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      封裝件襯底、封裝的半導(dǎo)體器件及封裝半導(dǎo)體器件的方法_2

      文檔序號(hào):9201756閱讀:來(lái)源:國(guó)知局
      模噴鍍到暴露的導(dǎo)電材料104a和/或104b上。在噴鍍工藝期間,去除光刻膠層,且去除光刻膠所在層的區(qū)域中的包含晶種層的導(dǎo)電材料104a和/或104b。例如,導(dǎo)電材料104a和104b包括形成在襯底核心102的每側(cè)上的為襯底核心102提供電連接的多個(gè)接觸件。
      [0040]如圖2所示,在一些實(shí)施例中,在襯底核心102中形成多個(gè)鍍通孔(PTH) 106。PTH106包括諸如銅、銅合金或其他導(dǎo)體的導(dǎo)電材料,且可以包括勢(shì)壘層、襯里、晶種層和/或填充材料。PTH 106提供從襯底核心102的一側(cè)到襯底核心102的其他側(cè)的垂直電連接。例如,PTH 106的一些連接在襯底核心102的一側(cè)上的接觸件104a和襯底核心102的相對(duì)側(cè)上的接觸件104b之間。例如,可以使用鉆孔工藝、光刻法、激光工藝或其他方法形成PTH106的孔,且然后使用導(dǎo)電材料填充PTH 106的孔。
      [0041]在一些實(shí)施例中,在形成接觸件104a和104b之前形成PTH 106。在其他實(shí)施例中,在形成接觸件104a和104b之后形成PTH 106。在這些實(shí)施例中,PTH 106可以延伸穿過(guò)接觸件104a和104b,這種情況沒(méi)有示出。根據(jù)一些實(shí)施例,雖然在圖2至圖6中僅示出了兩個(gè)PTH 106 ;但是,可選地,可以橫穿封裝件襯底100形成數(shù)十或數(shù)百個(gè)或更多的PTH106。
      [0042]如圖3所示,在接觸件104a和襯底核心102上方形成多個(gè)絕緣材料108a和108a’、通孔IlOa和110a’、以及接觸件112a和112a,。在一些實(shí)施例中,通孔IlOa和110a’以及接觸件112a和112a’可以包括互連層的互連件。在一些實(shí)施例中,例如,接觸件104a、絕緣材料108a和108a,、通孔IlOa和110a,、以及接觸件112a和112a’包括封裝件器件100的增長(zhǎng)(build-up)層。在一些實(shí)施例中,通孔I1a和110a,以及接觸件112a和112a’包括銅或銅合金。在一些實(shí)施例中,絕緣材料108a和108a’包括絕緣材料或絕緣膜,諸如環(huán)氧樹(shù)脂絕緣膜(Ajinomoto Build-up Film, ABF)(由 Ajinomoto Fine-Techno C0., Inc.提供)或預(yù)浸材料(即,使用樹(shù)脂或其他材料預(yù)浸潰可塑材料)??蛇x地,通孔IlOa和110a’、接觸件112a和112a’和絕緣材料108a和108a’可以包括由其他供應(yīng)廠商制造的其他材料。
      [0043]在一些實(shí)施例中,為了形成絕緣材料108a和108a’、通孔IlOa和110a’、接觸件112a和112a’可以使用附加工藝或半附加工藝。例如,首先,在接觸件104a和襯底核心102上方形成絕緣材料108a。使用鉆孔工藝圖案化絕緣材料108a以形成用于通孔IlOa的圖案。在圖案化的絕緣材料108a中形成導(dǎo)電材料以形成通孔110a。在絕緣材料108a和通孔IlOa上方形成導(dǎo)電材料,且使用光刻工藝圖案化導(dǎo)電材料以形成接觸件112a。在一些實(shí)施例中,在用于填充圖案化的絕緣材料108a且形成通孔I 1a的工藝期間,導(dǎo)電材料可以包括在絕緣材料108a上方形成過(guò)量的導(dǎo)電材料,使得不需要額外的沉積工藝。然后在絕緣材料108a和接觸件112a上方形成絕緣材料108a’,且使用用于通孔110a’的圖案圖案化絕緣材料108a’。在圖案化的絕緣材料108a’上方形成導(dǎo)電材料,且形成通孔110a’。在通孔110a’和絕緣材料108a’上方形成導(dǎo)電材料,且圖案化導(dǎo)電材料以形成接觸件112a’。在一些實(shí)施例中,在用于填充圖案化的絕緣材料108a’且形成通孔110a’的工藝期間,導(dǎo)電材料可以包括形成在絕緣材料108a’上方的過(guò)量的導(dǎo)電材料,使得不需要額外的沉積工藝??蛇x地,可以使用其他方法形成絕緣材料108a和108a’、通孔IlOa和110a’、接觸件112a和112a’,且可以包括其他材料。例如,在一些實(shí)施例中,可以使用一個(gè)或多個(gè)鉆孔方法、削減蝕刻工藝和/或噴鍍工藝形成絕緣材料108a和108a’、通孔I 1a和110a’、接觸件112a和112a,。
      [0044]在圖3中還示出了形成在襯底核心102的相對(duì)側(cè)上的接觸件104b和襯底核心102上方的多個(gè)絕緣材料108a和108a’、通孔IlOa和110a’、接觸件112a和112a,。例如,絕緣材料108a和108a’、通孔IlOa和110a’、接觸件112a和112a’可以包括相似的材料且可以使用與所描述的形成位于襯底核心102的其他側(cè)上的絕緣材料108a和108a’、通孔IlOa和110a’、接觸件112a和112a’相似的方法形成。在一些實(shí)施例中,接觸件104b、絕緣材料108a和108a,、通孔IlOa和110a’、接觸件112a和112a,包括封裝件襯底100的互連結(jié)構(gòu)或增長(zhǎng)層。
      [0045]本文中,例如,在一些權(quán)利要求中,封裝件襯底100的增長(zhǎng)層(例如,增長(zhǎng)層包括接觸件104a、絕緣材料108a和108a,、通孔IlOa和110a’、接觸件112a和112a’,或增長(zhǎng)層包括接觸件104b、絕緣材料108a和108a,、通孔IlOa和110a’、接觸件112a和112a,)也指代設(shè)置在襯底核心102上方的材料層。在一些實(shí)施例中,在設(shè)置在襯底核心102上方的材料層的至少一層的部分中(例如,在設(shè)置在襯底核心102上方的增長(zhǎng)層的至少一層的部分中)形成孔徑114的部分。
      [0046]雖然在附圖的襯底核心102的每側(cè)上都示出了兩種絕緣材料108a、108a’、108b和108b’;然而,可選地,可以在襯底核心102的每側(cè)上僅形成一種絕緣材料、不形成絕緣材料、或三種或三種以上絕緣材料。同樣地,在封裝件襯底100上可以包括其他數(shù)量(諸如,零、一、三或三個(gè)以上)的通孔層和/或接觸層。
      [0047]例如,根據(jù)一些實(shí)施例,接觸件104a和104b、通孔IlOa和110a’、接觸件112a和112a’、通孔IlOb和110b’、接觸件112b和112b,包括封裝件襯底100的水平電連接。例如,在一些實(shí)施例中,接觸件112a、112a’、112b和112b’可以包括扇出區(qū),使得位于襯底核心102的一側(cè)上的接觸件的印跡伸展且比位于襯底核心102的相對(duì)側(cè)上的接觸件的印跡更寬。在一些實(shí)施例中,如另一實(shí)施例,接觸件112b’比接觸件112a’更寬。
      [0048]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例,如圖4所示,在襯底103中形成至少一個(gè)孔徑114,襯底103包括襯底核心102和絕緣材料108a、108a’、108b和108b,。在一些實(shí)施例中,在圖4中還示出了孔徑114完全延伸穿過(guò)封裝件襯底100的孔徑114。根據(jù)包括直徑或?qū)挾葹槌叽鏳l的第一區(qū)和包括直徑或?qū)挾葹槌叽鏳2的第二區(qū)的一些實(shí)施例,孔徑114包括魚(yú)眼孔徑。在一些實(shí)施例中,第一區(qū)的寬度尺寸Cl1大于第二區(qū)的寬度尺寸d2。例如,在一些實(shí)施例中,第一寬度尺寸Cl1為第二寬度尺寸d2的約兩倍或兩倍以上。
      [0049]例如,在一些實(shí)施例中,尺寸Cl1為約2毫米(mm)或更大,且尺寸d2為約Imm或更小。在一些實(shí)施例中,如另一實(shí)施例,尺寸Cl1為約2.26mm,且尺寸d2為約0.5mm。在一些實(shí)施例中,如又一實(shí)例,尺寸Cl1為尺寸d2的4倍或以上??蛇x地,孔徑114的尺寸Cl1和(12可以包括其他值或其他相關(guān)的值。
      [0050]在一些實(shí)施例中,孔徑114還可以包括第三尺寸,在圖4中未示出(見(jiàn)圖6)。例如,在一些實(shí)施例中,第三尺寸可以大于尺寸d2且小于尺寸Cl1,這也沒(méi)有在圖中示出??讖?14可以包括設(shè)置在第一區(qū)和第二區(qū)之間的中間區(qū),其中,中間區(qū)包括第三尺寸。
      [0051]在一些實(shí)施例中,使用鉆孔工藝形成孔徑114。鉆孔工藝可以包括機(jī)械工藝(例如,通過(guò)在封裝件襯底100中鉆孔)、激光工藝、光刻工藝或其他方法。例如,可以使用第一鉆頭形成孔徑114的第一區(qū),且使用第二鉆頭形成孔徑114的第二區(qū),其中,第二鉆頭小于第一鉆頭。在一些實(shí)施例中,直徑或?qū)挾葹槌叽鏑l1的孔徑114的第一區(qū)包括槽區(qū)。槽區(qū)包括適合在底部填充材料分配工藝期間接收和保留底部填充材料的底部填充物槽,本文將對(duì)此進(jìn)行進(jìn)一步描述。在一些實(shí)施例中,直徑或?qū)挾葹槌叽鏳2的孔徑114的第二區(qū)包括針孔區(qū)。例如,針孔區(qū)連接至槽區(qū)。針孔區(qū)包括在底部填充材料分配工藝期間用于底部填充材料的注入溝道,本文也將對(duì)此進(jìn)行進(jìn)一步描述。在一些實(shí)施例中,在設(shè)置在襯底核心102上方的材料層中(例如,在圖4示出的絕緣材料108a和108a’中)設(shè)置孔徑114的針孔區(qū)。
      [0052]如圖5所示,分別在襯底核心1
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