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      一種射頻測(cè)試結(jié)構(gòu)及射頻測(cè)試方法

      文檔序號(hào):9236737閱讀:808來(lái)源:國(guó)知局
      一種射頻測(cè)試結(jié)構(gòu)及射頻測(cè)試方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造工藝,尤其涉及一種射頻測(cè)試結(jié)構(gòu)及射頻測(cè)試方法。
      【背景技術(shù)】
      [0002]晶圓加工過(guò)程中,為了確保器件的質(zhì)量,需要對(duì)晶圓進(jìn)行在線射頻測(cè)試。因此待測(cè)器件(Device Under Test,簡(jiǎn)稱DUT)的測(cè)試結(jié)構(gòu)必須謹(jǐn)慎設(shè)計(jì)并搭配精準(zhǔn)的探針機(jī)臺(tái)。由于測(cè)試得到的數(shù)據(jù)不可避免的包含寄生(parasitic)參數(shù),為了得到器件的本質(zhì)特性,需要采用合適的方法去除這些寄生元件的影響。去除寄生元件的步驟就是去嵌化(de-embedding)。針對(duì)不同的測(cè)試結(jié)構(gòu),有不同的去嵌化方法,常用的是開(kāi)路短路(open-short)法,此方法分別以一開(kāi)路與短路測(cè)試結(jié)構(gòu)來(lái)扣除接觸針墊與金屬連線的并聯(lián)導(dǎo)納以及串聯(lián)阻抗效應(yīng)。
      [0003]如圖1所示,其中示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的射頻測(cè)試的兩端口測(cè)試結(jié)構(gòu)?,F(xiàn)有技術(shù)測(cè)試結(jié)構(gòu)包括第一接口板1la和第二接口板101b,其中第一接口板和第二接口板分別具有兩個(gè)接地測(cè)試焊盤(pán)G和一個(gè)信號(hào)測(cè)試焊盤(pán)S,兩個(gè)接口板的接地測(cè)試焊盤(pán)G均接地,從而可知實(shí)際上這些接地測(cè)試焊盤(pán)是連接在一起的,信號(hào)測(cè)試焊盤(pán)S用于輸入測(cè)試信號(hào)。待測(cè)器件(Device Under Test,簡(jiǎn)稱DUT)102設(shè)置于第一接口板1la和第二接口板1lb之間。通過(guò)第一金屬連線將DUT與第一接口板1la上信號(hào)測(cè)試焊盤(pán)S相連,通過(guò)第二金屬連線將DUT與第二接口板1lb上信號(hào)測(cè)試焊盤(pán)S相連,通過(guò)第三金屬連線、第四金屬連線將DUT與接地測(cè)試焊盤(pán)G相連。
      [0004]利用上述測(cè)試結(jié)構(gòu)進(jìn)行射頻測(cè)試,則總的射頻參數(shù)(Ytotall)等于待測(cè)器件的射頻參數(shù)(Ydut)與可去除寄生的射頻參數(shù)(Ytjpen)和去嵌化誤差(Yctm)三者之和,即:
      [0005]Ytotall=Ydut+Yopen+Yerror ( 1 )
      [0006]而去嵌結(jié)構(gòu)的射頻參數(shù)(Ydranbedl)等于總的射頻參數(shù)與可去除寄生的射頻參數(shù)之差,即:
      [0007]Ydeembedl-Ytotall-Yopen (2)
      [0008]由公式(I)和(2)可推出
      Ydeembed Ydeembedl =YdUt+Yerror
      [0009]然而傳統(tǒng)的開(kāi)路短路去嵌化技術(shù)仍然不能將寄生參數(shù)完全的移除,因此測(cè)試結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)對(duì)于獲得更精確的射頻參數(shù)變的越來(lái)越重要。
      [0010]因此,為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的上述技術(shù)問(wèn)題,有必要提出一種新的測(cè)試結(jié)構(gòu)。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0011]在
      【發(fā)明內(nèi)容】
      部分中引入了一系列簡(jiǎn)化形式的概念,這將在【具體實(shí)施方式】部分中進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。本發(fā)明的
      【發(fā)明內(nèi)容】
      部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征,更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
      [0012]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問(wèn)題,本發(fā)明的一方面提出了一種射頻測(cè)試結(jié)構(gòu),包括:
      [0013]第一信號(hào)測(cè)試焊盤(pán),第一接地測(cè)試焊盤(pán)和第二接地測(cè)試焊盤(pán),其中所述第一信號(hào)測(cè)試焊盤(pán)設(shè)置于所述第一接地焊盤(pán)和第二接地焊盤(pán)之間;
      [0014]第一待測(cè)器件和第二待測(cè)器件,所述第一待測(cè)器件和所述第二待測(cè)器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)完全相同,對(duì)稱設(shè)置于所述第一接地測(cè)試焊盤(pán)、所述第一信號(hào)測(cè)試焊盤(pán)和所述第二接地測(cè)試焊盤(pán)之間,其中所述第一待測(cè)器件通過(guò)第一互連電連接至所述第一接地測(cè)試焊盤(pán),通過(guò)第二互連電連接至所述第一信號(hào)測(cè)試焊盤(pán);所述第二待測(cè)器件通過(guò)第四互連電連接至所述第二接地測(cè)試焊盤(pán),通過(guò)第三互連電連接至所述第一信號(hào)測(cè)試焊盤(pán)。
      [0015]進(jìn)一步,還包括第二信號(hào)測(cè)試焊盤(pán)、第三接地測(cè)試焊盤(pán)和第四接地測(cè)試焊盤(pán),其中所述第二信號(hào)測(cè)試焊盤(pán)設(shè)置于所述第三接地測(cè)試焊盤(pán)和所述第四接地測(cè)試焊盤(pán)之間。
      [0016]進(jìn)一步,所述第一待測(cè)器件和第二待測(cè)器件設(shè)置于所述第三接地測(cè)試焊盤(pán)、所述第二信號(hào)測(cè)試焊盤(pán)和所述第四接地測(cè)試焊盤(pán)之間,關(guān)于所述第一信號(hào)測(cè)試焊盤(pán)和所述第二信號(hào)測(cè)試焊盤(pán)的中心點(diǎn)連線軸對(duì)稱,其中所述第一待測(cè)器件通過(guò)第五互連電連接至所述第三接地測(cè)試焊盤(pán),通過(guò)第六互連電連接至所述第二信號(hào)測(cè)試焊盤(pán);所述第二待測(cè)器件通過(guò)第八互連電連接至所述第四接地測(cè)試焊盤(pán),通過(guò)第七互連電連接至所述第二信號(hào)測(cè)試焊盤(pán)。
      [0017]本發(fā)明的另一個(gè)方面提出了一種射頻測(cè)試方法,采用了上述的測(cè)試結(jié)構(gòu)來(lái)執(zhí)行射頻測(cè)試。
      [0018]進(jìn)一步,單個(gè)待測(cè)器件的Y參數(shù)=采用上述的測(cè)試結(jié)構(gòu)的Y參數(shù)*0.5。
      [0019]綜上所示,根據(jù)本發(fā)明的射頻測(cè)試結(jié)構(gòu)及射頻測(cè)試的方法,可降低去嵌化誤差,進(jìn)一步提高射頻測(cè)試結(jié)果的精度。
      【附圖說(shuō)明】
      [0020]本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例及其描述,用來(lái)解釋本發(fā)明的原理。
      [0021]附圖中:
      [0022]圖1為現(xiàn)有技術(shù)用于射頻測(cè)試的測(cè)試結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0023]圖2為本發(fā)明實(shí)施例一的測(cè)試結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0024]圖3為本發(fā)明實(shí)施例二的測(cè)試結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0025]圖4為現(xiàn)有技術(shù)與本發(fā)明實(shí)施例一焊盤(pán)寄生效應(yīng)電磁仿真對(duì)比圖。
      【具體實(shí)施方式】
      [0026]在下文的描述中,給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對(duì)本發(fā)明更為徹底的理解。然而,對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見(jiàn)的是,本發(fā)明可以無(wú)需一個(gè)或多個(gè)這些細(xì)節(jié)而得以實(shí)施。在其他的例子中,為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆,對(duì)于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn)行描述。
      [0027]為了徹底理解本發(fā)明,將在下列對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述,以便闡釋本發(fā)明提出的射頻測(cè)試結(jié)構(gòu)及射頻測(cè)試方法。顯然,本發(fā)明的施行并不限定于半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟習(xí)的特殊細(xì)節(jié)。本發(fā)明的較佳實(shí)施例詳細(xì)描述如下,然而除了這些詳細(xì)描述外,本發(fā)明還可以具有其他實(shí)施方式。
      [0028]應(yīng)當(dāng)理解的是,當(dāng)在本說(shuō)明書(shū)中使用術(shù)語(yǔ)“包含”和/或“包括”時(shí),其指明存在所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件,但不排除存在或附加一個(gè)或多個(gè)其他特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組合。
      [0029]實(shí)施例一
      [0030]下面將結(jié)合具體實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更詳細(xì)的描述,其中標(biāo)示了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例,應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以進(jìn)行修改在此描述的本發(fā)明,而仍然實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。
      [0031]圖2示意性示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例一的兩端口測(cè)試結(jié)構(gòu),包括第一信號(hào)測(cè)試焊盤(pán)221,第一接地測(cè)試焊盤(pán)211和第二接地測(cè)試焊盤(pán)212,其中所述第一信號(hào)測(cè)試焊盤(pán)221設(shè)置于所述第一接地測(cè)試焊盤(pán)211和第二接地測(cè)試焊盤(pán)212之間;還包括第二信號(hào)測(cè)試焊盤(pán)222、第三接地測(cè)試焊盤(pán)213和第四接地測(cè)試焊盤(pán)214,其中所述第二信號(hào)測(cè)試焊盤(pán)222設(shè)置于所述第三接地測(cè)試焊盤(pán)213和所述第四接地測(cè)試焊盤(pán)214之間;接地測(cè)試焊盤(pán)均接地,從而可知實(shí)際上這些接地測(cè)試焊盤(pán)是連接在一起的,信號(hào)測(cè)試焊盤(pán)用于輸入
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