半導體裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導體裝置，特別地涉及一種具有在殼體的橫向上延伸設置的電極的半導體裝置。
【背景技術】
[0002]已知一種半導體裝置，該半導體裝置具有:基板，其搭載有半導體元件；電極，其與該半導體元件電連接；以及殼體，其覆蓋該基板和電極。在如上所述的半導體裝置中，通常，電極與基板的電路圖案在殼體側(cè)壁附近連接，電極從該側(cè)壁引出至殼體的外部(例如，專利文獻I)。根據(jù)如上所述的結構，能夠縮短電極，因此能夠減小其電感。
[0003]專利文獻1:日本特開2009 - 004435號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]在上述的半導體裝置中，要求通過設計變更而容易地變更殼體處的電極的引出位置，或者電極和電路圖案的連接點的位置。
[0005]然而，如果想要在盡量縮短電極的長度的狀態(tài)下，變更殼體處的電極的引出位置，則存在如下問題，即，也必須變更電極和電路圖案的連接點的位置，進行電路圖案的再設計等，非常麻煩。另一方面，如果想要不變更電路圖案和電極的連接點的位置，而變更殼體處的電極的引出位置，則存在如下問題，即，電極會變長與將電極進行繞引相應的量，導致電感增加。對于變更上述連接點的位置的情況，也存在與變更引出位置的情況同樣的問題。
[0006]因此，本發(fā)明就是鑒于如上所述的問題而提出的，其目的在于提供如下技術，該技術能夠通過簡單的設計變更，在減小電極的電感的狀態(tài)下，容易地變更電極的引出位置或者電極的連接點的位置。
[0007]本發(fā)明所涉及的半導體裝置具有:基板，其搭載有半導體元件；電極，其與所述半導體元件電連接；以及殼體，其覆蓋所述電極的除了上部以外的剩余的部分、以及所述基板。所述電極的所述剩余的部分包含延伸設置部分，該延伸設置部分進行延伸設置，直至兩端進入至分別設置于所述殼體的在橫向上彼此相對的第I以及第2內(nèi)壁處的第I以及第2凹部中為止。所述延伸設置部分的所述兩端進入的程度設定為，在通過將所述延伸設置部分的所述兩端向它們之間的中心縮窄而將所述延伸設置部分的長度設為70%的情況下的所述兩端的位置包含于，在將所述第I以及第2內(nèi)壁分別以所述第I以及第2內(nèi)壁之間的距離的10%向它們之間的中心縮窄的情況下的所述第I以及第2內(nèi)壁的位置之間。
[0008]發(fā)明的效果
[0009]根據(jù)本發(fā)明，能夠通過簡單的設計變更，從而在減小電極的電感的狀態(tài)下，變更電極的引出位置或者電極的連接點的位置。
【附圖說明】
[0010]圖1是表示實施方式I所涉及的功率模塊的結構的俯視圖。
[0011]圖2是表示實施方式I所涉及的功率模塊的結構的剖視圖。
[0012]圖3是表示實施方式I所涉及的功率模塊的結構的剖視圖。
[0013]圖4是表示實施方式I所涉及的功率模塊的結構的剖視圖。
[0014]圖5是表示實施方式2所涉及的功率模塊的結構的剖視圖。
[0015]圖6是表示實施方式3所涉及的功率模塊的結構的剖視圖。
[0016]圖7是表示實施方式4所涉及的功率模塊的結構的剖視圖。
[0017]圖8是表示實施方式5所涉及的功率模塊的結構的剖視圖。
[0018]圖9是表示實施方式6所涉及的功率模塊的結構的剖視圖。
[0019]圖10是表示實施方式7所涉及的功率模塊的結構的剖視圖。
[0020]圖11是表示實施方式7所涉及的功率模塊的結構的剖視圖。
[0021]圖12是表示實施方式8所涉及的功率模塊的結構的剖視圖。
[0022]圖13是表示實施方式9所涉及的功率模塊的結構的剖視圖。
[0023]圖14是表示實施方式9所涉及的功率模塊的結構的剖視圖。
[0024]圖15是表示實施方式10所涉及的功率模塊的結構的剖視圖。
[0025]圖16是表示實施方式11所涉及的功率模塊的結構的剖視圖。
[0026]圖17是表示實施方式12所涉及的功率模塊的結構的剖視圖。
[0027]圖18是表示實施方式13所涉及的功率模塊的結構的剖視圖。
[0028]圖19是表示實施方式14所涉及的功率模塊的結構的剖視圖。
[0029]圖20是表示實施方式15所涉及的功率模塊的結構的剖視圖。
[0030]圖21是表示實施方式15所涉及的功率模塊的結構的剖視圖。
[0031]圖22是表示實施方式16所涉及的功率模塊的結構的剖視圖。
[0032]圖23是表示實施方式17所涉及的功率模塊的結構的剖視圖。
[0033]圖24是表示實施方式18所涉及的功率模塊的結構的剖視圖。
[0034]圖25是表示實施方式19所涉及的功率模塊的結構的剖視圖。
[0035]圖26是表示實施方式20所涉及的功率模塊的結構的剖視圖。
[0036]圖27是表示實施方式20所涉及的功率模塊的結構的剖視圖。
[0037]圖28是表示實施方式21所涉及的功率模塊的結構的剖視圖。
[0038]圖29是表示實施方式21所涉及的功率模塊的結構的剖視圖。
[0039]圖30是表示實施方式22所涉及的功率模塊的結構的剖視圖。
[0040]圖31是表示實施方式23所涉及的功率模塊的結構的剖視圖。
[0041]標號的說明
[0042]I基板，Ia半導體元件，4電極，4b延伸設置部分，4bl缺口，4b2彎折部，4b3鍍層，4b4孔，4b5狹縫孔，4b6切口，4b7包層部件，4b8孔，5殼體，5a周壁部，5al第I內(nèi)壁，5a2第2內(nèi)壁，5a3、5a7第I凹部，5a4、5a8第2凹部，5a5固定部，5a6通風孔，5b蓋部，5bI孔，6填充材料。
【具體實施方式】
[0043]<實施方式I >
[0044]圖1是表示本發(fā)明的實施方式I所涉及的、應用半導體裝置而形成的功率模塊的結構的俯視圖，圖2是沿圖1的A — A線的剖視圖，圖3是沿圖1的B — B線的剖視圖。圖4是沿圖2的C —C線的剖視圖。
[0045]本實施方式I所涉及的功率模塊具有:絕緣性的基板1、金屬箔2、基座板3、電極4、以及殼體5。
[0046]如圖2以及圖3所示，在基板I搭載有半導體元件la。此處，在基板I的上表面設置有未圖示的電路圖案，將該電路圖案和半導體元件Ia進行了連接。
[0047]在基板I的與搭載有半導體元件Ia的面相反側(cè)的面上，依次形成有金屬箔2以及基座板3?；?起到抑制基板I的機械變形的作用。絕緣性的基板I起到對半導體元件Ia以及電路圖案、與金屬箔2進行絕緣的作用。
[0048]電極4通過經(jīng)由電路圖案與半導體元件Ia間接地連接，從而與半導體元件Ia電連接。但是不限于此，電極4也可以通過與半導體元件Ia直接連接而與半導體元件Ia電連接。
[0049]在電極4的上部形成有端子4a。在電極4的除了上部以外的剩余的部分中，包含延伸設置部分4b和底面部4c。另外，此處，電極4的材料是銅。對于延伸設置部分4b以及底面部4c在后面進行詳細說明。
[0050]殼體5具有周壁部5a和蓋部5b。
[0051]如圖4所示，周壁部5a包含第I以及第2內(nèi)壁5al、5a2。此處，周壁部5a由在俯視觀察時形成4方形的4個邊的4個壁部構成，將其中彼此相對的一組內(nèi)壁設為第I以及第2內(nèi)壁5al、5a2。周壁部5a的下部與基座板3的外周部的上部連接。
[0052]在第I內(nèi)壁5al設有第I凹部5a3，在第2內(nèi)壁5a2設有第2凹部5a4。
[0053]下面，在對蓋部5b進行說明之前，對電極4的延伸設置部分4b以及底面部4c進行說明。如圖4所示，延伸設置部分4b進行延伸設置，直至延伸設置部分4b的兩端進入第I以及第2內(nèi)壁5al、5a2的第I以及第2凹部5a3、5a4中為止，其中，該第I以及第2內(nèi)壁5al、5a2在殼體5的橫向上彼此相對。
[0054]在本實施方式I中，延伸設置部分4b的兩端通過緊貼并嵌合在第I以及第2凹部5a3、5a4中，從而固定于第I以及第2內(nèi)壁5al、5a2。根據(jù)如上所述的結構，能夠維持延伸設置部分4b的撓性，能夠釋放在延伸設置部分4b中產(chǎn)生的應力。此外，可以期待容易增設電極4、將電極4的構造簡單化等。并且，即使假設電極4的