Tm結(jié)構(gòu)晶圓半切測(cè)試方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種TM結(jié)構(gòu)晶圓半切測(cè)試方法。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來(lái)，半導(dǎo)體集成電路在成本降低和前道晶圓制造工藝的提升的共同促進(jìn)下，實(shí)現(xiàn)了同樣功能的半導(dǎo)體器件的單體芯片尺寸越來(lái)越小的目標(biāo)，便產(chǎn)生出一種新的Package 封裝形式 WLCSP (Wafer Level Chip Scale Packaging)，即晶圓級(jí)芯片規(guī)模封裝，該封裝方式不同于傳統(tǒng)的芯片封裝方式:先切割再封測(cè)，而封裝后至少增加原芯片20%的體積；此種技術(shù)是先在整片晶圓上進(jìn)行封裝和測(cè)試，然后才切割成一個(gè)個(gè)的IC顆粒，因此封裝后的體積即等同IC裸晶的原尺寸。WLCSP封裝方式的特性優(yōu)點(diǎn)，一方面是有效地縮減封裝體積，不僅明顯地縮小內(nèi)存模塊尺寸，而且符合行動(dòng)裝置對(duì)于機(jī)體空間的高密度需求；另一方面在效能的表現(xiàn)上，由于電路布線的線路短且厚，故可有效增加數(shù)據(jù)傳輸?shù)念l寬、減少電流耗損，且對(duì)散熱問(wèn)題助益極大，更提升了數(shù)據(jù)傳輸?shù)乃俣扰c穩(wěn)定性。
[0003]目前已有多種工藝的WLCSP產(chǎn)品，主要工藝種類包括！Marking面裸晶、Marking面帶背膠、球面刷膠等，球面刷膠工藝通常又稱為T(mén)M結(jié)構(gòu)或Cas1工藝，其特征就是整個(gè)晶圓表面除了 Bump外全是黑色的。由于晶圓表面刷了一層厚度120UM以上的黑膠，將晶圓表面的電路層圖案全遮蓋住了，所以對(duì)于這種工藝的產(chǎn)品無(wú)法實(shí)現(xiàn)傳統(tǒng)的測(cè)試方法，因?yàn)楫?dāng)今半導(dǎo)體行業(yè)中比較知名且常用的探針臺(tái)均由TEL和TSK兩家公司制造，這些常用的探針臺(tái)在進(jìn)行芯片對(duì)位和角度調(diào)整時(shí)，必須要求每顆芯片上有唯一的黑白分明、有橫有豎的圖案，這樣探針臺(tái)的Vis1n系統(tǒng)方可準(zhǔn)確抓取圖像并識(shí)別定位，才能實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確扎針測(cè)試的目的。
[0004]所以目前半導(dǎo)體行業(yè)里只有兩種方式對(duì)TM結(jié)構(gòu)工藝品種進(jìn)行測(cè)試:第一種測(cè)試方式是將晶圓貼膜全切割開(kāi)，并選用帶Frame測(cè)試功能的探針臺(tái)進(jìn)行測(cè)試；第二種測(cè)試方式是將晶圓貼膜全切割開(kāi)后，不選取探針臺(tái)方式進(jìn)行測(cè)試，而是選用轉(zhuǎn)塔式機(jī)械手吸取單顆芯片通過(guò)Socket方式進(jìn)行測(cè)試。
[0005]但上述兩種方式各自存在一些問(wèn)題。
[0006]第一種測(cè)試方式最大的問(wèn)題在于:當(dāng)貼膜位置或角度超出探針臺(tái)的對(duì)位允許范圍時(shí)，對(duì)芯片進(jìn)行全切割后，將無(wú)法重新貼膜并測(cè)試，此時(shí)該片產(chǎn)品就將面臨報(bào)廢。其次，第一種測(cè)試方式對(duì)測(cè)試精度也會(huì)有影響，尤其是規(guī)格較小的芯片，因?yàn)樗{(lán)膜或UV膜的收縮伸展會(huì)導(dǎo)致焊墊之間的位置偏移，從而影響扎針的準(zhǔn)確性。再次，在某些異常情況下，測(cè)試后產(chǎn)品需要保留的，時(shí)間久了之后就會(huì)影響到撿片包裝工序的撿取難度，會(huì)造成很大損失甚至報(bào)廢。
[0007]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中一種TM結(jié)構(gòu)晶圓測(cè)試方法的流程示意圖。
[0008]如圖1所示，將TM結(jié)構(gòu)晶圓貼到膜上后，劃片機(jī)對(duì)TM結(jié)構(gòu)晶圓進(jìn)行全切，當(dāng)探針臺(tái)因貼膜位置或角度超出探針臺(tái)的對(duì)位允許范圍而導(dǎo)致對(duì)位錯(cuò)誤時(shí)，晶圓面臨報(bào)廢問(wèn)題；當(dāng)探針測(cè)試在某些異常情況下，測(cè)試后產(chǎn)品需要保留較長(zhǎng)時(shí)間的情況下，晶圓同樣面臨報(bào)廢問(wèn)題。
[0009]第二種方式的問(wèn)題在于:首先，機(jī)械手的Jam率、故障率會(huì)比較高；其次，芯片比較脆弱，通過(guò)Socket測(cè)試時(shí)的定位調(diào)整難度比較大，且容易造成芯片缺損，降低合格率，增加紛失率及混批率等風(fēng)險(xiǎn)，而且維護(hù)成本也會(huì)大大增加，降低設(shè)備的利用率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]在下文中給出關(guān)于本發(fā)明的簡(jiǎn)要概述，以便提供關(guān)于本發(fā)明的某些方面的基本理解。應(yīng)當(dāng)理解，這個(gè)概述并不是關(guān)于本發(fā)明的窮舉性概述。它并不是意圖確定本發(fā)明的關(guān)鍵或重要部分，也不是意圖限定本發(fā)明的范圍。其目的僅僅是以簡(jiǎn)化的形式給出某些概念，以此作為稍后論述的更詳細(xì)描述的前序。
[0011]本發(fā)明提供一種解決TM結(jié)構(gòu)WLCSP晶圓因表面沒(méi)有黑白分明的橫豎圖案而導(dǎo)致探針臺(tái)無(wú)法識(shí)別焊墊之間位置的問(wèn)題的TM結(jié)構(gòu)晶圓半切測(cè)試方法。
[0012]本發(fā)明提供一種TM結(jié)構(gòu)晶圓半切測(cè)試方法，包括以下步驟:
[0013]S30:將TM結(jié)構(gòu)晶圓貼到膜上，劃片機(jī)按照預(yù)設(shè)參數(shù)對(duì)已貼膜的TM結(jié)構(gòu)晶圓表面進(jìn)行半切；
[0014]S50:將所述TM結(jié)構(gòu)晶圓從所述膜上取下并放置在探針臺(tái)上進(jìn)行設(shè)置對(duì)位及探針測(cè)試;
[0015]S70:當(dāng)所述探針測(cè)試通過(guò)時(shí)，將所述TM結(jié)構(gòu)晶圓貼膜封裝、全切劃片、撿片包裝；當(dāng)所述探針測(cè)試失敗時(shí)，返回步驟S30。
[0016]本發(fā)明提供的TM結(jié)構(gòu)晶圓半切測(cè)試方法通過(guò)劃片機(jī)在晶圓表面按照焊墊的尺寸陳列式切割出淺淺的方格線，從而使得探針臺(tái)的Vis1n系統(tǒng)能抓取黑白分明、有橫有豎、每顆芯片上唯一的圖像進(jìn)行對(duì)位識(shí)別，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)TM結(jié)構(gòu)晶圓進(jìn)行探針測(cè)試。本發(fā)明一方面避免了發(fā)生由于貼膜偏位使得探針臺(tái)無(wú)法對(duì)位，導(dǎo)致整片無(wú)法測(cè)試的風(fēng)險(xiǎn)，從而降低了產(chǎn)品報(bào)廢率；另一方面避免了全切方式下的貼膜收縮擴(kuò)張導(dǎo)致焊墊之間的位置偏移下的扎針偏位的情況，從而提高了產(chǎn)品良率。在遇到產(chǎn)品測(cè)試異常需長(zhǎng)期保留的情況下，本發(fā)明提供的測(cè)試方法不會(huì)導(dǎo)致?lián)炱ば虻碾y撿片問(wèn)題，減少了 Taping&Reel工序內(nèi)的紛失率。綜上所述，本發(fā)明具有操作簡(jiǎn)便、提高產(chǎn)品合格率等優(yōu)點(diǎn)。
【附圖說(shuō)明】
[0017]參照下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的說(shuō)明，會(huì)更加容易地理解本發(fā)明的以上和其它目的、特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)。附圖中的部件只是為了示出本發(fā)明的原理。在附圖中，相同的或類似的技術(shù)特征或部件將采用相同或類似的附圖標(biāo)記來(lái)表示。
[0018]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中一種TM結(jié)構(gòu)晶圓測(cè)試方法的流程示意圖。
[0019]圖2為本發(fā)明TM結(jié)構(gòu)晶圓半切測(cè)試方法一種實(shí)施方式的流程示意圖。
[0020]圖3為本發(fā)明TM結(jié)構(gòu)晶圓半切測(cè)試方法一種優(yōu)選實(shí)施方式的流程示意圖。
[0021]圖4為本發(fā)明TM結(jié)構(gòu)晶圓半切測(cè)試方法另一種優(yōu)選實(shí)施方式的流程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
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