第一 1單元區(qū)域1l的上方，沿著與半導(dǎo)體芯片I的邊Ia垂直的方向延伸(圖5)。
[0092]該第一金屬層MPl經(jīng)由通孔BPla、BPlb，將第一差動(dòng)放大電路Al的同相輸出端子和第一同相用焊盤(pán)電極Pl電連接。
[0093]另一方面，第二金屬層MNl被配置在第一 1單元區(qū)域1l和第一反相用焊盤(pán)電極NI之間。該第二金屬層麗I在第一 1單元區(qū)域1l的上方，沿著與半導(dǎo)體芯片I的邊Ia垂直的方向延伸(圖5)。
[0094]該第二金屬層MNl經(jīng)由通孔BNla、BNlb，將第一差動(dòng)放大電路Al的反相輸出端子和第一反相用焊盤(pán)電極NI電連接。
[0095]此外，如圖5至圖7所示，第一金屬層MP2被配置在第二 1單元區(qū)域102和第二同相用焊盤(pán)電極P2之間。該第一金屬層MP2在第二 1單元區(qū)域102的上方，沿著與半導(dǎo)體芯片I的邊Ia垂直的方向延伸(圖5)。
[0096]該第一金屬層MP2經(jīng)由通孔BP2a、BP2b，將第二差動(dòng)放大電路A2的同相輸出端子和第二同相用焊盤(pán)電極P2電連接。
[0097]另一方面，第二金屬層MN2被配置在第二 1單元區(qū)域102和第二反相用焊盤(pán)電極N2之間。該第二金屬層麗2在第二 1單元區(qū)域102的上方，沿著與半導(dǎo)體芯片I的邊Ia垂直的方向延伸(圖5)。
[0098]該第二金屬層麗2經(jīng)由通孔BN2a、BN2b，將第二差動(dòng)放大電路A2的反相輸出端子和第二反相用焊盤(pán)電極N2電連接。
[0099]此外，如圖5至圖7所示，第一金屬層MP3被配置在第三1單元區(qū)域103和第三同相用焊盤(pán)電極P3之間。該第一金屬層MP3在第三1單元區(qū)域103的上方，沿著與半導(dǎo)體芯片I的邊Ia垂直的方向延伸(圖5)。
[0100]該第一金屬層MP3經(jīng)由通孔BP3a、BP3b，將第三差動(dòng)放大電路A3的同相輸出端子和第三同相用焊盤(pán)電極P3電連接。
[0101]另一方面，第二金屬層MN3被配置在第三1單元區(qū)域103和第三反相用焊盤(pán)電極N3之間。該第二金屬層麗3在第三1單元區(qū)域103的上方，沿著與半導(dǎo)體芯片I的邊Ia垂直的方向延伸(圖5)。
[0102]該第二金屬層麗3經(jīng)由通孔BN3a、BN3b，將第三差動(dòng)放大電路A3的反相輸出端子和第三反相用焊盤(pán)電極N3電連接。
[0103]另外，在與半導(dǎo)體芯片I的邊Ia垂直的方向上的第一金屬層MP1、MP2、MP3的長(zhǎng)度被設(shè)定為例如如圖5所示那樣與在與半導(dǎo)體芯片I的邊Ia垂直的方向上的第二金屬層麗1、麗2、麗3的長(zhǎng)度相等。
[0104]例如，通過(guò)該圖5至圖7所示的金屬層的配置，能夠?qū)⒑副P(pán)電極沿著半導(dǎo)體芯片的邊配置為兩列。
[0105]以上那樣，通過(guò)使得從與半導(dǎo)體芯片I的一個(gè)差動(dòng)放大電路連接的同相用焊盤(pán)電極以及反相用焊盤(pán)電極至各自的鍵合插腳為止的布線的距離相同，從而能夠提高各差動(dòng)放大電路的差動(dòng)信號(hào)的特性。
[0106]S卩，根據(jù)本實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體芯片，能夠提高差動(dòng)信號(hào)的特性。
[0107]【第二實(shí)施方式】
[0108]圖8是對(duì)圖1所示的半導(dǎo)體封裝100的區(qū)域F進(jìn)行了關(guān)注的結(jié)構(gòu)的其他例的俯視面。此外，圖9是表示圖8所示的各1單元區(qū)域的差動(dòng)放大電路和焊盤(pán)電極之間的連接關(guān)系的一例的俯視面。
[0109]并且，如圖8所示，同相用焊盤(pán)電極和反相用焊盤(pán)電極的組(第一同相用焊盤(pán)電極Pl和第一反相用焊盤(pán)電極NI的第一組、第二同相用焊盤(pán)電極P2和第二反相用焊盤(pán)電極N2的第二組、第三同相用焊盤(pán)電極P3和第三反相用焊盤(pán)電極N3的第三組)沿著半導(dǎo)體芯片I的邊Ia被配置為兩列(Y1、Y2)。
[0110]特別是，第一組的第一同相用焊盤(pán)電極Pl和第一反相用焊盤(pán)電極NI位于上述兩列之中的半導(dǎo)體芯片I的外周側(cè)的第一列Υ1。并且，第二組的第二同相用焊盤(pán)電極Ρ2和第二反相用焊盤(pán)電極Ν2位于上述兩列之中的半導(dǎo)體芯片I的中央側(cè)的第二列Υ2。并且，第三組的第三同相用焊盤(pán)電極Ρ3和第三反相用焊盤(pán)電極Ν3位于上述兩列之中的半導(dǎo)體芯片I的外周側(cè)的第一列Yl。
[0111]此外，第二同相用焊盤(pán)電極Ρ2被配置在第一 1單元區(qū)域1l和第二 1單元區(qū)域102的邊界Zl、與第二 1單元區(qū)域102和第三1單元區(qū)域103的邊界Ζ2之間。
[0112]此外，第二反相用焊盤(pán)電極Ν2被配置在第二 1單元區(qū)域102和第三1單元區(qū)域103的邊界Ζ2、與第三1單元區(qū)域103和其他1單元區(qū)域的邊界Ζ3之間。
[0113]并且，如圖8、圖9所示，第二同相用焊盤(pán)電極Ρ2包含從矩形的主體部延伸的延伸部P2b。此外，第二反相用焊盤(pán)電極N2包含從矩形的主體部延伸的延伸部N2b。
[0114]像這樣，在該第二實(shí)施方式中，第二同相用焊盤(pán)電極P2以及第二反相用焊盤(pán)電極N2的結(jié)構(gòu)以及配置不同。
[0115]并且，如圖9所示，在與第一 1單元區(qū)域1l鄰接的第二 1單元區(qū)域102中，設(shè)置有第二差動(dòng)放大電路A2。
[0116]并且，第二反相用焊盤(pán)電極N2的延伸部N2b與被設(shè)置在第二 1單元區(qū)域102的第二差動(dòng)放大電路A2的反相輸出端子(反相端子)電連接。
[0117]此外，第二同相用焊盤(pán)電極P2的延伸部P2b與被設(shè)置在第二 1單元區(qū)域102的第二差動(dòng)放大電路A2的同相輸出端子(同相端子)電連接。
[0118]像這樣，與第一實(shí)施方式相同，對(duì)反相用焊盤(pán)電極以及同相用焊盤(pán)電極供應(yīng)差動(dòng)放大電路輸出的差動(dòng)信號(hào)。并且，如已述那樣，從與半導(dǎo)體芯片I的一個(gè)差動(dòng)放大電路連接的同相用焊盤(pán)電極以及反相用焊盤(pán)電極至各自的鍵合插腳為止的布線的距離相同。從而，能夠提高各差動(dòng)放大電路的差動(dòng)信號(hào)的特性。
[0119]另外，如上述那樣，在圖9的例子中，記載了差動(dòng)放大電路進(jìn)行差動(dòng)輸出的電路結(jié)構(gòu)的一例。但是，也可以是差動(dòng)放大電路進(jìn)行差動(dòng)輸入的電路結(jié)構(gòu)。此時(shí)，差動(dòng)放大電路的反相輸入端子(反相端子)與反相用焊盤(pán)電極連接，同相輸入端子(同相端子)與同相用焊盤(pán)電極連接。
[0120]在此，圖10是表示對(duì)圖8的1單元區(qū)域上的金屬層和焊盤(pán)電極進(jìn)行了關(guān)注的結(jié)構(gòu)的一例的俯視面。此外，圖11是以沿著圖10的第二列Y2的線切開(kāi)后的區(qū)域的剖面圖。另外，以沿著圖10的第一列Yl的線切開(kāi)后的區(qū)域的剖面圖與已述的圖6相同。此外，為了簡(jiǎn)單，在圖10中，省略了通孔。此外，在圖11中，省略了絕緣層。
[0121]如圖6、圖10至圖11所示，半導(dǎo)體芯片I具備第一金屬層MP1、MP2、MP3、第二金屬層 MN1、MN2、MN3、以及通孔 BPla、BPlb, BP2a、BP2b、BP3a、BP3b、BNla、BNlb、BN2a、BN2b、BN3a、BN3b。
[0122]并且，如圖6、圖10、圖11所示，第一至第三同相用焊盤(pán)電極Pl、P2、P3分別被配置在第一至第三1單元區(qū)域101、102、103的上方。并且，第一至第三反相用焊盤(pán)電極N1、N2、N3分別被配置在第一至第三1單元區(qū)域101、102、103的上方。
[0123]此外，如圖10至圖11所示，第一金屬層MP2被配置在第二 1單元區(qū)域102和第二同相用焊盤(pán)電極P2(延伸部P2b)之間。該第一金屬層MP2在第二 1單元區(qū)域102的上方，沿著與半導(dǎo)體芯片I的邊Ia垂直的方向延伸(圖10)。
[0124]該第一金屬層MP2經(jīng)由通孔BP2a、BP2b，將第二差動(dòng)放大電路A2的同相輸出端子和第二同相用焊盤(pán)電極P2的延伸部P2b電連接。
[0125]另一方面，第二金屬層MN2被配置在第二 1單元區(qū)域102和第二反相用焊盤(pán)電極N2 (延伸部N2b)之間。該第二金屬層麗2在第二 1單元區(qū)域102的上方，沿著與半導(dǎo)體芯片I的邊Ia垂直的方向延伸(圖10)。
[0126]該第二金屬層麗2經(jīng)由通孔BN2a、BN2b，將第二差動(dòng)放大電路A2的反相輸出端子和第二反相用焊盤(pán)電極N2的延伸部N2b電連接。
[0127]其他結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施方式相同。即，通過(guò)使得從與半導(dǎo)體芯片的一個(gè)差動(dòng)放大電路連接的同相用焊盤(pán)電極以及反相用焊盤(pán)電極至各自的鍵合插腳為止的布線的距離相同，從而能夠提高各差動(dòng)放大電路的差動(dòng)信號(hào)的特性。
[0128]以上那樣，根據(jù)本實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體芯片，與第一實(shí)施方式相同，能夠提高差動(dòng)信