一種半導(dǎo)體器件的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體而言涉及一種半導(dǎo)體器件的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域中，光刻工藝是半導(dǎo)體器件的制造過(guò)程中所必不可少的工藝。在刻蝕過(guò)程中，刻蝕副產(chǎn)物(或不需要的膜層)往往形成在晶片(或晶圓)的邊緣區(qū)域，這些副產(chǎn)物會(huì)直接影響器件(尤其是晶片邊緣區(qū)域的器件)的良率。為了提高器件的良率，通常需要對(duì)晶片邊緣(簡(jiǎn)稱晶邊)進(jìn)行刻蝕處理。
[0003]晶邊刻蝕工藝由于可以減少缺陷(defect)、放電(arcing)以及應(yīng)力過(guò)剩(excessive stress)的來(lái)源,提升良率，因而獲得了廣泛的關(guān)注。其中，有源區(qū)(AA)晶邊刻蝕是半導(dǎo)體制造中晶邊刻蝕的起始點(diǎn)，并且對(duì)確保保留的膜層的均一性至關(guān)重要。
[0004]由于存在復(fù)雜的圖形交疊，晶片邊緣缺陷已經(jīng)成為導(dǎo)致器件良率下降的一個(gè)重要因素。晶邊刻蝕的目的就是改善芯片的良率，尤其是晶片邊緣區(qū)域的管芯(die)的良率。現(xiàn)有的晶邊刻蝕方法，主要采用等離子體刻蝕法，通過(guò)等離子體限制環(huán)(plasma confinementring)來(lái)實(shí)現(xiàn)。
[0005]現(xiàn)有技術(shù)中晶片的制備方法為首先在晶片(半導(dǎo)體襯底)上形成光刻膠，對(duì)該光刻膠進(jìn)行曝光、顯影處理；進(jìn)行刻蝕以形成用于容置淺溝槽隔離的溝槽；對(duì)晶片邊緣進(jìn)行刻蝕，步驟E4:通過(guò)濕法剝離去除所述光刻膠；制備得到的晶片如圖1所示。
[0006]通過(guò)上述方法制備得到晶片存在的缺陷出現(xiàn)在晶圓的邊緣(wafer outer edge)或者后方的斜面區(qū)域(backside bevel area),增加了去除所述缺陷的難度,甚至導(dǎo)致晶圓的破碎，良率的降低以及穩(wěn)定性問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提出一種新的半導(dǎo)體器件的制造方法。
[0008]本發(fā)明實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，所述方法包括:
[0009]提供晶片；
[0010]減薄所述晶片的邊緣，以減小所述晶片的邊緣的厚度；
[0011]在所述晶片的有源區(qū)形成用于容置淺溝槽隔離的溝槽；
[0012]對(duì)所述晶片的邊緣進(jìn)行斜面蝕刻。
[0013]作為優(yōu)選，選用激光拋光的方法來(lái)減薄所述晶片的邊緣。
[0014]作為優(yōu)選，所述方法還進(jìn)一步包括沉積隔離材料層，以填充所述溝槽形成淺溝槽隔離，同時(shí)在所述晶片的邊緣上方形成更多的所述隔離材料層。
[0015]作為優(yōu)選，所述隔離材料層選用氧化物層。
[0016]作為優(yōu)選，所述方法還進(jìn)一步包括在所述晶片的邊緣形成高K材料層、覆蓋層以及金屬焊盤(pán)的步驟。
[0017]作為優(yōu)選，所述覆蓋層選用Ti和/或TiN ；
[0018]所述金屬焊盤(pán)選用Al焊盤(pán)。
[0019]作為優(yōu)選，形成所述溝槽的方法為:
[0020]在所述晶片上形成犧牲材料層；
[0021 ] 在所述犧牲材料層上形成掩膜層；
[0022]以所述掩膜層為掩膜蝕刻所述犧牲材料層和所述晶片，以形成所述溝槽。
[0023]作為優(yōu)選，所述犧牲材料層選用氧化物層。
[0024]本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法，與現(xiàn)有技術(shù)相比，在晶片制備工藝開(kāi)始之前首先對(duì)所述晶片進(jìn)行處理，將晶片的邊緣部位進(jìn)行減薄(thinning)，然后在所述晶片的有源區(qū)形成溝槽，然后沉積氧化物層，以形成淺溝槽隔離，同時(shí)在所述晶片的邊緣上方形成氧化物層，通過(guò)所述方法可以在晶片的邊緣可以填充更多氧化物，以得到厚度更大的氧化物層，從而保證在所述氧化物層上形成的高K、覆蓋層以及金屬焊盤(pán)不會(huì)發(fā)生脫落現(xiàn)象，提高半導(dǎo)體器件的良率。
【附圖說(shuō)明】
[0025]本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例及其描述，用來(lái)解釋本發(fā)明的原理。
[0026]附圖中:
[0027]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的一種半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖2a_2c為本發(fā)明一實(shí)施方式中一種半導(dǎo)體器件的制造方法中形成的結(jié)構(gòu)的示意性剖視圖；
[0029]圖3為本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造方法的一種示意性流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0030]在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對(duì)本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見(jiàn)的是，本發(fā)明可以無(wú)需一個(gè)或多個(gè)這些細(xì)節(jié)而得以實(shí)施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對(duì)于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn)行描述。
[0031]應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明能夠以不同形式實(shí)施，而不應(yīng)當(dāng)解釋為局限于這里提出的實(shí)施例。相反地，提供這些實(shí)施例將使公開(kāi)徹底和完全，并且將本發(fā)明的范圍完全地傳遞給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為了清楚，層和區(qū)的尺寸以及相對(duì)尺寸可能被夸大。自始至終相同附圖標(biāo)記表示相同的元件。
[0032]應(yīng)當(dāng)明白，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為“在...上”、“與...相鄰”、“連接到”或“耦合到”其它元件或?qū)訒r(shí)，其可以直接地在其它元件或?qū)由稀⑴c之相鄰、連接或耦合到其它元件或?qū)樱蛘呖梢源嬖诰娱g的元件或?qū)?。相反，?dāng)元件被稱為“直接在...上”、“與...直接相鄰”、“直接連接到”或“直接耦合到”其它元件或?qū)訒r(shí)，則不存在居間的元件或?qū)印?yīng)當(dāng)明白，盡管可使用術(shù)語(yǔ)第一、第二、第三等描述各種元件、部件、區(qū)、層和/或部分，這些元件、部件、區(qū)、層和/或部分不應(yīng)當(dāng)被這些術(shù)語(yǔ)限制。這些術(shù)語(yǔ)僅僅用來(lái)區(qū)分一個(gè)元件、部件、區(qū)、層或部分與另一個(gè)元件、部件、區(qū)、層或部分。因此，在不脫離本發(fā)明教導(dǎo)之下，下面討論的第一元件、部件、區(qū)、層或部分可表示為第二元件、部件、區(qū)、層或部分。
[0033]空間關(guān)系術(shù)語(yǔ)例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在這里可為了方便描述而被使用從而描述圖中所示的一個(gè)元件或特征與其它元件或特征的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)明白，除了圖中所示的取向以外，空間關(guān)系術(shù)語(yǔ)意圖還包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附圖中的器件翻轉(zhuǎn)，然后，描述為“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征將取向?yàn)樵谄渌蛱卣鳌吧稀?。因此，示例性術(shù)語(yǔ)“在...下面”和“在...下”可包括上和下兩個(gè)取向。器件可以另外地取向(旋轉(zhuǎn)90度或其它取向)并且在此使用的空間描述語(yǔ)相應(yīng)地被解釋。
[0034]在此使用的術(shù)語(yǔ)的目的僅在于描述具體實(shí)施例并且不作為本發(fā)明的限制。在此使用時(shí)，單數(shù)形式的“一”、“一個(gè)”和“所述/該”也意圖包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚指出另外的方式。還應(yīng)明白術(shù)語(yǔ)“組成”和/或“包括”，當(dāng)在該說(shuō)明書(shū)中使用時(shí)，確定所述特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一個(gè)或更多其它的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、部件和/或組的存在或添加。在此使用時(shí)，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括相關(guān)所列項(xiàng)目的任何及所有組合。
[0035]為了徹底理解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細(xì)的步驟以及詳細(xì)的結(jié)構(gòu)，以便闡釋本發(fā)明的技術(shù)方案。本發(fā)明的較佳實(shí)施例詳細(xì)描述如下，然而除了這些詳細(xì)描述外，本發(fā)明還可以具有其他實(shí)施方式。
[0036]下面，參照?qǐng)D3以及圖2a_2c來(lái)描述本發(fā)明實(shí)施例提出的半導(dǎo)體器件的制造方法。其中，圖3為本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造方法的一種示意性流程圖；圖2&-2(:為本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造方法的兩個(gè)相關(guān)步驟形成的結(jié)構(gòu)的示意性剖視圖。
[0037]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明一具體地實(shí)施方式作進(jìn)一步的說(shuō)明。
[0038]首先，執(zhí)行步驟201，提供晶片；
[0039]如圖2a所示，在晶片至少包括半導(dǎo)體襯底201，其中所述半導(dǎo)體襯底201可以是以下所提到的材料中的至少一種:娃、絕緣體上娃(SOI)、絕緣體上層疊娃(SSOI)、絕緣體上層疊鍺化硅(S-SiGeOI)、絕緣體上鍺化硅(SiGeOI)以及絕緣體上鍺(GeOI)等。。
[0040]其中，該晶片為擬形成淺溝槽隔離