂敷石墨層和銀漿層為陰極引出層；將坯塊的鉭絲引出線焊接到外殼金屬框架引線上，用環(huán)氧樹脂封裝，即制得高電壓片式導(dǎo)電聚合物固體電解質(zhì)鉭電容器。制得電容耐壓達50V或63V，擴寬了片式鉭電解電容器應(yīng)用范圍，滿足電路可靠性的要求。
【IPC分類】H01G9/04, H01G9/07, H01G9/15
【公開號】CN104916443
【申請?zhí)枴緾N201510335142
【發(fā)明人】王金偉, 孫濤
【申請人】北京七一八友益電子有限責任公司
【公開日】2015年9月16日
【申請日】2015年6月16日