具有偏移量測量標記的多層結構及其偏移量的測量方法
【技術領域】
[0001]本公開總地涉及多層結構，及測量多層結構之間偏移量的方法，具體而言，涉及具有偏移量測量標記的多層結構及其偏移量的測量方法。
【背景技術】
[0002]在目前TFT陣列基板及低溫多晶硅(LTPS)的制造工藝中，必須確保多層堆疊結構之間無偏移，因此，在多層結構的堆疊過程中，需要監(jiān)控并測量層與層之間的偏移量，并及時糾正偏移，若偏移量測量有誤，則會影響后續(xù)工藝，導致產(chǎn)品合格率降低。為了提高偏移量的測量精度，實現(xiàn)高解析度的要求，通常是采用方塊型的標記作為判斷偏移量的依據(jù)，如圖1所示，以堆疊的第η層(例如第I層)作為基準層100，以堆疊的第n+m層(例如第2層)作為對位層200，基準層100的周圍設有方框形基準標記A，對位層200的中間設有方形對位標記B，若基準標記A的中心與對位標記B的中心重合，即，對位標記B處于方框形的基準標記A內(nèi)的中間位置，則第η層與第n+m層之間無偏移。若基準標記A的中心與對位標記B的中心不重合，則第η層與第n+m層之間存在偏移，偏移量通過檢測量設備來量測，即，測量圖1中線段LI的中心點扣除掉線段L2中心點的偏移量值。
[0003]圖2示出了現(xiàn)有的另一種形式的基準層1，其周圍的四條邊并不相連，但其量測原理與圖1相同。
[0004]上述現(xiàn)有技術存在如下缺陷:
[0005]僅能用檢量測設備來判斷偏移量，如因圖案缺陷，或檢量測設備有誤，則會造成偏移量與實際不符，有誤的偏移量傳回曝光機后導致曝光數(shù)據(jù)錯誤。
[0006]因此，現(xiàn)有技術僅依賴檢量測設備來判斷偏移量，對于這種微小的偏移量難以通過其他測量設備測量，導致難以判斷測量準確性，失誤率高。
[0007]在所述【背景技術】部分公開的上述信息僅用于加強對本公開的背景的理解，因此它可以包括不構成對本領域普通技術人員已知的現(xiàn)有技術的信息。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]公開了一種具有偏移量測量標記的多層結構及其偏移量的測量方法，用于快速、準確的測量多層結構之間的偏移量。
[0009]本公開的額外方面和優(yōu)點將部分地在下面的描述中闡述，并且部分地將從描述中變得顯然，或者可以通過本公開的實踐而習得。
[0010]根據(jù)本公開的一個方面，一種具有偏移量測量標記的多層結構，其包括:
[0011]第一堆疊層；
[0012]位于所述第一堆疊層上的第二堆疊層；
[0013]形成于該第一堆疊層上的基準圖案結構；及
[0014]形成于該第二堆疊層上的對位圖案結構；
[0015]其中，該第一堆疊層上的基準圖案結構包括沿X方向的第一基準圖案和沿垂直于X方向的Y方向的第二基準圖案，該第二堆疊層上的對位圖案結構包括X方向的第一對位圖案和Y方向的第二對位圖案；
[0016]該第一基準圖案包括均勻分布的多個第一方框，各第一方框上依次標注第一橫向偏移量，該第一對位圖案上均勻分布多個第一對位標記；
[0017]該第二基準圖案包括均勻分布的多個第二方框，各第二方框上依次標注第一縱向偏移量，該第二對位圖案上均勻分布多個第二對位標記；
[0018]當?shù)谝欢询B層與第二堆疊層堆疊時，多個第一對位標記的其中之一與多個第一方框的其中之一在X方向?qū)R，多個第二對位標記的其中之一與多個第二方框的其中之一在Y方向?qū)R，該對齊的第一方框所對應的第一橫向偏移量為第一堆疊層與第二堆疊層在X方向的偏移量，該對齊的第二方框所對應的第一縱向偏移量為第一堆疊層與第二堆疊層在Y方向的偏移量。
[0019]根據(jù)本公開的另一方面，一種用于測量上述的多層結構之間的偏移量的方法，該方法包括以下步驟:
[0020]步驟1:堆疊第一堆疊層和第二堆疊層；
[0021]步驟2:觀察該第一基準圖案中具有對正的對位標記的第一方框，該對正的第一方框所對應的偏移量為該第一堆疊層與第二堆疊層之間沿X方向的偏移量；及
[0022]步驟3:觀察該第二基準圖案中具有對正的對位標記的第二方框，該對正的第二方框所對應的偏移量為該第一堆疊層與第二堆疊層之間沿Y方向的偏移量。
【附圖說明】
[0023]通過參照附圖詳細描述其示例實施方式，本公開的上述和其它特征及優(yōu)點將變得更加明顯。
[0024]圖1、2示出了現(xiàn)有的多層結構偏移量測定方法示意圖。
[0025]圖3示出了根據(jù)第一實施方式的基準圖案結構的示意圖。
[0026]圖4示出了根據(jù)第一實施方式的對位圖案結構的示意圖。
[0027]圖5示出了第一堆疊層與第二堆疊層堆疊后測量標記的位置關系示意圖。
[0028]圖6示出了根據(jù)第二實施方式的基準圖案結構的示意圖。
[0029]圖7示出了根據(jù)第二實施方式的對位圖案結構的示意圖。
[0030]圖8示出了第一堆疊層與第二堆疊層堆疊后測量標記的位置關系示意圖。
[0031]圖9示出了具有測量標記的多層結構的示意圖。
【具體實施方式】
[0032]現(xiàn)在將參考附圖更全面地描述示例實施方式。然而，示例實施方式能夠以多種形式實施，且不應被理解為限于在此闡述的實施方式；相反，提供這些實施方式使得本公開將全面和完整，并將示例實施方式的構思全面地傳達給本領域的技術人員。在圖中，為了清晰，夸大了區(qū)域和層的厚度。在圖中相同的附圖標記表示相同或類似的結構，因而將省略它們的詳細描述。
[0033]所描述的特征、結構或特性可以以任何合適的方式結合在一個或更多實施方式中。在下面的描述中，提供許多具體細節(jié)從而給出對本公開的實施方式的充分理解。然而，本領域技術人員將意識到，可以實踐本公開的技術方案而沒有所述特定細節(jié)中的一個或更多，或者可以采用其它的方法、組元、材料等。在其它情況下，不詳細示出或描述公知結構、材料或者操作以避免模糊本公開的各方面。
[0034]實施方式I
[0035]本公開提供一種具有偏移量測量標記的多層結構，本實施方式以兩層堆疊結構為例進行說明。
[0036]偏移量測量標記分別位于兩層的堆疊結構上，如圖3、4所示，
[0037]具有偏移量測量標記的多層結構，其包括:第一堆疊層LI ;位于第一堆疊層LI上的第二堆疊層L2 ;形成于第一堆疊層上LI上的基準圖案結構I ;及形成于第二堆疊層上L2上的對位圖案結構2。其中，第一堆疊層LI上的基準圖案結構I包括沿X方向的第一基準圖案11和沿垂直于X方向的Y方向的第二基準圖案12。第二堆疊層L2上的對位圖案結構2包括X方向的第一對位圖案21和Y方向的第二對位圖案22。第一基準圖案11包括均勻分布的多個第一方框111，相鄰第一方框111的中心距為a,各第一方框111上依次標注第一橫向偏移量0、1*A、2*A......,第一對位圖案21上均勻分布nl個第一對位標記211,相鄰第一對位標記211的中心距為a’。
[0038]本公開的測量偏移量的原理與游標卡尺原理類似，即，本公開的基準圖案結構I相當于游標卡尺的主尺，而對位圖案結構2相當于游標卡尺的游標。
[0039]其中，A、nl、a、a’滿足以下條件:
[0040]A= Δ a=a — a’ =a/nl。
[0041]對應于游標卡尺原理:A為游標卡尺的精度，a為主尺上最小刻度，a’為游標上最小刻度，nl為游標上有nl個等分刻度。
[0042]因此，根據(jù)游標卡尺的讀數(shù)方法，看第一對位圖案21 (即游標)上第幾個對位標記211與第一基準圖案11的方框111對齊，如圖3所示，第I個對位標記與方框?qū)R，則X方向偏移量為I乘以精度，即X方向偏移量F1=1*A=1A。
[0043]本實施例的基準圖案結構與游標卡尺的主尺存在區(qū)別，基準圖案結構并未像主尺那樣標出最小刻度a，而是對應標出了第一橫向偏移量O、1*A、2*A……。具有對齊的對位標記的方框所對應的第一橫向偏移量即為X方向偏移量Fl。
[0044]同理，Y方向的第二基準圖案1