-硝基四氣 苯基、2, 2'，3, 3'，4'，5, 5'，6, 6' -九聯(lián)苯基、2-硝基-3, 5, 6-S氣苯基、2-漠-6-氣苯基、 4-氯-2-氣-6-艦苯基、2-氣-6-駿基苯基、2, 4-二氣-3-S氣苯基、2-氣-4-S氣苯基、 2-氣-4-駿基苯基、4-漠-2, 5-二氣苯基、2, 5-二漠-3, 4, 6-二氣苯基、2-氣-5-甲基橫 酷基苯基、5-漠-2-氣苯基、2-氣-4-哲基甲基苯基、3-氣-4-漠甲基苯基、2-硝基-4-S 氣甲基苯基、4-S氣甲基苯基、2-漠-4-S氣甲基苯基、2-漠-6-氯-4-(S氣甲基）苯基、 2-氯-4-S氣甲基苯基、3-硝基-4-(S氣甲基）苯基、2, 6-二氯-4-(S氣甲基）苯基、 4-二氣苯基、2, 6-二漠-4-(二氣甲基）苯基、4-二氣甲基2, 3, 5, 6-四氣苯基、3-氣-4-二 氣甲基苯基、2, 5-二氣-4-S氣甲基苯基、3, 5-二氣-4-S氣甲基苯基、2, 3-二氣-4-S氣 甲基苯基、2,4-雙氣甲基）苯基、3-氯-4-S氣甲基苯基、2-漠-4,5-二氣甲基） 苯基、5-氯-2-硝基-4-(S氣甲基）苯基、2, 4,6-S(S氣甲基）苯基、3,4-雙氣甲 基）苯基、2-氣-3-S氣甲基苯基、2-艦-4-S氣甲基苯基、2-硝基-4,5-雙氣甲基） 苯基、2-甲基4-(S氣甲基）苯基、3, 5-二氯-4-(S氣甲基）苯基、2, 3, 6- ^氯-4-(S 氣甲基）苯基、4-(=氣甲基）芐基、2-氣-4-(=氣甲基）芐基、3-氣-4-(=氣甲基）節(jié) 基、3-氯-4-(S氣甲基）芐基、4-氣苯己基、3-(S氣甲基）苯己基、2-氯-6-氣苯己基、 2, 6-二氯苯己基、3-氣苯己基、2-氣苯己基、（2-S氣甲基）苯己基、4-氣苯己基、3-氣苯 己基、4-S氣甲基苯己基、2, 3-二氣苯己基、3, 4-二氣苯己基、2, 4-二氣苯己基、2, 5-二 氣苯己基、3,5-二氣苯己基、2,6-二氣苯己基、4-(4-氣苯基）苯己基、3,5-二（S氣甲 基）苯己基、五氣苯己基、2,4-二氣甲基）苯己基、2-硝基-4-(S氣甲基）苯己基、 (2-氣-3-S氣甲基）苯己基、（2-氣-5-S氣甲基）苯己基、（3-氣-5-S氣甲基）苯己基、 (4-氣-2-S氣甲基）苯己基、（4-氣-3-S氣甲基）苯己基、（2-氣-6-S氣甲基）苯己基、 (2, 3, 6-S氣）苯己基、（2, 4, 5-S氣）苯己基、（2, 4, 6-S氣）苯己基、（2, 3, 4-S氣）苯 己基、（3, 4, 5-S氣）苯己基、（2, 3, 5-S氣）苯己基、（2-氯-5-氣）苯己基、（3-氣-4-S 氣甲基）苯己基、（2-氯-5-S氣甲基）苯己基、（2-氣-3-氯-5-S氣甲基）苯己基、 (2-氣-3-氯）苯己基、（4-氣-3-氯）苯己基、（2-氣-4-氯）苯己基、（2, 3-二氣-4-甲 基）苯己基-、2, 6-二氣-3-氯苯己基、（2, 6-二氣-3-甲基）苯己基、（2-二氣甲基-5-氯） 苯己基、（6-氯-2-氣-5-甲基）苯己基、化4-二氯-5-氣）苯己基、5-氯-2-氣苯己 基、（2, 5-二氣-6-氯）苯己基、（2, 3, 4, 5-四氣）苯己基、（2-氣-4-S氣甲基）苯己基、 2, 3-(二氣-4-S氣甲基）苯己基、（2,5-二氣甲基））苯己基、2-氣-3, 5-二漠苯己基、 (3-氣-4-硝基）苯己基、（2-漠-4-S氣甲基）苯己基、2-(漠-5-氣）苯己基、（2, 6-二 氣-4-漠）苯己基、（2, 6-二氣-4-氯）苯己基、（3-氯-5-氣）苯己基、（2-漠-5-二氣甲 基）苯己基等。
[0122] 在式（I)化合物中，n優(yōu)選為0-50。
[0123] 在第一優(yōu)選實(shí)施方案中，式（I)化合物為具有2-15個=角締重復(fù)單元的低聚物。 更優(yōu)選，n為5、6、7、8或9。特別地，式（I)化合物為九聚物，即其中n為7的式（I)化合 物。
[0124] 在第二優(yōu)選實(shí)施方案中，式（I)化合物為其中n為16-100,優(yōu)選20-75的聚合物。
[0125] 在式（I)化合物，R3和Rb基團(tuán)可具有相同或不同的定義。在一個優(yōu)選實(shí)施方案中， R3和Rb基團(tuán)具有相同的定義。
[0126] 在一個優(yōu)選實(shí)施方案中，基團(tuán)R3和Rb相互獨(dú)立地選自氨、甲基或己基。特別地，R3 和Rb具有相同的含義且都為甲基。
[0127] 在一個優(yōu)選實(shí)施方案中，基團(tuán)Ri、R2、R3、R4、R5、R6、R"、R"、Ris、及如果存在的 話R7、R8、R9、RW、Ri嘴R。都為氨。
[0128] 在式（I)化合物中，X3基團(tuán)可具有相同或不同的定義。
[0129] 優(yōu)選，X3基團(tuán)具有相同的定義。
[0130] 在一個優(yōu)選實(shí)施方案中，X3基團(tuán)都為氨。
[0131] 在另一優(yōu)選實(shí)施方案中，X3基團(tuán)選自每種情況下未取代或取代烷基、烷氧基、燒硫 基、環(huán)烷基、芳基、芳氧基和芳硫基。
[0132] 在一個優(yōu)選實(shí)施方案中，基團(tuán)XI、X2、X哺X5都為氨。
[0133] 在另一優(yōu)選實(shí)施方案中，基團(tuán)公和X2中的一個為氨且另一個選自氨和未取代或取 代烷基、烷氧基、燒硫基、環(huán)烷基、芳基、芳氧基和芳硫基。
[0134] 在另一優(yōu)選實(shí)施方案中，基團(tuán)X4和X5中的一個為氨且另一個選自氨和未取代或取 代烷基、烷氧基、燒硫基、環(huán)烷基、芳基、芳氧基和芳硫基。
[0135] 式（I)化合物的一個尤其優(yōu)選實(shí)施方案為式化a)九聚物：
[0136]
[0137] 在第二優(yōu)選實(shí)施方案中，式（I)化合物為優(yōu)選具有16-100個=角締重復(fù)單元的聚 合物。更優(yōu)選，n為20-75。
[013引優(yōu)選，式（I)化合物具有3500-30000g/mol，更優(yōu)選7000-25000g/mol的數(shù)均分子 量Mn。
[0139] 優(yōu)選，式（I)化合物具有4000-60000,更優(yōu)選10000-40000g/mol的重均分子量 Mn。
[0140] 優(yōu)選，式（I)化合物具有不大于6,更優(yōu)選不大于4的多分散性PD( =M，/M。)。
[0141] 在本發(fā)明范圍內(nèi)，M。和M，通過凝膠滲透色譜法（GPC)測定。校準(zhǔn)用具有低分散性 的PMMA標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行。
[0142] 式（I)化合物的一個尤其優(yōu)選實(shí)施方案為式化b)聚合物：
[0143]
[0144]其中；
[0145]n為 16-100，
[0146]X2和X4相互獨(dú)立地選自氨，W及每種情況下未取代或取代烷基、烷氧基、燒硫基、 (單烷基）氨基、（^烷基）氨基、環(huán)烷基、環(huán)烷氧基、環(huán)燒硫基、（單環(huán)烷基）氨基、（^環(huán)燒 基）氨基、雜環(huán)烷基、雜環(huán)烷氧基、雜環(huán)燒硫基、（單雜環(huán)烷基）氨基、（二雜環(huán)烷基）氨基、 芳基、芳氧基、芳硫基、（單芳基）氨基、（二芳基）氨基、雜芳基、雜芳氧基、雜芳硫基、（單 雜芳基）氨基和（二雜芳基）氨基。
[0147] 本發(fā)明化合物（I)可通過本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的合成步驟，例如面化、芳基面的 偶聯(lián)、Suzuki偶聯(lián)等制備，如W下方案中所述。
[0148] 式（I)化合物的骨架形成中的中屯、步驟是芳基面在過渡金屬催化劑的存在下偶 聯(lián)。因此，本發(fā)明的另一目的是制備式I化合物的方法：
[0149]
[0150]其中；
[0151] n為0-100，
[0巧引X\x2、x3、X*和X5相互獨(dú)立地選自氨、F、C1、Br、I、CN、B(0Rc)2,哲基、琉基、硝基、 氯氧基、氯硫基、甲酯基、酷基、駿基、駿酸醋、烷基幾氧基、氨基甲酯基、烷基氨基幾基、二燒 基氨基幾基、橫基、橫酸醋、橫氨基、氨橫酷基、烷基橫酷基、芳基橫酷基、脈基、肥1護(hù)，其中El 和E2各自獨(dú)立地選自氨、烷基、環(huán)烷基、雜環(huán)烷基、芳基或雜芳基，
[0153] 每種情況下未取代或取代烷基、烷氧基、燒硫基、（單烷基）氨基、（二烷基）氨基、 環(huán)烷基、環(huán)烷氧基、環(huán)燒硫基、（單環(huán)烷基）氨基、（二環(huán)烷基）氨基、雜環(huán)烷基、雜環(huán)烷氧基、 雜環(huán)燒硫基、（單雜環(huán)烷基）氨基、（二雜環(huán)烷基）氨基、芳基、芳氧基、芳硫基、（單芳基） 氨基、（二芳基）氨基、雜芳基、雜芳氧基、雜芳硫基、（單雜芳基）氨基和（二雜芳基）氨 基，
[0154] 其中r選自每種情況下未取代或取代烷基、環(huán)烷基或芳基，或者其中兩個基團(tuán)Rt 可一起形成選自如下的二價(jià)橋聯(lián)基團(tuán)；每種情況下未取代或取代C2-C1。亞烷基、Cs-Ce環(huán)亞 烷基和Ce-Ci4亞芳基，其中C2-Ci。亞烷基、C3-Ce環(huán)亞烷基和Ce-Ci4亞芳基可帶有一個或多個 相同或不同的Ci-C。烷基，
[0巧日]Ra和Rb相互獨(dú)立地選自氨和未取代C1-Ce烷基，
[0156]Ri、R2、R3、R4、R5、R6、於3、Ri\Ris、RieW及如果存在的話R7、R8、R9、Ri°、Rii和RI2相互 獨(dú)立地選自氨，W及每種情況下未取代或取代烷基、烷氧基、締基、二締基、訣基、環(huán)烷基、環(huán) 烷氧基、二環(huán)烷基、環(huán)締基、雜環(huán)烷基、雜環(huán)烷氧基、芳基、芳氧基、雜芳基和雜芳氧基，
[0157] 所述方法包括使式（A)化合物；
[015引
[0巧9]其中y為0至（n-z)且Hall為C1、化或I，
[0160] 與式做化合物：
[0161]
[016引其中z為0至（n-y)且Hals為Cl、化或I，
[0163] 在含過渡金屬催化劑的存在下反應(yīng)，
[0164] 條件是y+z的和為n。
[0165] 優(yōu)選，所用催化劑包含Ni作為金屬，特別是Ni(0)。合適的Ni(0)調(diào)控芳基-芳 基鍵形成尤其描述于ChemicalReviews, 2002,第102卷，No. 5,第1378-1392頁中。優(yōu)選 的催化劑為雙（1,5-環(huán)辛二締）鑲（0)( =Ni(COD)2)。催化劑優(yōu)選W每形成的芳基-芳 基鍵至少等摩爾量使用。更優(yōu)選，催化劑W每形成的芳基-芳基鍵1. 1-4. 0倍過量，特別是 1. 2-2. 5倍過量使用。優(yōu)選，Ni(0)催化劑進(jìn)一步包含聯(lián)化晚。
[0166] 為提供用于制備式（I)化合物的合適原料，可使S角締化合物經(jīng)受面化，特別是 漠化或艦化。因此，例如用N-漠班巧酷亞胺（NB巧漠化和用N-艦班巧酷亞胺（NI巧艦化 容許將S角締骨架的2-、6-和10-位用1、2或3個面素當(dāng)量官能化，如方案1中所述。
[0167]方案 1;
[016引
[0169] 面化化合物可直接用于合成化合物（I)或者經(jīng)受使用能夠在Suzuki型偶聯(lián)反應(yīng) 中反應(yīng)的其它反應(yīng)性基團(tuán)如棚醋基團(tuán)進(jìn)一步官能化。所得棚醋化合物又可直接用于合成化 合物（I)的偶聯(lián)反應(yīng)中或者經(jīng)受進(jìn)一步官能化。因此，可使帶有至少一個棚醋基團(tuán)的化合 物（I)經(jīng)受如上所述面化，特別是漠化或艦化。方案2描述了將=角締漠化，其后將漠基團(tuán) 轉(zhuǎn)化成棚醋基團(tuán)和進(jìn)一步漠化。
[0170] 合適的二棚化合物為式（Re〇)2B-B(ORe)2的化合物，其中Rt具有上述含義。優(yōu)選， 二棚化合物炬）選自式炬1)的化合物：
[0171]
[0172] 其中L選自未取代線性C2-C1。亞烷基或者被1、2、3、4、5或6個Ci-Ci。烷基取代的 線性C2-C1。亞烷基。
[0173] 優(yōu)選，在化合物炬1)中，L選自未取代線性C2-C3亞烷基或者被1、2、3或4個C1-C4 烷基取代的線性C2-C3亞烷基。
[0174] 特別地，二棚化合物炬）選自雙（頻那醇合）二棚、雙化2-二甲基-1,3-丙二 醇合）二棚（=雙（新戊二醇合）二棚）、雙（1，1，3, 3-四甲基-1，3-丙二醇合）二棚、雙 (4, 5-薇燒二醇合）二棚和雙（1,2-苯二醇合）二棚。特別優(yōu)選雙（頻那醇合）二棚。
[0175] 棚基化優(yōu)選在含過渡金屬催化劑的存在下進(jìn)行。合適的含過渡金屬催化劑為 [1，1'-雙（二苯基麟基）二茂鐵]二氯鈕（II) (Pd(化pf)eg。
[0176] 通常，過渡金屬催化劑W基于待棚基化化合物的重量為0. 05-20重量％，更優(yōu)選 0. 1-10重量％的量使用。棚化優(yōu)選在0-200°C，更優(yōu)選10-180°c，特別是20-150°C的溫度 下進(jìn)行。反應(yīng)通常在非質(zhì)子溶劑中進(jìn)行。合適的非質(zhì)子溶劑為離，例如二巧惡院和二甘醇二 甲離（雙（2-甲氧基己基）離）、二甲基甲酯胺、N-甲基化咯燒酬、（CH3)2S0、二甲基諷、二 甲亞諷、環(huán)脈如1，3-二甲基-3, 4, 5, 6-四氨-2 (1H)-喀晚酬值MPU)和咪挫燒-2-酬或其 混合物。在一個優(yōu)選實(shí)施方案中，反應(yīng)在惰性氣體氣氛中進(jìn)行。合適的惰性氣體為例如氮 氣或氣氣。
[0177]方案 2;
[017引
[0179] 可使具有棚醋基團(tuán)的化合物經(jīng)受Suzuki偶聯(lián)反應(yīng)。方案3描述了通過Suzuki偶 聯(lián)反應(yīng)形成=角締=聚物，其后=聚W通過Ni(0)調(diào)控芳基-芳基鍵形成得到相應(yīng)的九聚 物。
[0180] 如果偶聯(lián)反應(yīng)產(chǎn)生具有面化末端重復(fù)單元的式（I)化合物，則可面素基團(tuán)經(jīng)受進(jìn) 一步官能化。在一個優(yōu)選實(shí)施方案中，該進(jìn)一步官能化作為一步反應(yīng)進(jìn)行，同時通過一種上 述偶聯(lián)反應(yīng)形成化合物（I)的骨架。因此，如果例如Ni(0)調(diào)控芳基-芳基鍵形成用質(zhì)子給 體巧滅，則至少一部分面素基團(tuán)被氨原子替代。合適的質(zhì)子給體為化oenste化酸，優(yōu)選鹽 酸或硫酸。在根據(jù)方案3 =聚得到九聚物中，Broenste化作為最終的反應(yīng)步驟加入，因此， 末端=角締單元不被漠原子取代。如果在可選方案中，將未取代或取代的芳基面加入Ni(0) 調(diào)控芳基-芳基鍵形成中，則至少一部分面素基團(tuán)被未取代或取代芳基替代。在根據(jù)方案 4聚合得到式（I)聚合化合物中，漠苯作為最終反應(yīng)步驟加入，因此所得聚合物帶有末端苯 基。
[0181]方案 3;
[0182]
[0183] 方案4描述了通過Ni(0)調(diào)控芳基-芳基鍵形成而形成=角締聚合物，其中n為 重復(fù)單元的數(shù)目，優(yōu)選為20-75。
[0184]方案 4;
[0185]
[0186] 可將式（I)化合物通過本領(lǐng)域中已知的方法，例如柱色譜法分離。
[0187] 式（I)化合物特別適用作有機(jī)半導(dǎo)體，特別是P-半導(dǎo)體。
[018引優(yōu)選，式（I)化合物用于生產(chǎn)染料敏化或巧鐵礦基光電轉(zhuǎn)換器件。
[0189] 一個優(yōu)選實(shí)施方案為染料敏化光電轉(zhuǎn)換器件，其包含：
[0190]-為工作電極（陽極）的一部分或者形成工作電極（陽極）的導(dǎo)電層，
[0191]-包含半導(dǎo)體金屬氧化物和發(fā)色團(tuán)物質(zhì)的光敏層，
[0192]-包含至少一種式（I)化合物的電荷傳輸層，
[0193]-為對電極（陰極）的一部分或者形成對電極（陰極）的導(dǎo)電層。
[0194] 另一優(yōu)選實(shí)施方案為巧鐵礦基光電轉(zhuǎn)換器件，其包含：
[0195]-為工作電極（陽極）的一部分或者形成工作電極（陽極）的導(dǎo)電層，
[0196]-包含巧鐵礦吸收劑材料的光敏層，
[0197]-包含至少一種式（I)化合物的電荷傳輸層，
[019引-為對電極（陰極）的一部分或者形成對電極（陰極）的導(dǎo)電層。
[0199] 本發(fā)明染料敏化光電轉(zhuǎn)換器件可W為液態(tài)或固態(tài)染料敏化光電轉(zhuǎn)換器件的形式。 優(yōu)選，本發(fā)明染料敏化光電轉(zhuǎn)換器件為固態(tài)器件，特別是固態(tài)染料敏化太陽能電池值SSC)。
[0200] 本發(fā)明巧鐵礦基光電轉(zhuǎn)換器件通常為固態(tài)器件的形式。在第一實(shí)施方案中，巧鐵 礦基光電轉(zhuǎn)換器件的光敏層包含巧鐵礦吸收劑材料和至少一種半導(dǎo)體金屬氧化物。合適 的半導(dǎo)體金屬氧化物為下文關(guān)于染料敏化光電轉(zhuǎn)換器件描述的那些，特別是Ti化。根據(jù) 該第一實(shí)施方案的器件描述于H.-S.Kim等人，ScientificR巧orts，2 ;59,D0I;10. 1038/ srep00591中。在第二實(shí)施方案中，巧鐵礦基光電轉(zhuǎn)化器件的光敏層包含巧鐵礦吸收劑材 料和不充當(dāng)n-型氧化物的載體材料，特別是Al2〇3。根據(jù)該第二實(shí)施方案的器件描述于 M.M.Lee等人，Sciencexpress，2012 年 10 月 4 日，10. 1126/science. 1228604 中。
[0201] 在本發(fā)明上下文中，"層"未必暗示各個層與其它層在物理上嚴(yán)格地分離。事實(shí)上， 層可相互滲透。例如電荷傳輸層包含的材料通常滲入光敏層中并與半導(dǎo)體金屬氧化物和染 料密切接觸，使得快速電荷轉(zhuǎn)移是可能的。
[0202] 制備染料敏化或巧鐵礦基光電轉(zhuǎn)換器件的合適方法包括W下步驟：
[020引U提供導(dǎo)電層；
[0204] ii)任選將底涂層沉積于其上，
[020引iii)將光敏層沉積于步驟i)中得到的導(dǎo)電層或者如果存在的話步驟山中得到 的底涂層上；半導(dǎo)體
[0206]iv)將電荷傳輸層沉積于步驟iii)中得到的光敏層上；和
[0207] V)將對導(dǎo)電層沉積于步驟iv)中得到的電荷傳輸層上。
[020引在染料敏化光電轉(zhuǎn)換器件的情況下，步驟ii)中產(chǎn)生的光敏層包含由發(fā)色團(tuán)物質(zhì) 敏化的半導(dǎo)體金屬氧化物。在巧鐵礦基光電轉(zhuǎn)換器件的情況下，步驟iii)中產(chǎn)生的光敏層 包含巧鐵礦吸收劑和半導(dǎo)體金屬氧化物或者不充當(dāng)n-型氧化物的載體材料。
[0209] 導(dǎo)電層和/或?qū)?dǎo)電層可沉積于襯底（也稱為載體或載體）上W改進(jìn)光電轉(zhuǎn)換器 件的強(qiáng)度。在本發(fā)明中，包含導(dǎo)電層和它沉積于其上的襯底的層稱為導(dǎo)電載體。包含對導(dǎo) 電層和它任選置于其上的襯底的層稱為對電極。優(yōu)選，導(dǎo)電層和它任選置于其上的襯底是 透明的。對導(dǎo)電層W及任選該置于其上的載體也可W為透明的，但該不是關(guān)鍵的。
[0210] 下面詳細(xì)解釋包含在本發(fā)明方法中所得光電轉(zhuǎn)換器件中的各個層。
[0211] (A)導(dǎo)電層[步驟（i)]
[0212] 導(dǎo)電層本身為足夠穩(wěn)定W負(fù)載其余層，或者形成導(dǎo)電層的導(dǎo)電材料置于襯底（也 稱為載體或載體）上。優(yōu)選，形成導(dǎo)電層的導(dǎo)電材料置于襯底上。置于襯底上的導(dǎo)電材料 的組合在下文中稱為"導(dǎo)電載體"。
[0213] 在第一種情況下，導(dǎo)電層優(yōu)選由具有足夠的強(qiáng)度并可充分密封光電轉(zhuǎn)換器件的材 料，例如金屬如銷、金、銀、銅、鋒、鐵、侶及由其組成的合金構(gòu)成。
[0214] 在第二種情況下，包含導(dǎo)電材料的導(dǎo)電層置于其上的襯底通常與光敏層相對地布 置，使得導(dǎo)電層與光敏層直接接觸。
[0215] 導(dǎo)電材料的優(yōu)選實(shí)例包括；金屬，例如銷、金、銀、銅、鋒、鐵、侶、銅及由其組成的 合金；碳，尤其是碳納米管的形式；和導(dǎo)電金屬氧化物，尤其是透明導(dǎo)電氧化物（TC0)，例如 銅-錫混合氧化物、滲雜有氣、鋪或銅的錫氧化物和滲雜有侶的氧化鋒。在金屬的情況下， 該些通常W薄膜的形式使用，使得它們形成充分透明的層。更優(yōu)選，導(dǎo)電材料選自透明導(dǎo)電 氧化物（TCO)。在該些中，優(yōu)選滲雜有氣、鋪或銅的錫氧化物和氧化銅錫（ITO)，更優(yōu)選滲雜 有氣、鋪或銅的錫氧化物，尤其優(yōu)選滲雜有氣的錫氧化物。具體而言，錫氧化物為Sn化。
[0216] 導(dǎo)電層優(yōu)選具有0.02-10ym，更優(yōu)選0.1-1ym的厚度。
[0217] 一般而言，光由導(dǎo)電層側(cè)（不是由對導(dǎo)電層側(cè)）照射。因此，如已經(jīng)提到的，優(yōu)選 負(fù)載導(dǎo)電層的載體，優(yōu)選導(dǎo)電載體整體是基本透明的。此處，術(shù)語"基本透明"意指透光率 對可見區(qū)至近紅外區(qū)（400-1000nm)中的光為50 %或更多。透光率優(yōu)選為60 %或更多，更 優(yōu)選70 %或更多，特別是80 %或更多。導(dǎo)電載體特別優(yōu)選具有對光敏層敏感的光而言的高 透光率。
[021引襯底可由玻璃，例如鋼玻璃（即強(qiáng)度優(yōu)異的）和非堿玻璃（即不受堿洗提影響） 構(gòu)成。作為選擇，透明聚合物膜可用作襯底。用作聚合物膜的材料的可W為四己酷纖維 素（TAC)、聚對苯二甲酸己二醇醋（PET)、聚蒙二甲酸己二醇醋牌腳、間同立構(gòu)聚苯己締 (SPS)、聚苯硫離（PPS)、聚碳酸醋（PC)、聚丙締酸醋（PAr)、聚諷（PSF)、聚醋諷（PES)、聚酷 亞胺（PI)、聚離酷亞胺（PEI)、環(huán)聚締姪、漠化苯氧基樹脂等。
[0219] 導(dǎo)電載體優(yōu)選通過借助液體涂層或蒸氣沉積將導(dǎo)電材料置于襯底上而制備。
[0220] 選擇待置于襯底上的導(dǎo)電材料的量，使得確保足夠的透明性。合適的量取決于所 用導(dǎo)電材料和襯底且就單一的情況而言確定。例如，在TC0作為導(dǎo)電材料且玻璃作為襯底 的情況下，量可W為O.Ol-lOOg/lm2。
[0221] 優(yōu)選，金屬引線用于降低導(dǎo)電載體的電阻。金屬引線優(yōu)選由金屬如銷、金、鑲、鐵、 侶、銅、銀等制成。優(yōu)選金屬引線通過蒸氣沉積方法、瓣射方法等提供于襯底上，導(dǎo)電層置于 其上。將由于金屬引線導(dǎo)致的入射光量的降低限制在優(yōu)選10%或更少，更優(yōu)選1-5%或更 少。
[022引 炬）底涂層（"緩沖層"）[任選步驟（U)]
[0223] 可將步驟（i)中所得層用緩沖層涂覆。目的是避免電荷傳輸層與導(dǎo)電層的直接接 觸，因此防止短路，特別是在電荷傳輸層為固體空穴傳輸材料的情況下。
[0224] 該"底涂層"或緩沖層材料優(yōu)選為金屬氧化物。金屬氧化物優(yōu)選選自鐵、鋒、錫、鐵、 鶴、饑或魄氧化物，例如Ti化、Sn化、Fe2〇3、W〇3、化0、V205或Nb2〇5,更優(yōu)選為Ti化。
[0225] 底涂層可例如通過如例如Electrochim.Acta, 40,643-652 (1995)所述的噴霧 熱解方法或者如例如IliinSolidFilms445,251-258(2003)，Suf.Coat.Technol. 200， 967-971 (2005)或Coord.Chem.Rev. 248 (2004)，1479所述瓣射方法布置。
[0226] 底涂層的厚度優(yōu)選為5-1000皿，更優(yōu)選10-500皿，特別是10-200皿。（C)光敏層 [步驟（iii)]
[0227] 在第一實(shí)施方案中，光敏層包含用發(fā)色團(tuán)物質(zhì)（也表示為染料或光敏染料）敏化 的半導(dǎo)體金屬氧化物。染料敏化半導(dǎo)體金屬氧化物充當(dāng)光敏物質(zhì)W吸收光并進(jìn)行電荷分 離，由此產(chǎn)生電子。如通常所知，金屬氧化物的薄層或膜是有用的固體半導(dǎo)體材料（n-半導(dǎo) 體）。然而，由于它們大的帶隙，它們不吸收電磁光譜的可見范圍，而是UV區(qū)。因此，就在太 陽能電池的光電轉(zhuǎn)換器件中的使用而言，必須將它們用吸收約300-2000nm的染料敏化。在 光敏層中，染料分子吸收具有足夠能量的入射光的光子。該產(chǎn)生染料分子的激發(fā)態(tài)，其將電 子注入半導(dǎo)體金屬氧化物的傳導(dǎo)帶中。半導(dǎo)體金屬氧化物接收并將電子傳輸至導(dǎo)電層，因 此傳輸至工作電極（參見下文）。
[022引在第二實(shí)施方案中，光敏層包含巧鐵礦吸收劑和半導(dǎo)體金屬氧化物或不充當(dāng)n型 氧化物的載體材料。
[0229] (1)半導(dǎo)體金屬氧化物
[0230] n型半導(dǎo)體優(yōu)選用于本發(fā)明中，在所述傳導(dǎo)帶中，電子在光子激發(fā)條件下充當(dāng)載體 W提供陽極電流。
[0231] 合適的半導(dǎo)體金屬氧化物是已知用于有機(jī)太陽能電池上的所有金屬氧化物。它們 包括；鐵、錫、鋒、鐵、鶴、錯、給、鎖、銅、錦、錠、銅、饑、飽、魄或粗的氧化物。另外，復(fù)合物半導(dǎo) 體如MixM2y〇z可用于本發(fā)明中，其中M、M哺M2獨(dú)立地表示金屬原子，0表示氧原子，且X、y 和Z表示相互組合W形成中性分子的數(shù)。實(shí)例為Ti〇2、Sn〇2、Fe2〇3、W〇3、化0、佩2〇5、SrTi〇3、 Ta2〇e、Cs2〇、錫酸鋒，巧