光層發(fā)出藍(lán)色光的情況下，可在每個像素單元中的兩個發(fā)光二極管模塊的發(fā)光二極管外延片中分別添加紅色熒光粉和綠色熒光粉，從而每個像素單元包括分別能夠發(fā)出藍(lán)色光、紅色光和綠色光的發(fā)光二極管模塊，以使得顯示裝置能夠通過薄膜晶體管對發(fā)光二極管模塊的控制來進行彩色顯示。
[0027]根據(jù)本發(fā)明實施例的顯示裝置，通過在每個發(fā)光單元中，在保護層上與發(fā)光二極管模塊一一對應(yīng)地設(shè)置薄膜晶體管，有效地利用了空間，并且減小了顯示裝置的整體尺寸。同時，正是多個發(fā)光單元布置為陣列，并且通過每個發(fā)光單元中的薄膜晶體管實現(xiàn)對每個發(fā)光二極管的單獨控制，使得顯示裝置能夠更加靈活地根據(jù)用戶的需要進行顯示。
[0028]以下將描述根據(jù)本發(fā)明一個實施例的發(fā)光裝置。本實施例的發(fā)光裝置可以是根據(jù)本發(fā)明實施例的顯示裝置的多個發(fā)光單元中的一個發(fā)光單元。以上已經(jīng)結(jié)合圖1至圖3對于本發(fā)明實施例的顯示裝置的發(fā)光單元進行了詳細(xì)描述。因此，以下僅對根據(jù)本發(fā)明實施例的發(fā)光裝置的主要部件進行描述，而省略了以上已經(jīng)結(jié)合圖1至圖3描述過的細(xì)節(jié)內(nèi)容。
[0029]根據(jù)本發(fā)明實施例的發(fā)光裝置可包括發(fā)光二極管模塊、S12保護層和薄膜晶體管。具體地，根據(jù)本發(fā)明的一個不例，的發(fā)光二極管模塊可包括襯底、發(fā)光二極管外延片、N電極和P電極。
[0030]在根據(jù)本發(fā)明的實施例中，襯底可以由例如藍(lán)寶石、碳化硅、(111)硅等適合GaN材料生長的材料制成。利用金屬有機化合物化學(xué)氣相沉淀(M0CVD)、分子束外延(MBE)、氫化物氣相外延(HVPE)等方法在襯底襯底110上生長發(fā)光二極管外延片。
[0031 ] 發(fā)光二極管外延片可包括N型GaN層、發(fā)光層和P型GaN層。根據(jù)本發(fā)明的一個示例，發(fā)光二極管外延片的N型GaN層可形成在襯底110上。此外，根據(jù)本發(fā)明的另一示例，每個發(fā)光二極管外延片還可包括位于N型GaN層和襯底之間的非摻雜的GaN層，以提高發(fā)光二極管的發(fā)光效率。因而，N型GaN層也可形成在非摻雜的GaN層上而不是直接形成在襯底上。
[0032]發(fā)光二極管外延片的發(fā)光層形成在N型GaN層上，并且P型GaN層形成在發(fā)光層上?？衫霉饪?、ICP刻蝕等方法制備發(fā)光二極管模塊的N型溝道124。刻蝕深度以達(dá)到但不耗盡N型GaN層為準(zhǔn)。刻蝕后，發(fā)光層和P型GaN層覆蓋在N型GaN層的除了 N型溝道以外的區(qū)域上。
[0033]此外，N電極可形成在N型GaN層上，并且P電極可形成在P型GaN層上。具體地，可利用蒸鍍、濺射等方法分別在P型GaN層和N型GaN溝道內(nèi)的N型GaN層上制備金屬電極。在根據(jù)本發(fā)明的示例中，顯示裝置中多個發(fā)光裝置的發(fā)光二極管模塊的P電極可共路，并且連接到高電壓。
[0034]也就是說，根據(jù)本發(fā)明實施例的發(fā)光二極管模塊采用無機材料制成的發(fā)光二極管，與有機發(fā)光二極管相比，不僅提高了發(fā)光效率，而且增強了熱穩(wěn)定性，化學(xué)與濕度穩(wěn)定性差，并且延遲了發(fā)光裝置的使用壽命。
[0035]發(fā)光裝置還可包括形成為該發(fā)光裝置的最上層的絕緣保護層，以保護發(fā)光二極管模塊。在根據(jù)本發(fā)明的實施例中，S12保護層可覆蓋在發(fā)光二極管模塊的部分區(qū)域上。根據(jù)本發(fā)明的一個示例，S12保護層可覆蓋在發(fā)光二極管模塊的N型溝中除了形成N電極以外的區(qū)域上。
[0036]此外，發(fā)光裝置還可包括薄膜晶體管(TFT)。薄膜晶體管可形成在S12保護層上。具體地，薄膜晶體管的漏極與發(fā)光二極管模塊的N電極相連接以控制發(fā)光二極管模塊，薄膜晶體管的柵極可接收數(shù)據(jù)信號，以及薄膜晶體管的源極可接收掃描信號。
[0037]根據(jù)本發(fā)明的一個示例，可在發(fā)光裝置的S12保護層上利用沉積等方法形成薄膜晶體管的柵極，從而有效地利用了空間，并且減小了發(fā)光裝置的尺寸。
[0038]此外，可在薄膜晶體管的柵極上利用等離子增強化學(xué)氣相沉積法(PECVD)等方法形成柵極絕緣層，并且在柵極絕緣層上形成半導(dǎo)體層330，進而在半導(dǎo)體層上利用沉積等方法形成薄膜晶體管的源極和漏極。
[0039]優(yōu)選地，在半導(dǎo)體層靠近該薄膜晶體管所對應(yīng)的發(fā)光二極管模塊的N電極的一側(cè)形成漏極，以便于將漏極與發(fā)光二極管模塊的N電極相連接。并且在半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離N電極的一側(cè)形成漏極。
[0040]根據(jù)本發(fā)明的一個不例，發(fā)光裝置的發(fā)光二極管模塊的發(fā)光二極管外延片的發(fā)光層可用于發(fā)出藍(lán)色光。例如，可通過1-1nGaN材料形成發(fā)光層，以使得發(fā)光二極管發(fā)出的光為藍(lán)色。此外，根據(jù)本發(fā)明的另一示例，可在發(fā)光裝置的發(fā)光二極管模塊的發(fā)光二極管外延片中添加其他顏色的熒光粉。例如，可在發(fā)光裝置的發(fā)光二極管模塊的發(fā)光二極管外延片中添加紅色熒光粉或綠色熒光粉，從而發(fā)光裝置能夠根據(jù)薄膜晶體管的控制發(fā)出綠色或紅色的光。
[0041]在根據(jù)本發(fā)明實施例的發(fā)光裝置中，通過在覆蓋在發(fā)光二極管模塊的部分區(qū)域的保護層上與發(fā)光二極管模塊對應(yīng)地設(shè)置薄膜晶體管，有效地利用了空間，并且減小了發(fā)光裝置的尺寸。同時，正是通過這些薄膜晶體管實現(xiàn)了對每個發(fā)光二極管的單獨控制，使得發(fā)光裝置能夠更加靈活地根據(jù)用戶的需要進行顯示。
[0042]本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，可依賴于設(shè)計需求和其它因素對本發(fā)明進行各種修改、組合、部分組合和替換，只要它們在所附權(quán)利要求書及其等價物的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種顯示裝置，包括布置為陣列的多個發(fā)光單元，其中每個所述發(fā)光單元包含: 發(fā)光二極管(LED)模塊； S12保護層，覆蓋在所述LED模塊的部分區(qū)域上；以及 薄膜晶體管(TFT)，形成在所述S12保護層上，其中所述TFT的漏極與所述LED模塊的N電極相連接以控制所述LED模塊，所述TFT的柵極配置來接收數(shù)據(jù)信號，以及所述TFT的源極配置來接收掃描信號。2.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中在每個所述發(fā)光單元中， 所述LED模塊包括: 發(fā)光二極管(LED)外延片， N電極，形成在所述LED外延片的N型GaN層上， P電極，形成在所述LED外延片的P型GaN層上；以及 所述S12保護層覆蓋在所述N型GaN層除了形成N電極以外的區(qū)域上。3.如權(quán)利要求1或2所述的顯示裝置，其中在每個所述發(fā)光單元中， 在所述S12保護層上形成所述TFT的柵極。4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光裝置，其中在每個所述發(fā)光單元中， 在所述TFT的柵極上形成柵極絕緣層， 在所述柵極絕緣層上形成半導(dǎo)體層，以及 在所述半導(dǎo)體層上形成所述TFT的源極和漏極。5.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中 所述多個發(fā)光單元的LED模塊的P電極共路，并且連接到高電壓。6.如權(quán)利要求1、2或5所述的顯示裝置，其中 所述LED模塊包括用于發(fā)出藍(lán)色光的發(fā)光層，以及 以三個所述發(fā)光單元為一個像素單元，其中 對每個所述像素單元中的兩個發(fā)光單元中的LED模塊分別添加紅、綠熒光粉，以使得每個所述像素單元能夠發(fā)出藍(lán)色光、紅色光和綠色光。7.一種發(fā)光裝置，包括: 發(fā)光二極管(LED)模塊， S12保護層，覆蓋在所述LED模塊的部分區(qū)域上；以及 薄膜晶體管(TFT)，形成在所述S12保護層上，其中所述TFT的漏極與所述LED模塊的N電極相連接以控制所述LED模塊，所述TFT的柵極配置來接收數(shù)據(jù)信號，以及所述TFT的源極配置來接收掃描信號。
【專利摘要】本發(fā)明的實施例提供了一種顯示裝置和發(fā)光裝置。根據(jù)本發(fā)明實施例的顯示裝置，包括布置為陣列的多個發(fā)光單元，其中每個發(fā)光單元包含：發(fā)光二極管（LED）模塊；SiO2保護層，覆蓋在LED模塊的部分區(qū)域上；以及薄膜晶體管（TFT），形成在SiO2保護層上，其中TFT的漏極與LED模塊的N電極相連接以控制LED模塊，TFT的柵極配置來接收數(shù)據(jù)信號，以及TFT的源極配置來接收掃描信號。
【IPC分類】H01L27/02, G02F1/13357
【公開號】CN104979341
【申請?zhí)枴緾N201410131157
【發(fā)明人】龍浩, 陽光
【申請人】聯(lián)想(北京)有限公司
【公開日】2015年10月14日
【申請日】2014年4月2日