CPU31，基于來自溫度傳感器的測定溫度，控制對晶片W的來自 加熱器的加熱和來自調(diào)溫氣體的冷卻。此時(shí)，CPU11，參照有關(guān)圖案的尺寸或形狀的數(shù)值的 偏差，控制晶片W的溫度。
[0179] 蝕刻速率與被蝕刻對象物的溫度相關(guān)，因此，通過控制晶片W的溫度分布，能夠提 高圖案的面內(nèi)均一性。此外，也可以同時(shí)控制聚焦環(huán)24和晶片W的溫度。
[0180] 使得分光橢圓偏振光譜儀1工作的程序1P，也可以在磁盤驅(qū)動(dòng)器186讀取光盤Id 并存儲在存儲部185中。此外，程序1P，也可以從經(jīng)由通信部187連接的外部的信息處理裝 置或存儲裝置（未圖示）下載?；蛘?，也可以將存儲程序1P的閃存等的半導(dǎo)體存儲器lc 安裝在分光橢圓偏振光譜儀1內(nèi)。
[0181] 使得等離子體處理裝置20工作的程序2P，也可以在磁盤驅(qū)動(dòng)器36讀取光盤Id并 存儲在存儲部35中。此外，程序2P，也可以從通過通信部37連接的外部的信息處理裝置或 存儲裝置（未圖示）下載?；蛘?，也可以將存儲程序2P的閃存等的半導(dǎo)體存儲器lc安裝 在等離子體處理裝置20內(nèi)。
[0182] 實(shí)施方式2如上所述，其他與實(shí)施方式1同樣，對應(yīng)的部分付以相同的參考符號， 省略詳細(xì)說明。
[0183] 符號說明
[0184] 1分光橢圓偏振光譜儀（判定裝置、測定裝置）
[0185] 12光照射器
[0186] 14取光器
[0187] 15分光器（測定單元）
[0188] 18計(jì)算機(jī)
[0189] 181CPU(判定單元）
[0190] 184顯示部
[0191] 185存儲部
[0192] 187通信部（授予單元）
[0193] 2基板處理系統(tǒng)（圖案形成系統(tǒng)）
[0194] 20等離子體處理裝置（圖案形成裝置）
[0195] 31CPU(控制單元）
[0196] 37通知部（接受單元）
[0197] 24聚焦環(huán)
[0198] W晶片
[0199] 1L程序庫
[0200] 1R方案
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種判定處理容器內(nèi)的部件的更換時(shí)期的判定方法，其特征在于，包括： 預(yù)先根據(jù)第一圖案的形狀或尺寸算出第一偏差的工序； 在所述處理容器內(nèi)對基板上的膜進(jìn)行蝕刻形成第二圖案的工序； 對所述第二圖案的形狀或尺寸進(jìn)行測定的測定工序； 根據(jù)所測定的所述第二圖案的形狀或尺寸算出第二偏差的工序；和 當(dāng)所述第二偏差比所述第一偏差大時(shí)，判定為所述處理容器內(nèi)的部件的更換時(shí)期的工 序。2. 如權(quán)利要求1所述的判定方法，其特征在于： 所述第一偏差和所述第二偏差為根據(jù)所述圖案的側(cè)壁角度、線寬和線高中的至少一個(gè) 算出的偏差。3. 如權(quán)利要求1所述的判定方法，其特征在于： 所述第二偏差為在所述基板的整個(gè)區(qū)域、所述基板的特定區(qū)域、或所述基板的多個(gè)特 定區(qū)域算出的偏差。4. 如權(quán)利要求1所述的判定方法，其特征在于： 所述處理容器內(nèi)的部件為聚焦環(huán)。5. -種控制方法，在對基板上的膜進(jìn)行蝕刻形成圖案時(shí)，對處理容器內(nèi)的部件的溫度 進(jìn)行控制，其特征在于，包括： 對所述聚焦環(huán)的溫度進(jìn)行設(shè)定的設(shè)定工序； 預(yù)先根據(jù)第一圖案的形狀或尺寸算出第一偏差的工序； 在所述處理容器內(nèi)對基板上的膜進(jìn)行蝕刻形成第二圖案的工序； 對所述第二圖案的形狀或尺寸進(jìn)行測定的測定工序； 根據(jù)所測定的所述第二圖案的形狀或尺寸算出第二偏差的工序；和 對所述處理容器內(nèi)的部件的溫度進(jìn)行反饋控制使得所述第二偏差不會(huì)變?yōu)楸人龅?一偏差大的工序。6. 如權(quán)利要求5所述的控制方法，其特征在于： 當(dāng)所述第二偏差比所述第一偏差大時(shí)，對所述處理容器內(nèi)的部件的溫度進(jìn)行反饋控 制。7. 如權(quán)利要求6所述的判定方法，其特征在于： 所述處理容器內(nèi)的部件為聚焦環(huán)。8. -種基板處理系統(tǒng)，其特征在于，包括： 在處理容器內(nèi)對基板上的膜進(jìn)行蝕刻形成圖案的形成單元； 為提高所述圖案的面內(nèi)均一性而在所述處理容器內(nèi)配置的所述處理容器內(nèi)的部件； 對所述處理容器內(nèi)的部件的溫度進(jìn)行控制的控制單元； 向所述處理容器供給處理氣體的處理氣體供給部；和 將所述處理容器內(nèi)減壓至規(guī)定的真空度的排氣單元， 所述控制單元執(zhí)行： 預(yù)先根據(jù)第一圖案的形狀或尺寸算出第一偏差的工序； 在所述處理容器內(nèi)對基板上的膜進(jìn)行蝕刻形成第二圖案的工序； 對所述第二圖案的形狀或尺寸進(jìn)行測定的測定工序； 根據(jù)所測定的所述第二圖案的形狀或尺寸算出第二偏差的工序；和 對所述處理容器內(nèi)的部件的溫度進(jìn)行反饋控制使得所述第二偏差不會(huì)變?yōu)楸人龅? 一偏差大的工序。9. 如權(quán)利要求8所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于： 所述處理容器內(nèi)的部件為聚焦環(huán)。10. -種圖案形成方法，對處理容器內(nèi)的部件的溫度進(jìn)行控制，在所述處理容器內(nèi)對基 板上的膜進(jìn)行蝕刻形成圖案，其特征在于，包括： 預(yù)先根據(jù)第一圖案的形狀或尺寸算出第一偏差的工序； 在所述處理容器內(nèi)對基板上的膜進(jìn)行蝕刻形成第二圖案的工序； 對所述第二圖案的形狀或尺寸進(jìn)行測定的測定工序； 根據(jù)所測定的所述第二圖案的形狀或尺寸算出第二偏差的工序；和 以使所述第二偏差不會(huì)變?yōu)楸人龅谝黄畲蟮姆绞?，向所述處理容器?nèi)的部件的溫 度進(jìn)行反饋，控制所述處理容器內(nèi)的部件的溫度的工序。11. 如權(quán)利要求10所述的圖案形成方法，其特征在于： 所述第一偏差和所述第二偏差為根據(jù)所述圖案的側(cè)壁角度、線寬和線高中的至少一個(gè) 算出的偏差。12. 如權(quán)利要求10所述的圖案形成方法，其特征在于： 所述第二偏差為在所述基板的整個(gè)區(qū)域、所述基板的特定區(qū)域、或所述基板的多個(gè)特 定區(qū)域算出的偏差。13. 如權(quán)利要求10所述的圖案形成方法，其特征在于： 所述處理容器內(nèi)的部件為聚焦環(huán)。14. 一種聚焦環(huán)的溫度控制方法，在對載置臺上被靜電吸附的基板上的膜進(jìn)行蝕刻時(shí) 對聚焦環(huán)的溫度進(jìn)行控制，其特征在于，包括： 在所述載置臺對所述聚焦環(huán)靜電吸附的工序； 對所述聚焦環(huán)的溫度進(jìn)行設(shè)定的工序； 通過加熱器對所述聚焦環(huán)進(jìn)行加熱的工序；和 對所述聚焦環(huán)的下表面供給He氣進(jìn)行冷卻的工序， 以提高對所述基板進(jìn)行蝕刻時(shí)的面內(nèi)均一性的方式，控制通過所述加熱器進(jìn)行的加熱 和通過供給He氣進(jìn)行的冷卻，控制所述聚焦環(huán)的溫度。15. 如權(quán)利要求14所述的聚焦環(huán)的溫度控制方法，其特征在于： 所述圖案的形成包括： 預(yù)先根據(jù)第一圖案的形狀或尺寸算出第一偏差的工序； 在所述處理容器內(nèi)對基板上的膜進(jìn)行蝕刻形成第二圖案的工序； 對所述第二圖案的形狀或尺寸進(jìn)行測定的測定工序； 根據(jù)所測定的所述第二圖案的形狀或尺寸算出第二偏差的工序；和 以使所述第二偏差不會(huì)變?yōu)楸人龅谝黄畲蟮姆绞较蛩鎏幚砣萜鲀?nèi)的部件的溫 度進(jìn)行反饋，控制所述處理容器內(nèi)的部件的溫度的工序。16. -種載置臺上被靜電吸附的基板的蝕刻方法，其特征在于，包括： 在所述載置臺對所述基板進(jìn)行靜電吸附的工序； 將在所述基板的周圍配置的聚焦環(huán)靜電吸附在載置臺上的工序； 對所述聚焦環(huán)的溫度進(jìn)行設(shè)定的工序； 通過加熱器對所述聚焦環(huán)進(jìn)行加熱的工序； 對所述聚焦環(huán)的下表面供給He氣進(jìn)行冷卻的工序； 在所述基板上生成等離子體的工序；和 通過等離子體對所述基板進(jìn)行蝕刻的工序， 以提高對所述基板進(jìn)行蝕刻時(shí)的面內(nèi)均一性的方式，控制通過所述加熱器進(jìn)行的加熱 和通過供給He氣進(jìn)行的冷卻，控制所述聚焦環(huán)的溫度，對所述基板進(jìn)行蝕刻。17. 如權(quán)利要求16所述的基板的蝕刻方法，其特征在于： 所述圖案的形成包括： 預(yù)先根據(jù)第一圖案的形狀或尺寸算出第一偏差的工序； 在所述處理容器內(nèi)對基板上的膜進(jìn)行蝕刻形成第二圖案的工序； 對所述第二圖案的形狀或尺寸進(jìn)行測定的測定工序； 根據(jù)所測定的所述第二圖案的形狀或尺寸算出第二偏差的工序；和 以使所述第二偏差不會(huì)變?yōu)楸人龅谝黄畲蟮姆绞?，向所述處理容器?nèi)的部件的溫 度進(jìn)行反饋，控制所述處理容器內(nèi)的部件的溫度的工序。18. -種基板處理系統(tǒng)，其特征在于，包括： 處理容器； 生成用于在所述處理容器內(nèi)在基板上進(jìn)行蝕刻的等離子體的等離子體生成單元； 載置所述基板的載置臺； 在所述基板的周圍配置的聚焦環(huán)； 在所述載置臺上配置，對所述基板和聚焦環(huán)進(jìn)行靜電吸附的靜電卡盤； 對所述聚焦環(huán)進(jìn)行加熱的加熱器； 為對所述聚焦環(huán)進(jìn)行冷卻而供給熱傳導(dǎo)性氣體的溫度調(diào)節(jié)氣體供給部； 向所述處理容器內(nèi)供給處理氣體的氣體供給部； 將所述處理容器內(nèi)減壓至規(guī)定的真空度的排氣單元；和 以提高對所述基板進(jìn)行蝕刻時(shí)的面內(nèi)均一性的方式，控制通過所述加熱器進(jìn)行的加熱 和通過供給He氣進(jìn)行的冷卻，控制所述聚焦環(huán)的溫度，對所述基板進(jìn)行蝕刻的控制部。19. 如權(quán)利要求18所述的基板的蝕刻方法，其特征在于： 所述圖案的形成包括： 預(yù)先根據(jù)第一圖案的形狀或尺寸算出第一偏差的工序； 在所述處理容器內(nèi)對基板上的膜進(jìn)行蝕刻形成第二圖案的工序； 對所述第二圖案的形狀或尺寸進(jìn)行測定的測定工序； 根據(jù)所測定的所述第二圖案的形狀或尺寸算出第二偏差的工序；和 以使所述第二偏差不會(huì)變?yōu)楸人龅谝黄畲蟮姆绞?，向所述處理容器?nèi)的部件的溫 度進(jìn)行反饋，控制所述處理容器內(nèi)的部件的溫度的工序。20. -種基板處理系統(tǒng)，其特征在于，包括： 處理容器； 生成用于在所述處理容器內(nèi)在基板上進(jìn)行蝕刻的等離子體的等離子體生成單元； 載置所述基板的載置臺； 在所述基板的周圍配置的聚焦環(huán)； 在所述載置臺上配置，對所述基板和聚焦環(huán)進(jìn)行靜電吸附的靜電卡盤； 對所述聚焦環(huán)進(jìn)行加熱的加熱器； 為對所述聚焦環(huán)進(jìn)行冷卻而供給熱傳導(dǎo)性氣體的溫度調(diào)節(jié)氣體供給部； 向所述處理容器內(nèi)供給處理氣體的氣體供給部； 將所述處理容器內(nèi)減壓至規(guī)定的真空度的排氣單元；和 執(zhí)行在所述載置臺上對所述聚焦環(huán)靜電吸附的工序、對所述聚焦環(huán)的溫度進(jìn)行設(shè)定的 工序、通過加熱器對所述聚焦環(huán)進(jìn)行加熱的工序、和對所述聚焦環(huán)的下表面供給He氣進(jìn)行 冷卻的工序，對所述聚焦環(huán)的溫度進(jìn)行控制，以提高對基板進(jìn)行蝕刻時(shí)的面內(nèi)均一性的控 制部。21. 如權(quán)利要求20所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于： 在所述基板上形成膜，通過所述蝕刻形成圖案。22. 如權(quán)利要求20所述的基板的蝕刻方法，其特征在于： 所述圖案的形成包括： 預(yù)先根據(jù)第一圖案的形狀或尺寸算出第一偏差的工序； 在所述處理容器內(nèi)對基板上的膜進(jìn)行蝕刻形成第二圖案的工序； 對所述第二圖案的形狀或尺寸進(jìn)行測定的測定工序； 根據(jù)所測定的所述第二圖案的形狀或尺寸算出第二偏差的工序；和 以使所述第二偏差不會(huì)變?yōu)楸人龅谝黄畲蟮姆绞剑蛩鎏幚砣萜鲀?nèi)的部件的溫 度進(jìn)行反饋，控制所述處理容器內(nèi)的部件的溫度的工序。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種能夠可靠并且迅速的判定處理容器內(nèi)的部件的更換時(shí)期的判定方法、控制方法、判定裝置、和圖案形成系統(tǒng)。判定處理容器內(nèi)的部件的更換時(shí)期的判定方法，包括：預(yù)先根據(jù)第一圖案的形狀或尺寸算出第一偏差的工序；在所述處理容器內(nèi)對基板上的膜進(jìn)行蝕刻形成第二圖案的工序；對所述第二圖案的形狀或尺寸進(jìn)行測定的測定工序；根據(jù)所測定的所述第二圖案的形狀或尺寸算出第二偏差的工序；和當(dāng)所述第二偏差比所述第一偏差大時(shí)，判定為所述處理容器內(nèi)的部件的更換時(shí)期的工序。
【IPC分類】H01J37/32, H01L21/66, H01L21/67
【公開號】CN104979154
【申請?zhí)枴緾N201510242801
【發(fā)明人】田中圭介, 澤井和夫, 長畑壽
【申請人】東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社
【公開日】2015年10月14日
【申請日】2012年3月28日
【公告號】CN102709208A, CN102709208B, US20120249986